本發(fā)明涉及芯片封裝，具體涉及引線框。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體封裝，是將晶粒（又稱晶片）封裝成芯片的生產(chǎn)過程，在這個生產(chǎn)過程中，引線框是需要用到的非常重要的部件之一。

2、晶粒的尺寸通常很小，但具有較多的需要與外部電路電氣連接的端口，這些端口限于晶粒過小的尺寸，無法直接與外部電路電氣連接，因此，在對晶粒進(jìn)行封裝時，就需要借助引線框?qū)⑵湫枰c外部電路電氣連接的端口引出，以讓封裝后形成的芯片能直接與外部電路電氣連接。

3、專利號為zl201710677235.8的中國專利公開了一種引線框制作工藝，其在兩次蝕刻后形成設(shè)計線路，設(shè)計線路在頂面和底面的橫向?qū)挾纫恢?，其?cè)面是平直的（見該專利的說明書附圖3的d部分），在作芯片封裝過程中，貼晶粒、焊線后需要注塑形成膠殼保護(hù)晶粒和焊線，注塑過程中有注塑壓力，注塑壓力從上往下施加給定位架，定位架僅與設(shè)計線路平直的側(cè)面結(jié)合，結(jié)合力較差，承受上述注塑壓力后可能會向下位移，導(dǎo)致芯片產(chǎn)品的可靠性降低，定位架向下位移后與外腳平齊，導(dǎo)致外腳沒有向下凸出，在后續(xù)smt工序中，外腳不容易形成爬錫，焊接可靠性也降低了。雖然這種引線框能應(yīng)用在大多數(shù)ic產(chǎn)品，但對于高封裝可靠性要求的車載產(chǎn)品，可靠性方面還存在一些不足。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供的引線框制作工藝及引線框，封裝的芯片可靠性較高。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案。

3、1、引線框制作工藝，包括以下步驟：

4、第一次蝕刻：根據(jù)引線框的設(shè)計線路，從金屬基板頂面縱向?qū)λ鲈O(shè)計線路以外的區(qū)域進(jìn)行半蝕刻，半蝕刻指未蝕穿；

5、填膠：在半蝕刻的部位填充絕緣塑膠形成定位架，以定位所述設(shè)計線路；

6、第二次蝕刻：從金屬基板底面縱向蝕刻，將第一次蝕刻步驟中半蝕刻的位置蝕穿；

7、從金屬基板底面對相應(yīng)區(qū)域的蝕刻面積小于從金屬基板頂面對相應(yīng)區(qū)域的蝕刻面積，以使所述設(shè)計線路底部橫向凸出形成扣膠橫凸。

8、引線框用于芯片封裝時，在頂面貼上晶粒并焊線后即進(jìn)行塑封，塑封是從頂面注塑形成芯片的膠殼，以保護(hù)晶粒和焊線的線路，注塑過程中有注塑壓力，這個注塑壓力上往下施加給定位架，設(shè)計線路在底面的橫向?qū)挾却笥谄湓陧斆娴臋M向?qū)挾?，底部形成有扣膠橫凸，設(shè)計線路的縱向截面類似倒t形，扣膠橫凸在定位架底面托住定位架，以使定位架在承受上述注塑壓力時不會往下位移，這樣一方面提高芯片的可靠性，另一方面定位架不會與設(shè)計線路在底面的部分平齊，設(shè)計線路底面的部分區(qū)域為外腳，外腳向下凸出來，在后續(xù)的smt工序中，外腳容易形成爬錫，焊接可靠性更高。

9、2、在技術(shù)方案1的基礎(chǔ)上，所述設(shè)計線路包括引腳和用于貼晶片的基座，填膠步驟之后，在引腳頂面制作形成向上凸起且導(dǎo)電的第一扣膠凸起，第一扣膠凸起橫向伸出卡住定位架。填膠形成定位架后，通常會對頂面進(jìn)行打磨拋光，以清除溢膠，頂面因此被磨平，在頂面貼上晶粒并焊線后進(jìn)行塑封時，塑封形成的膠殼與引線框頂面的結(jié)合面是平面，結(jié)合力較差，容易發(fā)生橫向位移，降低了芯片的可靠性。在設(shè)計線路頂面部分區(qū)域（即內(nèi)腳）制作形成第一扣膠凸起，第一扣膠凸起插入塑封后形成的膠殼里，膠殼與引線框頂面的結(jié)合面不是平面，有凹凸，因此結(jié)合力較強，膠殼不容易發(fā)生橫向位移，提高了芯片的可靠性。

10、3、在技術(shù)方案2的基礎(chǔ)上，第一扣膠凸起的縱向厚度為5μm-150μm，橫向伸出至定位架上方的橫向?qū)挾葹?μm-200μm。

11、4、在技術(shù)方案2的基礎(chǔ)上，第一扣膠凸起由電鍍工藝制成。電鍍是制作引線框的必備工序，采用電鍍工藝來制作第一扣膠凸起，可以節(jié)省工序，不需要額外再設(shè)計工序來制作。

12、5、在技術(shù)方案4的基礎(chǔ)上，電鍍銅或鎳形成第一扣膠凸起，在第一扣膠凸起上再電鍍銀或鎳鈀金形成焊線面。內(nèi)腳通常需要電鍍形成焊線面，焊線面的厚度通常比較薄，無法充當(dāng)?shù)谝豢勰z凸起，而且焊線面通常要使用銀或鎳鈀金等貴金屬來電鍍形成，如電鍍較厚的焊線面來同時充當(dāng)?shù)谝豢勰z凸起，成本較高。因此先電鍍銅或鎳形成第一扣膠凸起，再在其上電鍍銀或鎳鈀金形成焊線面，以此降低成本。

13、6、在技術(shù)方案1的基礎(chǔ)上，第一次蝕刻步驟中，遮擋金屬基板頂面所述設(shè)計線路以外的部分區(qū)域，該部分區(qū)域位于扣膠橫凸正上方，蝕刻時將該部分區(qū)域在縱向上側(cè)蝕斷，以在扣膠橫凸上形成向上凸起的第二扣膠凸起。填膠形成定位架后，第二扣膠凸起是插入定位架中的，可進(jìn)一步增加定位架與設(shè)計線路的結(jié)合力，不容易松動或斷裂，提高封裝的芯片的可靠性。

14、7、在技術(shù)方案1的基礎(chǔ)上，第一次蝕刻步驟中，半蝕刻的蝕刻深度為金屬基板厚度的1/2-4/5。

15、8、引線框，采用技術(shù)方案1-7所述的制作工藝制成，包括設(shè)計線路和定位架，設(shè)計線路底部橫向凸出形成扣膠橫凸，以卡住定位架底面阻止定位架向下位移。

16、9、在技術(shù)方案8的基礎(chǔ)上，所述設(shè)計線路包括引腳和用于貼晶片的基座，引腳頂面設(shè)有向上凸起且導(dǎo)電的第一扣膠凸起，第一扣膠凸起橫向伸出卡住定位架。

17、10、在技術(shù)方案8的基礎(chǔ)上，扣膠橫凸上設(shè)有向上凸起插入定位架的第二扣膠凸起。

技術(shù)特征：

1.引線框制作工藝，其特征是，包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的引線框制作工藝，其特征是，所述設(shè)計線路包括引腳和用于貼晶片的基座，填膠步驟之后，在引腳頂面制作形成向上凸起且導(dǎo)電的第一扣膠凸起，第一扣膠凸起橫向伸出卡住定位架。

3.如權(quán)利要求2所述的引線框制作工藝，其特征是，第一扣膠凸起的縱向厚度為5μm-150μm，橫向伸出至定位架上方的橫向?qū)挾葹?μm-200μm。

4.如權(quán)利要求2所述的引線框制作工藝，其特征是，第一扣膠凸起由電鍍工藝制成。

5.如權(quán)利要求4所述的引線框制作工藝，其特征是，電鍍銅或鎳形成第一扣膠凸起，在第一扣膠凸起上再電鍍銀或鎳鈀金形成焊線面。

6.如權(quán)利要求1所述的引線框制作工藝，其特征是，第一次蝕刻步驟中，遮擋金屬基板頂面所述設(shè)計線路以外的部分區(qū)域，該部分區(qū)域位于扣膠橫凸正上方，蝕刻時將該部分區(qū)域在縱向上側(cè)蝕斷，以在扣膠橫凸上形成向上凸起的第二扣膠凸起。

7.如權(quán)利要求1所述的引線框制作工藝，其特征是，第一次蝕刻步驟中，半蝕刻的蝕刻深度為金屬基板厚度的1/2-4/5。

8.引線框，其特征是，采用權(quán)利要求1-7所述的制作工藝制成，包括設(shè)計線路和定位架，設(shè)計線路底部橫向凸出形成扣膠橫凸，以卡住定位架底面阻止定位架向下位移。

9.如權(quán)利要求8所述的引線框，其特征是，所述設(shè)計線路包括引腳和用于貼晶片的基座，引腳頂面設(shè)有向上凸起且導(dǎo)電的第一扣膠凸起，第一扣膠凸起橫向伸出卡住定位架。

10.如權(quán)利要求8所述的引線框，其特征是，扣膠橫凸上設(shè)有向上凸起插入定位架的第二扣膠凸起。

技術(shù)總結(jié)
引線框制作工藝及引線框，涉及引線框技術(shù)領(lǐng)域。引線框包括設(shè)計線路和定位架，設(shè)計線路底部橫向凸出形成扣膠橫凸。制作工藝包括：第一次蝕刻，根據(jù)引線框的設(shè)計線路，從金屬基板頂面縱向?qū)λ鲈O(shè)計線路以外的區(qū)域進(jìn)行半蝕刻，半蝕刻指未蝕穿；填膠，在半蝕刻的部位填充絕緣塑膠形成定位架，以定位所述設(shè)計線路；第二次蝕刻，從金屬基板底面縱向蝕刻，將第一次蝕刻步驟中半蝕刻的位置蝕穿；從金屬基板底面對相應(yīng)區(qū)域的蝕刻面積小于從金屬基板頂面對相應(yīng)區(qū)域的蝕刻面積，以使所述設(shè)計線路底部橫向凸出形成扣膠橫凸?？勰z橫凸在定位架底面托住定位架，以使定位架在承受注塑壓力時不會往下位移，提高芯片的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：林英洪,楊小凡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英通微創(chuàng)新技術(shù)（東莞）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/28