本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。ic材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic發(fā)展的過程中，功能密度(即，每芯片區(qū)的互連器件的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件(或線))已經(jīng)減小。這種縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。這樣的縮小也增加了處理和制造ic的復(fù)雜性。

2、例如，隨著ic技術(shù)朝著更小的節(jié)點(diǎn)發(fā)展，已經(jīng)引入了多柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(多柵極mosfet或多柵極器件)，以通過增加?xùn)艠O-溝道耦合、減小截止?fàn)顟B(tài)電流以及減小短溝道效應(yīng)(sce)來改進(jìn)柵極控制。多柵極器件通常是指具有設(shè)置在溝道區(qū)域的多于一側(cè)上方的柵極結(jié)構(gòu)或其部分的器件。鰭狀場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)和多橋溝道(mbc)晶體管是多柵極器件的實(shí)例，多柵極器件已經(jīng)成為用于高性能和低泄漏應(yīng)用的流行和有前途的候選器件。finfet具有在多于一側(cè)上由柵極包裹的升高溝道(例如，柵極包裹從襯底延伸的半導(dǎo)體材料“鰭”的頂部和側(cè)壁)。mbc晶體管具有可以部分或完全在溝道區(qū)域周圍延伸以在兩側(cè)或多側(cè)上提供對(duì)溝道區(qū)域的訪問的柵極結(jié)構(gòu)。因?yàn)槠鋿艠O結(jié)構(gòu)圍繞溝道區(qū)域，所以mbc晶體管也可以稱為圍繞柵極晶體管(sgt)或全環(huán)柵(gaa)晶體管。

3、為了改進(jìn)mbc晶體管的性能，投入努力以在源極/漏極區(qū)域中開發(fā)使溝道應(yīng)變并且抑制襯底電流泄漏的部件和結(jié)構(gòu)。雖然源極/漏極區(qū)域中的傳統(tǒng)部件和結(jié)構(gòu)通常足以滿足其預(yù)期目的，但是它們并不是在所有方面都令人滿意。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：將具有(110)取向的第一半導(dǎo)體襯底接合在具有(100)取向的第二半導(dǎo)體襯底上；在所述第一半導(dǎo)體襯底上方形成堆疊件，所述堆疊件包括與多個(gè)犧牲層交錯(cuò)的多個(gè)溝道層；圖案化所述堆疊件以形成鰭形結(jié)構(gòu)，所述鰭形結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)域和源極/漏極區(qū)域；在所述鰭形結(jié)構(gòu)的所述溝道區(qū)域上方形成偽柵極堆疊件；在所述偽柵極堆疊件上方沉積柵極間隔件層；使所述源極/漏極區(qū)域凹進(jìn)以形成暴露所述多個(gè)溝道層和所述多個(gè)犧牲層的側(cè)壁的源極/漏極溝槽；使所述多個(gè)犧牲層部分凹進(jìn)以形成多個(gè)內(nèi)部間隔件凹槽；在所述多個(gè)內(nèi)部間隔件凹槽中形成多個(gè)內(nèi)部間隔件部件；在所述源極/漏極溝槽中形成介電膜；在所述介電膜上方外延生長(zhǎng)外延部件，所述外延部件與所述多個(gè)溝道層接觸，所述外延部件具有(110)取向；在形成所述外延部件之后，去除所述偽柵極堆疊件；釋放所述溝道區(qū)域中的所述多個(gè)溝道層作為多個(gè)溝道構(gòu)件；以及形成包裹所述多個(gè)溝道構(gòu)件的每個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成混合襯底，所述混合襯底具有：具有位于(100)晶面中的頂面的第一區(qū)域和具有位于(110)晶面中的頂面的第二區(qū)域；圖案化所述第二區(qū)域以形成鰭形襯底；形成設(shè)置在所述鰭形襯底上方的多個(gè)溝道構(gòu)件；形成與所述多個(gè)溝道構(gòu)件交錯(cuò)的多個(gè)內(nèi)部間隔件部件；在所述多個(gè)內(nèi)部間隔件部件上和所述鰭形襯底的頂面上方沉積介電材料層；回蝕所述介電材料層以形成介電膜；在所述介電膜上方沉積外延部件，所述外延部件與所述多個(gè)溝道構(gòu)件接觸，所述外延部件具有位于(110)晶面中的頂面；以及形成包裹所述多個(gè)溝道構(gòu)件的每個(gè)的柵極結(jié)構(gòu)。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：鰭形基底，從半導(dǎo)體襯底突出，所述鰭形基底的頂面位于(110)晶面中；多個(gè)溝道構(gòu)件，設(shè)置在所述鰭形基底的所述頂面上方；多個(gè)內(nèi)部間隔件部件，與所述多個(gè)溝道構(gòu)件交錯(cuò)；柵極結(jié)構(gòu)，包裹所述多個(gè)溝道構(gòu)件的每個(gè)；源極/漏極部件，與所述多個(gè)溝道構(gòu)件和所述多個(gè)內(nèi)部間隔件部件接觸，所述源極/漏極部件的頂面位于(110)晶面中；以及介電膜，直接位于所述源極/漏極部件下方和所述鰭形基底的所述頂面之上。

技術(shù)特征：

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述基底外延層沒有摻雜劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述基底外延層具有(110)取向。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述堆疊件中的所述溝道層具有(110)取向。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述堆疊件中的所述犧牲層具有(110)取向。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外延部件摻雜有p型摻雜劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述外延部件包括硅鍺。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件及其形成方法。根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的方法包括：將具有(110)取向的第一半導(dǎo)體襯底接合在具有(100)取向的第二半導(dǎo)體襯底上；在第一半導(dǎo)體襯底上方形成堆疊件，堆疊件包括與多個(gè)犧牲層交錯(cuò)的多個(gè)溝道層；圖案化堆疊件以形成鰭形結(jié)構(gòu)，鰭形結(jié)構(gòu)包括溝道區(qū)域和源極/漏極區(qū)域；使源極/漏極區(qū)域凹進(jìn)以形成源極/漏極溝槽；在源極/漏極溝槽中形成介電膜；以及在介電膜上方外延生長(zhǎng)外延部件，外延部件與多個(gè)溝道層接觸。外延部件具有(110)取向。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

技術(shù)研發(fā)人員：閔偉倫,劉昌淼,尚慧玲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19