本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及集成芯片及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)代集成芯片使用廣泛的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)變化的功能。通常，集成芯片包括有源器件和無(wú)源器件。有源器件包括晶體管(例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet))，而無(wú)源器件包括電感器、電容器和電阻器。電阻器廣泛用于許多應(yīng)用中，諸如電阻器-電容器(rc)電路、電源驅(qū)動(dòng)器、電源放大器、射頻(rf)應(yīng)用等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種集成芯片，包括：薄膜電阻器(tfr)層，位于半導(dǎo)體襯底上面；第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述薄膜電阻器層的外部區(qū)域上，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括與垂直部分相鄰的橫向部分，其中，所述垂直部分的高度大于所述橫向部分的高度；以及覆蓋結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述薄膜電阻器層的中間區(qū)域上，并且鄰接所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所述垂直部分。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種集成芯片，包括：第一介電層，位于半導(dǎo)體襯底上面；電阻器結(jié)構(gòu)，位于所述第一介電層上面，其中，所述電阻器結(jié)構(gòu)包括薄膜電阻器(tfr)層和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對(duì)，其中，所述薄膜電阻器層包括在外部區(qū)域?qū)χg延伸的中間區(qū)域，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于所述外部區(qū)域上面；第二介電層，位于所述薄膜電阻器層上面并且在所述薄膜電阻器層周圍延伸；以及覆蓋結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述薄膜電阻器層的所述中間區(qū)域上并且在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間延伸，其中，所述第二介電層的下表面通過(guò)所述覆蓋結(jié)構(gòu)與所述薄膜電阻器層垂直間隔開(kāi)。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種形成集成芯片的方法，包括：在半導(dǎo)體襯底上方形成薄膜電阻器(tfr)層；在所述薄膜電阻器層的中間區(qū)域上方形成覆蓋結(jié)構(gòu)；在所述薄膜電阻器層和所述覆蓋結(jié)構(gòu)上方沉積導(dǎo)電層和蝕刻停止層；以及對(duì)所述導(dǎo)電層和所述蝕刻停止層實(shí)施第一圖案化工藝，從而在所述薄膜電阻器層的外部區(qū)域上限定導(dǎo)電結(jié)構(gòu)對(duì)，其中，在所述第一圖案化工藝期間，所述覆蓋結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述薄膜電阻器層上。

技術(shù)特征：

1.一種集成芯片，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述覆蓋結(jié)構(gòu)直接接觸所述垂直部分的第一側(cè)壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成芯片，其中，所述垂直部分的所述第一側(cè)壁包括筆直段上方的彎曲段。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成芯片，其中，所述橫向部分的第二側(cè)壁是彎曲的。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成芯片，其中，所述第二側(cè)壁的高度大于所述第一側(cè)壁的所述筆直段的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的寬度大于所述薄膜電阻器層的所述中間區(qū)域的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成芯片，其中，所述垂直部分的第一側(cè)壁是筆直的。

9.一種集成芯片，包括：

10.一種形成集成芯片的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施例針對(duì)包括位于半導(dǎo)體襯底上面的薄膜電阻器(TFR)層的集成芯片。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在TFR層的外部區(qū)域上。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括與垂直部分相鄰的橫向部分。垂直部分的高度大于橫向部分的高度。覆蓋結(jié)構(gòu)設(shè)置在TFR層的中間區(qū)域上，并且鄰接第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的垂直部分。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及集成芯片及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：郭俊聰,徐鴻文,盧玠甫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19