本申請的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷改進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，集成密度的改進(jìn)源于最小部件尺寸的迭代減小，這允許更多的組件集成至給定區(qū)中。隨著對縮小電子器件需求增長，出現(xiàn)了對半導(dǎo)體管芯的更小且更具創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需求。這樣的封裝系統(tǒng)的實(shí)例是層疊封裝(pop)技術(shù)。在pop器件中，頂部半導(dǎo)體封裝件堆疊在底部半導(dǎo)體封裝件的頂部上，以提供高集成水平和組件密度。pop技術(shù)通常使得能夠在印刷電路板(pcb)上生產(chǎn)具有增強(qiáng)功能和小覆蓋區(qū)的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一管芯，包括：襯底，包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；有源器件，位于所述襯底的所述第一表面上；第一互連結(jié)構(gòu)，位于所述襯底的所述第一表面上；襯底通孔，穿過所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底延伸至所述襯底的所述第二表面，所述襯底通孔電耦合至所述第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案；以及一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，從所述襯底的所述第二表面延伸至所述襯底中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與所述襯底通孔電隔離。

2、本申請的另一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括襯底的第一管芯，所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；在所述襯底的所述第一表面上形成有源器件；在所述襯底的所述第一表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；形成穿過所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底延伸至所述襯底的所述第二表面的襯底通孔，所述襯底通孔電耦合至所述第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案；以及形成從所述襯底的所述第二表面延伸至所述襯底中的一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與所述襯底通孔電隔離。

3、本申請的又一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面的第一管芯，其中，形成所述第一管芯包括：在第一襯底上方形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案；形成穿過所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第一襯底的襯底通孔；在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底通孔上方形成接合焊盤，所述接合焊盤位于所述第一管芯的所述第一表面上；在所述第一管芯的所述第二表面中形成溝槽；用第一材料填充所述第一管芯的所述第二表面中的所述溝槽；使所述第一管芯的所述第二表面凹進(jìn)以暴露所述襯底通孔；以及在所述第一管芯的所述凹進(jìn)的第二表面上形成接合焊盤；以及將所述第一管芯的所述接合焊盤直接接合至第二管芯的接合焊盤。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)包括介電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)形成翹曲調(diào)整結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述襯底的所述第一表面移動至所述第二表面，所述襯底通孔的所述寬度減小。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例是包括第一管芯的器件，并且襯底包括第一表面和與第一表面相對的第二表面。器件也包括位于襯底的第一表面上的有源器件。器件也包括位于襯底的第一表面上的第一互連結(jié)構(gòu)。器件也包括穿過第一互連結(jié)構(gòu)和襯底延伸至襯底的第二表面的襯底通孔，襯底通孔電耦合至第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案。器件也包括從襯底的第二表面延伸至襯底中的一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與襯底通孔電隔離。本申請的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：文克剛,吳于貝,王良瑋,陳鑫封,蕭琮介,蘇致銓,陳殿豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19