本申請的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體集成電路(ic)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)級增長。ic材料和設(shè)計(jì)中的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)產(chǎn)生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。在ic發(fā)展的過程中，功能密度(即，每芯片區(qū)的互連器件的數(shù)量)普遍增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝創(chuàng)建的最小組件(或線))已經(jīng)減小。這種縮小工藝通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供益處。這種按比例縮小的過程通常通過提高生產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本來提供好處。這樣的縮小也增加了ic結(jié)構(gòu)(諸如三維晶體管)和處理的復(fù)雜性，并且為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)步，需要ic處理和制造中類似的發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體層；第一外延源極/漏極部件，延伸至所述半導(dǎo)體層中；第一摻雜區(qū)域，位于所述第一外延源極/漏極部件之下的所述半導(dǎo)體層中，所述第一摻雜區(qū)域包括第一濃度的摻雜劑；第二外延源極/漏極部件，延伸至所述半導(dǎo)體層中；以及第二摻雜區(qū)域，位于所述第二外延源極/漏極部件之下的所述半導(dǎo)體層中，所述第二摻雜區(qū)域包括小于所述第一濃度的第二濃度的所述摻雜劑。

2、本申請的另一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體層；第一源極/漏極部件，延伸至所述半導(dǎo)體層中；第一阻擋層，位于所述第一源極/漏極部件之下，所述第一阻擋層設(shè)置在遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的頂面的第一距離處，并且包括第一濃度的摻雜劑；第二源極/漏極部件，延伸至所述半導(dǎo)體層中；以及第二阻擋層，位于所述第二源極/漏極部件之下，所述第二阻擋層設(shè)置在遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的所述頂面的第二距離處，并且包括第二濃度的所述摻雜劑，其中，所述第一距離小于所述第二距離。

3、本申請的又一些實(shí)施例提供了一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：實(shí)施第一蝕刻工藝以在鄰近柵極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層中形成凹槽；在所述凹槽中形成摻雜層；實(shí)施第二蝕刻工藝以橫向擴(kuò)展所述凹槽的部分；以及在所述凹槽中形成源極/漏極部件，其中，所述源極/漏極部件的底面接觸所述摻雜層。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延源極/漏極部件的底面和所述半導(dǎo)體層的頂面之間的第一距離小于所述第二外延源極/漏極部件的底面和所述半導(dǎo)體層的所述頂面之間的第二距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一摻雜區(qū)域和所述半導(dǎo)體層的頂面之間的第一距離小于所述第二摻雜區(qū)域和所述半導(dǎo)體層的所述頂面之間的第二距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一摻雜區(qū)域具有第一厚度，并且所述第二摻雜區(qū)域具有小于所述第一厚度的第二厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延源極/漏極部件和所述第二外延源極/漏極部件包括硅鍺，并且其中，所述摻雜劑包括硼。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延源極/漏極部件包括第三濃度的鍺，并且所述第二外延源極/漏極部件包括小于所述第三濃度的第四濃度的鍺。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延源極/漏極部件的第一寬度和所述第二外延源極/漏極部件的第二寬度每個(gè)分別在從所述半導(dǎo)體層的頂面朝著所述第一摻雜區(qū)域和所述第二摻雜區(qū)域的方向上增加然后減小。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一寬度具有第一最大值，并且所述第二寬度具有大于所述第一最大值的第二最大值。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

10.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底以及延伸至半導(dǎo)體層中的第一外延源極/漏極部件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于第一外延源極/漏極部件之下的半導(dǎo)體層中的第一摻雜區(qū)域。第一摻雜區(qū)域包括第一濃度的摻雜劑。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括延伸至半導(dǎo)體層中的第二外延源極/漏極部件。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括位于第二外延源極/漏極部件之下的半導(dǎo)體層中的第二摻雜區(qū)域。第二摻雜區(qū)域包括小于第一濃度的第二濃度的摻雜劑。本申請的實(shí)施例還涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：許辰安,李建緯,鄭安皓,林彥良,蕭茹雄,鐘偉綸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19