本申請涉及平板探測，具體而言，涉及一種平板探測器。

背景技術(shù)：

1、近年來，隨著醫(yī)療影像fpxd(flat?panel?x-ray?detector，醫(yī)療平板x光探測器)技術(shù)的快速發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域從最初的人體胸片拍攝，逐漸延伸至乳腺、牙科等醫(yī)學(xué)上的應(yīng)用，工業(yè)領(lǐng)域發(fā)展也較為迅猛，例如，工業(yè)鋰電池，mems(micro-electro-mechanicalsystem，微機(jī)電系統(tǒng))等芯片無損探傷等。

2、目前，fpxd器件中的像素填充率較低，導(dǎo)致像素靈敏度等特性指標(biāo)受到影響。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請在于提供一種平板探測器，旨在提升平板探測器的像素填充率。

2、本申請實施例第一方面提供一種平板探測器，包括：

3、像素區(qū)以及綁定區(qū)；

4、所述平板探測器在所述像素區(qū)包括：

5、襯底；

6、多個薄膜晶體管，設(shè)置在所述襯底的一側(cè)，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極；

7、光電轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述薄膜晶體管背離所述襯底的一側(cè)；

8、柵極走線，設(shè)置在所述襯底背離所述薄膜晶體管的一側(cè)，所述柵極走線通過開設(shè)在所述襯底上的多個第一通孔與各個所述薄膜晶體管的所述柵極連接；

9、其中，所述光電轉(zhuǎn)換層在所述襯底上的正投影與所述柵極走線在所述襯底上的正投影至少部分交疊。

10、可選地，所述第一通孔的內(nèi)壁相對于所述襯底的厚度方向傾斜設(shè)置。

11、可選地，所述第一通孔的內(nèi)壁與所述襯底的厚度方向之間的夾角為大于或等于9°，且小于或等于20°。

12、可選地，所述第一通孔的直徑為大于或等于2μm，且小于或等于8μm。

13、可選地，所述平板探測器在綁定區(qū)包括綁定走線；

14、所述柵極走線通過開設(shè)在所述襯底上的第一通孔與所述綁定走線連接。

15、可選地，所述平板探測器還包括：

16、源漏極信號線，設(shè)置在所述襯底上所述薄膜晶體管所在的一側(cè)，所述源漏極信號線的延伸方向與所述柵極走線的延伸方向相垂直，且所述源漏極信號線與所述漏極連接。

17、可選地，所述平板探測器還包括：

18、源漏極信號線，設(shè)置在所述柵極走線背離所述襯底的一側(cè)，所述源漏極信號線的延伸方向與所述柵極走線的延伸方向相垂直；

19、所述源漏極信號線通過開設(shè)在所述襯底上的多個第二通孔與各個所述薄膜晶體管的所述漏極連接。

20、可選地，所述柵極走線在所述襯底上的正投影與所述第二通孔在所述襯底上的正投影無交疊。

21、可選地，所述柵極走線包括多個直線段以及多個彎折段，其中，相鄰的兩個所述彎折段通過一個所述直線段連接。

22、可選地，所述第二通孔的直徑小于所述第一通孔的直徑。

23、可選地，所述第二通孔的直徑為大于或等于2μm，且小于或等于6μm。。

24、有益效果：

25、本申請?zhí)峁┮环N平板探測器，平板探測器包括襯底、多個薄膜晶體管、光電轉(zhuǎn)換層和柵極走線，其中柵極走線設(shè)置在襯底背離薄膜晶體管的一側(cè)，且柵極走線通過開設(shè)在襯底上的第一通孔與薄膜晶體管中的柵極連接，且光電轉(zhuǎn)換層在襯底上的正投影與柵極走線在襯底上的正投影至少部分交疊；將柵極走線布置在襯底的另一側(cè)后，在形成光電轉(zhuǎn)換層的過程中便可以使得光電轉(zhuǎn)換層填充的位置與柵極走線的位置不相干涉，從而提升像素區(qū)的像素填充率，提升平板探測器的像素靈敏度。

技術(shù)特征：

1.一種平板探測器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述平板探測器還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述平板探測器還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板探測器，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的平板探測器，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板探測器，其特征在于：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的平板探測器，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N平板探測器，屬于平板探測技術(shù)領(lǐng)域，包括：像素區(qū)以及綁定區(qū)；所述平板探測器在所述像素區(qū)包括：襯底；多個薄膜晶體管，設(shè)置在所述襯底的一側(cè)，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極；光電轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述薄膜晶體管背離所述襯底的一側(cè)；柵極走線，設(shè)置在所述襯底背離所述薄膜晶體管的一側(cè)，所述柵極走線通過開設(shè)在所述襯底上的多個第一通孔與各個所述薄膜晶體管的所述柵極連接；其中，所述光電轉(zhuǎn)換層在所述襯底上的正投影與所述柵極走線在所述襯底上的正投影至少部分交疊。通過本申請?zhí)峁┑囊环N平板探測器，可以提升平板探測器的像素填充率。

技術(shù)研發(fā)人員：吳申康,陳佳楠,張鵬,孫亮,王震,李文龍,王志敏,李曉東,趙明佳,謝冠亞,李良杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10