本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置、半導(dǎo)體工藝設(shè)備以及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣控制方法。

背景技術(shù)：

1、hdp(high-density?plasma，高密度等離子體)工藝作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵一環(huán)，其核心在于通過高密度等離子體的作用，實現(xiàn)晶圓表面材料的精確刻蝕與沉積。

2、現(xiàn)有的hdp設(shè)備的進氣裝置導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的反應(yīng)氣體并不均勻，在hdp工藝過程中，為了確保晶圓厚度形貌(thk?profile)的均一性，需頻繁進行開腔操作以更換并調(diào)整噴嘴口徑，進而精確控制局部反應(yīng)氣體流量。

3、由于hdp設(shè)備的特殊結(jié)構(gòu)構(gòu)造，每次開腔前的準備工作及關(guān)腔后的復(fù)機流程均顯復(fù)雜且耗時較長，此狀況對工藝研發(fā)進度及機臺設(shè)備的穩(wěn)定性構(gòu)成了顯著制約。此外，頻繁的開關(guān)腔操作還易引發(fā)一系列潛在問題，諸如顆粒(particle)數(shù)量超標、關(guān)鍵部件因頻繁暴露于空氣中而受損等。

4、因此，目前亟需一種在不需開腔的條件下，仍能有效控制、調(diào)節(jié)局部反應(yīng)氣體流量的方法或設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備在不開腔的條件下難以有效控制、調(diào)節(jié)局部反應(yīng)氣體流量的問題。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，包括進氣環(huán)：

3、所述進氣環(huán)，內(nèi)部設(shè)置單層勻氣道；

4、所述單層勻氣道，外側(cè)設(shè)置若干個第一進氣孔，用于通入氣體；

5、所述單層勻氣道，內(nèi)側(cè)設(shè)置若干簇噴嘴，用于將氣體噴出；

6、其中，每一個進氣孔與一簇噴嘴相對應(yīng)，每一簇噴嘴的數(shù)量相等或不等。

7、在一些實施例中，各簇噴嘴在勻氣道內(nèi)均相互獨立分割。

8、在一些實施例中，所述單層勻氣道，設(shè)置若干出氣孔，用于安裝噴嘴。

9、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，包括進氣環(huán)：

10、所述進氣環(huán)，外側(cè)設(shè)置若干個第一進氣孔，用于通入氣體；

11、所述進氣環(huán)，內(nèi)側(cè)設(shè)置若干個噴嘴，用于將氣體噴出；

12、其中，每一個進氣孔與一個噴嘴相對應(yīng)。

13、在一些實施例中，所述進氣裝置，還包括下腔室：

14、所述下腔室與進氣環(huán)相連接，下腔室設(shè)置在進氣環(huán)下側(cè)；

15、所述下腔室設(shè)置若干個第二進氣孔，下腔室的第二進氣孔的數(shù)量、位置與勻氣道的第一進氣孔相對應(yīng)。

16、在一些實施例中，每一個第二進氣孔分別與一個流量閥連接：

17、所述流量閥，用于調(diào)節(jié)第二進氣孔的進氣流量，進而調(diào)節(jié)噴嘴的進氣流量。

18、在一些實施例中，所述流量閥為針閥。

19、在一些實施例中，所述第一進氣孔的數(shù)量為6、8、12或24個；

20、每一簇噴嘴的數(shù)量為4、3、2或1個。

21、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，至少包括如上所述的進氣裝置。

22、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣控制方法，采用如上述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置實現(xiàn)，包括以下步驟：

23、步驟s1，測量晶圓厚度形貌；

24、步驟s2，基于步驟s1獲得的測量數(shù)據(jù)，判斷晶圓表面的膜厚均一性是否超出既定的工藝范圍需求；

25、步驟s3，如果晶圓的某一位置的膜厚超出工藝范圍需求，則對相應(yīng)位置的噴嘴所連接的流量閥進行調(diào)整，以實現(xiàn)對氣體流量的控制，調(diào)整完成后重復(fù)執(zhí)行步驟s1，以持續(xù)監(jiān)測晶圓表面的膜厚均一性；

26、步驟s4，如果晶圓表面的膜厚均一性滿足既定的工藝范圍需求，則維持當(dāng)前的氣體流量，直至整個工藝結(jié)束。

27、本發(fā)明提出的一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置、半導(dǎo)體工藝設(shè)備以及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣控制方法，能夠在不開啟腔室的條件下，精確且高效地實現(xiàn)對局部反應(yīng)氣體流量的控制與調(diào)節(jié)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，包括進氣環(huán)：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，各簇噴嘴在勻氣道內(nèi)均相互獨立分割。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，所述單層勻氣道，設(shè)置若干出氣孔，用于安裝噴嘴。

4.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，包括進氣環(huán)：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，還包括下腔室：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，每一個第二進氣孔分別與一個流量閥連接：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，所述流量閥為針閥。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，其特征在于，所述第一進氣孔的數(shù)量為6、8、12或24個；

9.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，至少包括如權(quán)利要求1至8中任一項所述的進氣裝置。

10.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣控制方法，采用如權(quán)利要求6或權(quán)利要求7中任一項所述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置實現(xiàn)，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，包括進氣環(huán)：所述進氣環(huán)，內(nèi)部設(shè)置單層勻氣道；所述單層勻氣道，外側(cè)設(shè)置若干個第一進氣孔，用于通入氣體；所述單層勻氣道，內(nèi)側(cè)設(shè)置若干簇噴嘴，用于將氣體噴出；其中，每一個進氣孔與一簇噴嘴相對應(yīng)，每一簇噴嘴的數(shù)量相等或不等。本發(fā)明提出的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的進氣裝置，能夠在不開啟腔室的條件下，精確且高效地實現(xiàn)對局部反應(yīng)氣體流量的控制與調(diào)節(jié)，有效地解決了在工藝開發(fā)過程中，因頻繁調(diào)整噴嘴口徑而必須不斷開關(guān)腔室所導(dǎo)致的問題，顯著提升了設(shè)備的整體穩(wěn)定性與可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：王春曉,閆寧,孫鴻智
受保護的技術(shù)使用者：拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10