本發(fā)明涉及電磁自屏蔽封裝接地，尤其涉及一種電磁自屏蔽封裝接地結構及其生產(chǎn)工藝方法。

背景技術：

1、目前封裝級電磁屏蔽設計主要是在芯片塑封后利用磁控濺射的方式在封裝外表面濺射金屬鍍層，一般是不銹鋼-銅-不銹鋼結構，利用金屬銅層對高頻信號的電磁波吸收和反射，實現(xiàn)封裝級電磁自屏蔽效果；但是，這種方案主要適用于帶有塑封外殼的fccsp(倒裝芯片級)封裝，而對于帶有金屬外殼封裝的fcbga(倒裝芯片球柵陣列封裝)方案不適用；另一方面，fcbga封裝本身是帶有散熱金屬外殼，但由于尺寸較大，往往是通過樹脂膠與基板形成粘接，因此沒有接地，不能實現(xiàn)電磁屏蔽的功能。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種電磁自屏蔽封裝接地結構及其生產(chǎn)工藝方法。

2、為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：

3、第一方面，本發(fā)明實施例提供一種電磁自屏蔽封裝接地結構，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設有地屏蔽墻，且所述基板的上表面對應于所述地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使所述地屏蔽墻的金屬銅面露出，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，所述金屬蓋用于遮蓋所述主控芯片且連接于所述凹槽，以使所述金屬蓋的側壁接觸于所述金屬銅面形成電連接。

4、在一具體實施例中，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤通過打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結構，即所述地屏蔽墻。

5、在一具體實施例中，所述主控芯片通過導電柱連接于所述基板。

6、在一具體實施例中，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

7、在一具體實施例中，所述金屬蓋的側壁與所述金屬銅面之間還填充有導電銀漿。

8、在一具體實施例中，所述金屬蓋通過粘接劑連接于所述凹槽的底面。

9、在一具體實施例中，所述金屬蓋為帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋。

10、在一具體實施例中，所述帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋與所述主控芯片之間還設有導熱膠層。

11、在一具體實施例中，所述基板的下表面設有錫球。

12、本發(fā)明的電磁自屏蔽封裝接地結構，與現(xiàn)有技術相比的有益效果是：通過設計包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝接地結構，并在基板的上表面對應于地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使地屏蔽墻的金屬銅面露出，金屬蓋的側壁接觸于金屬銅面形成電連接，即形成了一個封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

13、第二方面，本發(fā)明實施例提供一種電磁自屏蔽封裝接地結構的生產(chǎn)工藝方法，包括以下步驟：

14、制作具有地屏蔽墻的基板；

15、在基板位于地屏蔽墻的上表面開設凹槽，以使地屏蔽墻的金屬銅面露出；

16、將主控芯片安裝于基板的上表面，并在主控芯片與基板之間填充底部填充料；

17、在金屬蓋與主控芯片之間填充導熱膠層，并將金屬蓋粘接于凹槽且使金屬蓋的側壁與金屬銅面電連接；

18、對基板的下表面執(zhí)行錫球操作，以完成生產(chǎn)加工。

19、本發(fā)明的電磁自屏蔽封裝接地結構的生產(chǎn)工藝方法，與現(xiàn)有技術相比的有益效果是：通過電磁自屏蔽封裝接地結構的生產(chǎn)工藝制作出包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝接地結構，并在基板的上表面對應于地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使地屏蔽墻的金屬銅面露出，金屬蓋的側壁接觸于金屬銅面形成電連接，即形成了一個封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

20、下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步描述。

技術特征：

1.一種電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設有地屏蔽墻，且所述基板的上表面對應于所述地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使所述地屏蔽墻的金屬銅面露出，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，所述金屬蓋用于遮蓋所述主控芯片且連接于所述凹槽，以使所述金屬蓋的側壁接觸于所述金屬銅面形成電連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤通過打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結構，即所述地屏蔽墻。

3.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述主控芯片通過導電柱連接于所述基板。

4.根據(jù)權利要求3所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

5.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述金屬蓋的側壁與所述金屬銅面之間還填充有導電銀漿。

6.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述金屬蓋通過粘接劑連接于所述凹槽的底面。

7.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述金屬蓋為帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋。

8.根據(jù)權利要求7所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋與所述主控芯片之間還設有導熱膠層。

9.根據(jù)權利要求1所述的電磁自屏蔽封裝接地結構，其特征在于，所述基板的下表面設有錫球。

10.一種電磁自屏蔽封裝接地結構的生產(chǎn)工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術總結
本發(fā)明公開了一種電磁自屏蔽封裝接地結構及其生產(chǎn)工藝方法；所述電磁自屏蔽封裝接地結構，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，基板設有地屏蔽墻，且基板的上表面對應于地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使地屏蔽墻的金屬銅面露出，主控芯片安裝于基板的上表面，金屬蓋用于遮蓋主控芯片且連接于凹槽，以使金屬蓋的側壁接觸于金屬銅面形成電連接。本發(fā)明通過在基板的上表面對應于地屏蔽墻的區(qū)域開設有凹槽，以使地屏蔽墻的金屬銅面露出，金屬蓋的側壁接觸于金屬銅面形成電連接，即形成一個封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

技術研發(fā)人員：龍建飛,任曉梅,陳磊
受保護的技術使用者：深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/10