本發(fā)明涉及自屏蔽封裝接地，尤其涉及一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法。

背景技術(shù)：

1、目前封裝級(jí)電磁屏蔽設(shè)計(jì)主要是在芯片塑封后利用磁控濺射的方式在封裝外表面濺射金屬鍍層，一般是不銹鋼-銅-不銹鋼結(jié)構(gòu)，利用金屬銅層對(duì)高頻信號(hào)的電磁波吸收和反射，實(shí)現(xiàn)封裝級(jí)電磁自屏蔽效果；但是，這種方案主要適用于帶有塑封外殼的fccsp(倒裝芯片級(jí))封裝，而對(duì)于帶有金屬外殼封裝的fcbga(倒裝芯片球柵陣列封裝)方案不適用；另一方面，fcbga封裝本身是帶有散熱金屬外殼，但由于尺寸較大，往往是通過(guò)樹(shù)脂膠與基板形成粘接，因此沒(méi)有接地，不能實(shí)現(xiàn)電磁屏蔽的功能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，所述金屬蓋用于遮蓋所述主控芯片且連接于所述基板，所述金屬蓋還通過(guò)金屬線連通于所述地屏蔽墻。

4、在一具體實(shí)施例中，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤(pán)通過(guò)打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結(jié)構(gòu)，即所述地屏蔽墻。

5、在一具體實(shí)施例中，所述主控芯片通過(guò)導(dǎo)電柱連接于所述基板。

6、在一具體實(shí)施例中，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

7、在一具體實(shí)施例中，所述金屬蓋的外沿為平坦區(qū)域，所述金屬線連接于所述平坦區(qū)域。

8、在一具體實(shí)施例中，所述基板的下表面設(shè)有錫球。

9、在一具體實(shí)施例中，所述金屬蓋通過(guò)粘接劑連接于所述基板。

10、在一具體實(shí)施例中，所述金屬蓋為帽型金屬蓋。

11、在一具體實(shí)施例中，所述帽型金屬蓋與所述主控芯片之間還設(shè)有導(dǎo)熱膠層。

12、本發(fā)明的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：通過(guò)設(shè)計(jì)包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝接地結(jié)構(gòu)，并通過(guò)基板上的地屏蔽墻和遮蓋主控芯片的金屬蓋利用金屬線相互導(dǎo)通，形成了一個(gè)封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時(shí)產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護(hù)周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

13、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，包括以下步驟：

14、制作具有地屏蔽墻的基板；

15、將主控芯片安裝于基板的上表面，并在主控芯片與基板之間填充底部填充料；

16、在金屬蓋與主控芯片之間填充導(dǎo)熱膠層，并將金屬蓋粘接于基板；

17、將金屬蓋與地屏蔽墻通過(guò)金屬線連通；

18、對(duì)基板的下表面執(zhí)行錫球操作，以完成生產(chǎn)加工。

19、本發(fā)明的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：通過(guò)自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝制作出包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝接地結(jié)構(gòu)，并通過(guò)基板上的地屏蔽墻和遮蓋主控芯片的金屬蓋利用金屬線相互導(dǎo)通，形成了一個(gè)封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時(shí)產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護(hù)周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

20、下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。

技術(shù)特征：

1.一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，所述金屬蓋用于遮蓋所述主控芯片且連接于所述基板，所述金屬蓋還通過(guò)金屬線連通于所述地屏蔽墻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤(pán)通過(guò)打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結(jié)構(gòu)，即所述地屏蔽墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主控芯片通過(guò)導(dǎo)電柱連接于所述基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬蓋的外沿為平坦區(qū)域，所述金屬線連接于所述平坦區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的下表面設(shè)有錫球。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬蓋通過(guò)粘接劑連接于所述基板。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬蓋為帽型金屬蓋。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述帽型金屬蓋與所述主控芯片之間還設(shè)有導(dǎo)熱膠層。

10.一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法；所述自屏蔽封裝接地結(jié)構(gòu)，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，所述金屬蓋用于遮蓋所述主控芯片且連接于所述基板，所述金屬蓋還通過(guò)金屬線連通于所述地屏蔽墻。本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝接地結(jié)構(gòu)，并通過(guò)基板上的地屏蔽墻和遮蓋主控芯片的金屬蓋利用金屬線相互導(dǎo)通，形成了一個(gè)封閉的電磁屏蔽環(huán)境，能夠有效地阻擋或減弱主控芯片及基板在工作時(shí)產(chǎn)生的電磁輻射向外泄露，從而保護(hù)周圍的電子器件免受不必要的電磁干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：龍建飛,任曉梅,涂霞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10