本發(fā)明涉及電磁自屏蔽封裝，尤其涉及一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法。

背景技術(shù)：

1、目前封裝級電磁屏蔽設(shè)計主要是在芯片塑封后利用磁控濺射的方式在封裝外表面濺射金屬鍍層，一般是不銹鋼-銅-不銹鋼結(jié)構(gòu)，利用金屬銅層對高頻信號的電磁波吸收和反射，實現(xiàn)封裝級電磁自屏蔽效果；但是，這種方式主要應(yīng)用在csp(封裝級)封裝，尤其是lga?p?i?n(柵格陣列封裝引腳)方式下，而對于bga(球柵陣列封裝)工藝，特別是沒有塑封包裹的大顆fcbga(倒裝芯片球柵陣列封裝)工藝，卻是很難應(yīng)用，原因在于磁控濺射時存在溢鍍問題(即外表面的濺射金屬層與bga焊點形成短接)，導(dǎo)致存在芯片封裝電磁泄露的風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明實施例提供一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，且對應(yīng)于所述主控芯片和所述地屏蔽墻的區(qū)域噴涂有金屬膜層，所述金屬蓋連接于所述基板位于所述地屏蔽墻的外圍區(qū)域。

4、在一具體實施例中，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤通過打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結(jié)構(gòu)，即所述地屏蔽墻。

5、在一具體實施例中，所述主控芯片通過導(dǎo)電柱連接于所述基板。

6、在一具體實施例中，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

7、在一具體實施例中，所述金屬膜層的厚度至少為3um。

8、在一具體實施例中，所述基板的下表面設(shè)有錫球。

9、在一具體實施例中，所述金屬蓋通過粘接劑連接于所述基板位于所述地屏蔽墻的外圍區(qū)域。

10、在一具體實施例中，所述金屬蓋為環(huán)狀金屬蓋、帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋。

11、在一具體實施例中，所述帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋與所述金屬膜層之間還設(shè)有導(dǎo)熱膠層。

12、本發(fā)明的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：通過設(shè)計包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝結(jié)構(gòu)，并在主控芯片及其周圍的地屏蔽墻區(qū)域噴涂金屬膜層，形成了一個有效的電磁屏蔽層，這個屏蔽層能夠阻擋或削弱主控芯片工作時產(chǎn)生的電磁輻射，防止這些輻射泄露到封裝結(jié)構(gòu)外部，從而保護周圍的電子元件或系統(tǒng)不受干擾。

13、第二方面，本發(fā)明實施例提供一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，包括以下步驟：

14、制作具有地屏蔽墻的基板；

15、將主控芯片安裝于基板的上表面，并在主控芯片與基板之間填充底部填充料；

16、對應(yīng)于主控芯片和地屏蔽墻的區(qū)域執(zhí)行噴涂金屬液，以形成金屬膜層；

17、將金屬蓋粘接于基板位于地屏蔽墻的外圍區(qū)域；

18、對基板的下表面執(zhí)行錫球操作，以完成生產(chǎn)加工。

19、本發(fā)明的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：通過電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝制作出包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝結(jié)構(gòu)，并在主控芯片及其周圍的地屏蔽墻區(qū)域噴涂金屬膜層，形成了一個有效的電磁屏蔽層，這個屏蔽層能夠阻擋或削弱主控芯片工作時產(chǎn)生的電磁輻射，防止這些輻射泄露到封裝結(jié)構(gòu)外部，從而保護周圍的電子元件或系統(tǒng)不受干擾。

20、下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步描述。

技術(shù)特征：

1.一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，且對應(yīng)于所述主控芯片和所述地屏蔽墻的區(qū)域噴涂有金屬膜層，所述金屬蓋連接于所述基板位于所述地屏蔽墻的外圍區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板分為若干層，從其中一層基板裸露的外圍焊盤通過打孔連接到相鄰的基板走線銅層，以在基板電路層的最外圍形成連續(xù)且貫通的地墻結(jié)構(gòu)，即所述地屏蔽墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主控芯片通過導(dǎo)電柱連接于所述基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述主控芯片與所述基板之間還填充有底部填充料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬膜層的厚度至少為3um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板的下表面設(shè)有錫球。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬蓋通過粘接劑連接于所述基板位于所述地屏蔽墻的外圍區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬蓋為環(huán)狀金屬蓋、帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述帽型金屬蓋或鍛造金屬蓋與所述金屬膜層之間還設(shè)有導(dǎo)熱膠層。

10.一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝方法；所述電磁自屏蔽封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板、主控芯片及金屬蓋，所述基板設(shè)有地屏蔽墻，所述主控芯片安裝于所述基板的上表面，且對應(yīng)于所述主控芯片和所述地屏蔽墻的區(qū)域噴涂有金屬膜層，所述金屬蓋連接于所述基板位于所述地屏蔽墻的外圍區(qū)域。本發(fā)明通過設(shè)計包含基板、主控芯片和金屬蓋的封裝結(jié)構(gòu)，并在主控芯片及其周圍的地屏蔽墻區(qū)域噴涂金屬膜層，形成了一個有效的電磁屏蔽層，這個屏蔽層能夠阻擋或削弱主控芯片工作時產(chǎn)生的電磁輻射，防止這些輻射泄露到封裝結(jié)構(gòu)外部，從而保護周圍的電子元件或系統(tǒng)不受干擾。

技術(shù)研發(fā)人員：龍建飛,涂霞,陳磊
受保護的技術(shù)使用者：深圳憶聯(lián)信息系統(tǒng)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10