本發(fā)明涉及光電器件，具體涉及一種光耦器件。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有的光耦器件主要分為水平式和對立式兩種結(jié)構(gòu)設(shè)計，主要通過在引線框架上進行固晶焊線后，通過雙層塑封樹脂進行塑封，由于線架是懸空的，支架容易出現(xiàn)變形和抖動的情況，導(dǎo)致出現(xiàn)金線抖動或斷線的情況，影響光耦器件的焊線外觀以及封裝的可靠性。為了避免光耦器件內(nèi)部發(fā)光芯片發(fā)出的光線外漏，現(xiàn)有的光耦器件主要通過非透明的膠體進行塑封，在光耦器件完成塑封后并不能直接觀察光耦器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的封裝情況，不便于對封裝后的光耦器件進行內(nèi)部外觀不良檢測。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種光耦器件，通過設(shè)置基板和圍壩結(jié)合，提高發(fā)光芯片和接收芯片固晶焊線安裝的穩(wěn)定性，通過設(shè)置透明基板的結(jié)構(gòu)，便于觀察光耦器件封裝后的內(nèi)部結(jié)構(gòu)情況，以便對封裝后的光耦器件進行內(nèi)部外觀不良檢測。

2、本發(fā)明提供了一種光耦器件，所述光耦器件包括：基板、設(shè)置在基板上的圍壩、設(shè)置在圍壩頂部的透明板以及位于圍壩內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片；

3、所述基板上設(shè)置有線路層，所述發(fā)光芯片和所述接收芯片對應(yīng)電性連接在所述線路層上；

4、所述透明板、圍壩以及所述基板配合形成容納所述發(fā)光芯片和所述接收芯片的密閉空間。

5、進一步的，所述基板為陶瓷基板，或所述基板為金屬基板。

6、進一步的，所述基板為陶瓷基板時，所述圍壩基于粘膠固定在所述陶瓷基板上；

7、或所述圍壩和所述陶瓷基板為一體成型結(jié)構(gòu)。

8、進一步的，所述圍壩的一組相對的側(cè)壁與所述陶瓷基板之間形成有間隔；

9、所述線路層設(shè)置在所述陶瓷基板的頂面，且部分線路層通過所述間隔延伸在所述圍壩外。

10、進一步的，所述基板為金屬基板時，所述線路層和所述金屬基板為一體結(jié)構(gòu)。

11、進一步的，所述基板為金屬基板時，所述圍壩的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂，或ppa材質(zhì)，或pct材質(zhì)。

12、進一步的，所述環(huán)氧樹脂內(nèi)摻雜有二氧化硅粉末。

13、進一步的，所述圍壩的頂部設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)用于承載所述透明板。

14、進一步的，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面與所述圍壩頂面的距離為h1，所述h1的取值范圍為：30μm≤h1≤80μm。

15、進一步的，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面設(shè)置有第一鍍層金屬，所述透明板的底面設(shè)置有第二鍍層金屬；

16、所述透明板基于所述第二鍍層金屬與所述臺階結(jié)構(gòu)的第一鍍層金屬焊接連接。

17、進一步的，所述透明板基于粘膠固定在所述圍壩的臺階結(jié)構(gòu)上。

18、進一步的，所述透明板的底面設(shè)置有紅外反射膜。

19、進一步的，所述紅外反射膜的材質(zhì)包括氧化銦錫、氮化硅、二氧化鈦中的一種或者多種。

20、進一步的，所述紅外反射膜的厚度為h2，所述h2的取值范圍為：1μm≤h2≤10μm。

21、進一步的，所述圍壩的高度為h，所述h的取值范圍為：350μm≤h≤500μm。

22、進一步的，所述圍壩的內(nèi)壁角度為α，所述α的取值范圍為90°≤α≤150°。

23、進一步的，所述光耦器件還包括金屬引腳，所述金屬引腳一端與所述線路層連接，另一端延伸在所述基板外。

24、進一步的，所述金屬引腳延伸在所述基板外形成直插式連接結(jié)構(gòu)，或所述金屬引腳向所述基板翻折形成貼片式連接結(jié)構(gòu)。

25、本發(fā)明提供了一種光耦器件，通過在基板上設(shè)置線路層，使得發(fā)光芯片和接收芯片固晶焊線封裝時，避免出現(xiàn)支架晃動的情況，提高芯片固晶的穩(wěn)定性；通過基板、圍壩和透明板配合形成密閉空間，提高發(fā)光芯片和接收芯片封裝的可靠性，同時能夠自主調(diào)節(jié)接收芯片接收光線的多少，從而調(diào)整器件的功能，基于透明板的結(jié)構(gòu)設(shè)計，便于觀察光耦器件封裝后的內(nèi)部結(jié)構(gòu)情況，以便對封裝后的光耦器件進行內(nèi)部外觀不良檢測。

技術(shù)特征：

1.一種光耦器件，其特征在于，所述光耦器件包括：基板、設(shè)置在基板上的圍壩、設(shè)置在圍壩頂部的透明板以及位于圍壩內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片；

2.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述基板為陶瓷基板，或所述基板為金屬基板。

3.如權(quán)利要求2所述的光耦器件，其特征在于，所述基板為陶瓷基板時，所述圍壩基于粘膠固定在所述陶瓷基板上；

4.如權(quán)利要求3所述的光耦器件，其特征在于，所述圍壩的一組相對的側(cè)壁與所述陶瓷基板之間形成有間隔；

5.如權(quán)利要求2所述的光耦器件，其特征在于，所述基板為金屬基板時，所述線路層和所述金屬基板為一體結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求2所述的光耦器件，其特征在于，所述基板為金屬基板時，所述圍壩的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂，或ppa材質(zhì)，或pct材質(zhì)。

7.如權(quán)利要求6所述的光耦器件，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂內(nèi)摻雜有二氧化硅粉末。

8.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述圍壩的頂部設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)，所述臺階結(jié)構(gòu)用于承載所述透明板。

9.如權(quán)利要求8所述的光耦器件，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面與所述圍壩頂面的距離為h1，所述h1的取值范圍為：30μm≤h1≤80μm。

10.如權(quán)利要求8所述的光耦器件，其特征在于，所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階面設(shè)置有第一鍍層金屬，所述透明板的底面設(shè)置有第二鍍層金屬；

11.如權(quán)利要求8所述的光耦器件，其特征在于，所述透明板基于粘膠固定在所述圍壩的臺階結(jié)構(gòu)上。

12.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述透明板的底面設(shè)置有紅外反射膜。

13.如權(quán)利要求12所述的光耦器件，其特征在于，所述紅外反射膜的材質(zhì)包括氧化銦錫、氮化硅、二氧化鈦中的一種或者多種。

14.如權(quán)利要求13所述的光耦器件，其特征在于，所述紅外反射膜的厚度為h2，所述h2的取值范圍為：1μm≤h2≤10μm。

15.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述圍壩的高度為h，所述h的取值范圍為：350μm≤h≤500μm。

16.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述圍壩的內(nèi)壁角度為α，所述α的取值范圍為90°≤α≤150°。

17.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述光耦器件還包括金屬引腳，所述金屬引腳一端與所述線路層連接，另一端延伸在所述基板外。

18.如權(quán)利要求17所述的光耦器件，其特征在于，所述金屬引腳延伸在所述基板外形成直插式連接結(jié)構(gòu)，或所述金屬引腳向所述基板翻折形成貼片式連接結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種光耦器件，所述光耦器件包括：基板、設(shè)置在基板上的圍壩、設(shè)置在圍壩頂部的透明板以及位于圍壩內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片；所述基板上設(shè)置有線路層，所述發(fā)光芯片和所述接收芯片對應(yīng)電性連接在所述線路層上；所述透明板、圍壩以及所述基板配合形成容納所述發(fā)光芯片和所述接收芯片的密閉空間。通過設(shè)置基板配合圍壩形成密閉空間，提高光耦器件的芯片固晶封裝的可靠性，基于透明板結(jié)構(gòu)便于觀察光耦器件封裝后的內(nèi)部結(jié)構(gòu)情況，提高光耦器件檢測的便捷性。

技術(shù)研發(fā)人員：麥家兒,李玉容,朱明軍,喻曉鵬,雷國文,張廣添,鐘詩琴
受保護的技術(shù)使用者：佛山市國星光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10