本發(fā)明涉及光電器件，具體涉及一種光耦器件及制備方法。

背景技術(shù)：

1、光耦器件是指以光為媒介進(jìn)電信號(hào)傳輸?shù)钠骷?，一般通過將紅外led芯片和的接收芯片封裝在同一殼體內(nèi)，通過接收芯片接收led芯片發(fā)出的光線，并將接收的光線轉(zhuǎn)化為電流輸出，實(shí)現(xiàn)“電—光—電”的轉(zhuǎn)換控制，具有無觸點(diǎn)，抗干擾能力強(qiáng)，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號(hào)等優(yōu)點(diǎn)。

2、現(xiàn)有的光耦器件結(jié)構(gòu)主要分為水平式和對(duì)立式的封裝結(jié)構(gòu)，通過兩種不同的保護(hù)膠對(duì)芯片進(jìn)行塑封，導(dǎo)致光耦器件的結(jié)構(gòu)偏大，同時(shí)，目前的光耦器件的引腳設(shè)置在封裝結(jié)構(gòu)的外側(cè)，導(dǎo)致器件的整體尺寸增大；現(xiàn)有的光耦器件由于支架無對(duì)應(yīng)固定的結(jié)構(gòu)，光耦器件在制造和運(yùn)輸過程中，容易出現(xiàn)支架抖動(dòng)和變形的情況，從而導(dǎo)致金線斷開或者金線弧度不良等情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種光耦器件及制備方法，通過塑型層對(duì)若干個(gè)電極進(jìn)行固定定型，避免了支架抖動(dòng)導(dǎo)致的封裝不良，提高了器件的穩(wěn)定性，基于塑型層形成杯體結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化器件的封裝結(jié)構(gòu)，從而減少光耦器件的尺寸。

2、本發(fā)明提供了一種光耦器件，所述光耦器件包括：帶杯體的支架、設(shè)置在杯體內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片、設(shè)置在杯體內(nèi)的填充層、覆蓋在所述杯體外部的塑封層；

3、所述帶杯體的支架包括：塑型層和若干個(gè)電極，若干個(gè)所述電極按預(yù)設(shè)間距分布，且所述塑型層部分填充在若干個(gè)電極的間距內(nèi)，使得若干個(gè)電極和所述塑型層之間結(jié)合形成所述帶杯體的支架結(jié)構(gòu)。

4、進(jìn)一步的，若干個(gè)所述電極為矩形結(jié)構(gòu)，和/或若干個(gè)所述電極為不規(guī)則多邊形結(jié)構(gòu)。

5、進(jìn)一步的，任一所述電極上設(shè)置有一個(gè)以上的通孔。

6、進(jìn)一步的，所述塑封層和所述塑型層為同一種塑封材料。

7、進(jìn)一步的，所述塑封層和所述塑型層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。

8、進(jìn)一步的，任一所述電極的底部一側(cè)設(shè)置有盲孔。

9、進(jìn)一步的，所述盲孔的高度為h2，所述電極的厚度為h3；

10、所述h2和h3之間的約束關(guān)系為：h3*1/4≤h2≤h3*2/3。

11、進(jìn)一步的，所述h3的取值范圍為0.15mm≤h3≤0.3mm。

12、進(jìn)一步的，所述盲孔的寬度為w，所述w的取值范圍為：0.1mm≤w≤0.3mm。

13、進(jìn)一步的，所述杯體的高度為h1，所述h1的取值范圍為：300μm≤h1≤500μm。

14、進(jìn)一步的，所述杯體的內(nèi)壁角度為α，所述α的取值范圍為：90°≤α≤150°。

15、進(jìn)一步的，所述塑型層內(nèi)摻雜有二氧化硅粉末，所述二氧化硅粉末占所述塑型層總重量的70％～95％。

16、進(jìn)一步的，所述填充層為透明硅膠層，或所述填充層為紅色硅膠層。

17、本發(fā)明還提供了一種光耦器件的制備方法，所述制備方法用于制備所述光耦器件，所述制備方法包括：

18、制備若干個(gè)電極，將若干個(gè)電極分布形成初始支架；

19、在所述初始支架上進(jìn)行第一次注塑操作形成塑型層，得到帶杯體的支架；

20、將發(fā)光芯片和接收芯片固晶在所述支架的杯體內(nèi)對(duì)應(yīng)固晶位置上；

21、在杯體內(nèi)填充硅膠，使得硅膠包覆這所述發(fā)光芯片和所述接收芯片，形成填充層；

22、在支架外部進(jìn)行第二次注塑操作，形成塑封層，得到光耦器件。

23、進(jìn)一步的，所述制備若干個(gè)電極，將若干個(gè)電極分布形成初始支架包括：

24、根據(jù)光耦器件的封裝尺寸以及芯片尺寸，調(diào)整若干個(gè)電極的形狀尺寸；

25、將若干個(gè)電極按預(yù)設(shè)分布位置放置在模具內(nèi)。

26、進(jìn)一步的，所述制備方法還包括：

27、根據(jù)光耦器件的封裝需求，在任一所述電極對(duì)應(yīng)所述塑型層的封裝區(qū)域內(nèi)加工形成第一通孔；

28、在任一所述電極對(duì)應(yīng)所述塑封層的封裝區(qū)域內(nèi)加工形成第二通孔。

29、進(jìn)一步的，所述制備方法還包括：

30、基于刻蝕工藝在任一所述電極的底端外側(cè)形成盲孔，或基于沖壓工藝在任一所述電極的底端外側(cè)形成盲孔。

31、本發(fā)明提供了一種光耦器件及制備方法，通過在若干個(gè)電極填充塑型層進(jìn)行固定，形成帶有杯體的支架，使得支架結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，提高發(fā)光芯片和接收芯片封裝時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。基于杯體容納發(fā)光芯片和接收芯片，限制發(fā)光芯片和接收芯片的安裝位置，簡(jiǎn)化光耦器件的封裝結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)光耦器件的小型化封裝。

技術(shù)特征：

1.一種光耦器件，其特征在于，所述光耦器件包括：帶杯體的支架、設(shè)置在杯體內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片、設(shè)置在杯體內(nèi)的填充層、覆蓋在所述杯體外部的塑封層；

2.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，若干個(gè)所述電極為矩形結(jié)構(gòu)，和/或若干個(gè)所述電極為不規(guī)則多邊形結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，任一所述電極上設(shè)置有一個(gè)以上的通孔。

4.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述塑封層和所述塑型層為同一種塑封材料。

5.如權(quán)利要求4所述的光耦器件，其特征在于，所述塑封層和所述塑型層的材質(zhì)為環(huán)氧樹脂。

6.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，任一所述電極的底部一側(cè)設(shè)置有盲孔。

7.如權(quán)利要求6所述的光耦器件，其特征在于，所述盲孔的高度為h2，所述電極的厚度為h3；

8.如權(quán)利要求7所述的光耦器件，其特征在于，所述h3的取值范圍為0.15mm≤h3≤0.3mm。

9.如權(quán)利要求6所述的光耦器件，其特征在于，所述盲孔的寬度為w，所述w的取值范圍為：0.1mm≤w≤0.3mm。

10.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述杯體的高度為h1，所述h1的取值范圍為：300μm≤h1≤500μm。

11.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述杯體的內(nèi)壁角度為α，所述α的取值范圍為：90°≤α≤150°。

12.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述塑型層內(nèi)摻雜有二氧化硅粉末，所述二氧化硅粉末占所述塑型層總重量的70％～95％。

13.如權(quán)利要求1所述的光耦器件，其特征在于，所述填充層為透明硅膠層，或所述填充層為紅色硅膠層。

14.一種光耦器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法用于制備如權(quán)利要求1至13任一所述的光耦器件，所述制備方法包括：

15.如權(quán)利要求14所述的光耦器件的制備方法，其特征在于，所述制備若干個(gè)電極，將若干個(gè)電極分布形成初始支架包括：

16.如權(quán)利要求14所述的光耦器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

17.如權(quán)利要求14所述的光耦器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種光耦器件及制備方法，所述光耦器件包括：帶杯體的支架、設(shè)置在杯體內(nèi)的發(fā)光芯片和接收芯片、設(shè)置在杯體內(nèi)的填充層、覆蓋在所述杯體外部的塑封層；所述帶杯體的支架包括：塑型層和若干個(gè)電極，若干個(gè)所述電極按預(yù)設(shè)間距分布，且所述塑型層部分填充在若干個(gè)電極的間距內(nèi)，使得若干個(gè)電極和所述塑型層之間結(jié)合形成所述帶杯體的支架結(jié)構(gòu)。通過在若干個(gè)電極填充塑型層進(jìn)行固定，形成帶有杯體的支架，使得支架結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，提高發(fā)光芯片和接收芯片封裝時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性?；诒w容納發(fā)光芯片和接收芯片，限制發(fā)光芯片和接收芯片的安裝位置，簡(jiǎn)化光耦器件的封裝結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對(duì)光耦器件的小型化封裝。

技術(shù)研發(fā)人員：麥家兒,李玉容,朱明軍,喻曉鵬,雷國(guó)文,張廣添,鐘詩(shī)琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：佛山市國(guó)星光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10