本發(fā)明涉及半導體，尤其是涉及一種半導體器件的形成方法。

背景技術(shù)：

1、隨著電路制程技術(shù)的發(fā)展以及元件集成度的提升，目前同一個晶圓上可以同時生產(chǎn)多個芯片。通常在制作完成這些芯片后，將晶圓上的各個獨立芯片與其他芯片切割開來。為了配合切割制程的進行，在每個芯片與芯片之間通常會預留一定的空間來作為切割道，以將晶圓切割成多個芯片。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，切割方法請參照圖1，首先，提供需要切割的晶圓，晶圓上形成有多個芯片，芯片包括各種器件結(jié)構(gòu)，還包括位于最上層的頂層金屬層110。所以芯片旁邊或者說頂層金屬層110的旁邊就是切割道。同時，還會形成有一層鈍化層120，鈍化層120覆蓋頂層金屬層110的表面和側(cè)壁以及切割道的表面，保護其不被氧化。因此，切割時，會先切割掉切割道上的鈍化層120。具體的，在頂層金屬層110上的鈍化層120的表面和頂層金屬層110的側(cè)壁形成光刻膠層130。接著請參照圖2，刻蝕光刻膠層130未覆蓋的鈍化層120也即是切割道表面的鈍化層120?？涛g鈍化層120的時候，會產(chǎn)生聚合物，聚合物形成聚合物層140，聚合物層140會覆蓋光刻膠層130的側(cè)壁。接著，請參照圖3，使用灰燼的方法去除光刻膠層130，此時聚合物層140會掉在鈍化層120的側(cè)壁和表面。接著，使用清洗液清洗去除聚合物層140，從而完成芯片的切割。

3、然而，現(xiàn)有技術(shù)中，聚合物層140整個覆蓋鈍化層120的側(cè)壁的面積太大，或者說高度太高，導致清洗去除聚合物層140，無法完全清洗去除，降低了半導體器件的質(zhì)量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導體器件的形成方法，可以將刻蝕切割道表面的鈍化層產(chǎn)生的聚合物清除干凈，從而可以提高半導體器件的質(zhì)量。

2、為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種半導體器件的形成方法，包括：

3、提供半導體基底，所述半導體基底包括若干頂層金屬層，以及位于相鄰頂層金屬線之間的切割道；

4、在所述頂層金屬層邊緣形成輔助金屬層，所述輔助金屬層位于所述切割道的表面；

5、在所述頂層金屬層和輔助金屬層的表面均形成鈍化層，所述鈍化層同時覆蓋所述輔助金屬層的側(cè)壁和切割道的表面；

6、在所述頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層；

7、刻蝕所述圖案化的光刻膠層未覆蓋的鈍化層，刻蝕過程中產(chǎn)生聚合物，以形成第一聚合物層和第二聚合物層，所述第一聚合物覆蓋所述圖案化的光刻膠層的側(cè)壁和剩余的鈍化層的側(cè)壁，所述第二聚合物層覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁；

8、去除所述圖案化的光刻膠層，同時，覆蓋所述圖案化的光刻膠層的第一聚合物層被去掉，剩余的所述第一聚合物層覆蓋鈍化層的側(cè)壁，所述第二聚合物層覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁；

9、使用清洗液清洗去除所述第一聚合物層和第二聚合物層。

10、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述頂層金屬層和輔助金屬層的材料相同。

11、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述頂層金屬層和輔助金屬層的材料均包括鋁。

12、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述頂層金屬層和輔助金屬層的厚度相同。

13、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述頂層金屬層和輔助金屬層的表面齊平。

14、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，在所述頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層的方法包括：

15、在所述鈍化層的表面形成光刻膠層；

16、圖案化所述光刻膠層，以在所述頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層。

17、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，采用灰燼的方法去除所述圖案化的光刻膠層。

18、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述圖案化的光刻膠層的厚度為4.7μm～5.1μm。

19、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述鈍化層的厚度為0.8μm～1.4μm。

20、可選的，在所述的半導體器件的形成方法中，所述頂層金屬層的厚度為3.5μm～4.5μm。

21、在本發(fā)明提供的半導體器件的形成方法中，包括：提供半導體基底，半導體基底包括若干頂層金屬層，以及位于相鄰頂層金屬線之間的切割道；在頂層金屬層邊緣形成輔助金屬層，輔助金屬層位于切割道的表面；在頂層金屬層和輔助金屬層的表面均形成鈍化層，鈍化層同時覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁和切割道的表面；在頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層；刻蝕圖案化的光刻膠層未覆蓋的鈍化層，刻蝕過程中產(chǎn)生聚合物，以形成第一聚合物層和第二聚合物層，第一聚合物層覆蓋圖案化的光刻膠層的側(cè)壁和剩余的鈍化層的側(cè)壁，第二聚合物層覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁；去除圖案化的光刻膠層，同時，覆蓋圖案化的光刻膠層的第一聚合物層被去掉，剩余的第一聚合物層覆蓋鈍化層的側(cè)壁，第二聚合物層覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁；使用清洗液清洗去除第一聚合物層和第二聚合物層。本發(fā)明的聚合物分在兩個地方聚積，分別是第一聚合物層和第二聚合物層，第一聚合物層和第二聚合物層的高度或者說面積均較低，所以能被全部清除干凈。

技術(shù)特征：

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述頂層金屬層和輔助金屬層的材料相同。

3.如權(quán)利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述頂層金屬層和輔助金屬層的材料均包括鋁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述頂層金屬層和輔助金屬層的厚度相同。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述頂層金屬層和輔助金屬層的表面齊平。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層的方法包括：

7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，采用灰燼的方法去除所述圖案化的光刻膠層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述圖案化的光刻膠層的厚度為4.7μm～5.1μm。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述鈍化層的厚度為0.8μm～1.4μm。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述頂層金屬層的厚度為3.5μm～4.5μm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導體器件的形成方法，包括：提供半導體基底，包括若干頂層金屬層，位于相鄰頂層金屬線之間的切割道；在頂層金屬層邊緣形成輔助金屬層；在頂層金屬層和輔助金屬層的表面均形成鈍化層，鈍化層同時覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁和切割道的表面；在頂層金屬層上方的鈍化層的表面形成圖案化的光刻膠層；刻蝕未覆蓋的鈍化層，刻蝕過程中產(chǎn)生聚合物形成第一聚合物層和第二聚合物層，第一聚合物層覆蓋圖案化的光刻膠層的側(cè)壁和剩余的鈍化層的側(cè)壁，第二聚合物層覆蓋輔助金屬層的側(cè)壁；去除圖案化的光刻膠層，覆蓋圖案化的光刻膠層的第一聚合物層被去掉，剩余的第一聚合物層覆蓋鈍化層的側(cè)壁；使用清洗液清洗去除第一聚合物層和第二聚合物層。

技術(shù)研發(fā)人員：陳宏
受保護的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10