本發(fā)明的例示性實施方式涉及一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、等離子體處理裝置用于對基板進行等離子體處理。有時保護膜會在對基板進行等離子體處理之前形成于等離子體處理裝置的腔室的內(nèi)壁面上。日本特開2014-138027號公報及日本特開2016-12712號公報中公開了一種在腔室的內(nèi)壁面上形成保護膜的技術(shù)。在這些各文獻中所公開的技術(shù)中，在腔室內(nèi)生成含硅氣體等離子，以在腔室的內(nèi)壁面上形成保護膜。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種抑制形成于電容耦合型等離子體處理裝置的上部電極上的保護膜的厚度增加，并且控制形成于腔室的側(cè)壁的內(nèi)壁面上的保護膜的厚度的技術(shù)。

2、在一例示性實施方式中，提供一種等離子體處理方法。等離子體處理方法利用等離子體處理裝置執(zhí)行。等離子體處理裝置具備腔室、基板支撐器、上部電極、高頻電源及直流電源裝置。腔室包含具有內(nèi)壁面的側(cè)壁?；逯纹靼O(shè)置于腔室內(nèi)的下部電極。上部電極設(shè)置于基板支撐器的上方。高頻電源用于在腔室內(nèi)生成等離子體。直流電源裝置與上部電極電連接。直流電源裝置構(gòu)成為周期性產(chǎn)生脈沖狀的負極性直流電壓。等離子體處理方法包括通過從高頻電源供應(yīng)高頻電力而在腔室內(nèi)由成膜氣體生成等離子體的工序。等離子體處理方法還包括通過將源自等離子體的化學物種堆積在內(nèi)壁面上而在內(nèi)壁面上形成保護膜的工序。在形成保護膜的工序中，從直流電源裝置向上部電極周期性地施加脈沖狀的負極性直流電壓。

3、根據(jù)一例示性實施方式，能夠抑制形成于電容耦合型等離子體處理裝置的上部電極上的保護膜的厚度增加，并且控制形成于腔室的側(cè)壁的內(nèi)壁面上的保護膜的厚度。

技術(shù)特征：

1.一種等離子體處理方法，其利用等離子體處理裝置執(zhí)行，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理方法，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的等離子體處理方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理方法，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理方法，其還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的等離子體處理方法，其還包括：

11.一種等離子體處理裝置，其具備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的例示性實施方式所涉及的等離子體處理方法包括通過從高頻電源供應(yīng)高頻電力而在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)由成膜氣體生成等離子體的工序。等離子體處理方法還包括通過將源自等離子體的化學物種堆積在腔室的側(cè)壁的內(nèi)壁面上而在內(nèi)壁面上形成保護膜的工序。在形成保護膜的工序中，從直流電源裝置向等離子體處理裝置的上部電極周期性地施加脈沖狀的負極性直流電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：青木裕介,戶花敏勝,高田郁彌,森北信也,藤原一延,阿部淳,永海幸一
受保護的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10