本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種半導(dǎo)體裝置或顯示裝置的制造方法。注意，本發(fā)明的一個(gè)方式不限定于上述。作為本說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的本發(fā)明的一個(gè)方式的的一個(gè)例子，可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、發(fā)光裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、電子設(shè)備、照明裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、其驅(qū)動(dòng)方法或者其制造方法。半導(dǎo)體裝置是指能夠通過(guò)利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。

背景技術(shù)：

1、作為可用于晶體管的半導(dǎo)體材料，使用金屬氧化物的氧化物半導(dǎo)體受到矚目。例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了如下半導(dǎo)體裝置：層疊有多個(gè)氧化物半導(dǎo)體層，在該多個(gè)氧化物半導(dǎo)體層中，被用作溝道的氧化物半導(dǎo)體層包含銦及鎵，并且使銦的比率比鎵的比率高，而場(chǎng)效應(yīng)遷移率(有時(shí)，簡(jiǎn)稱(chēng)為遷移率或μfe)得到提高的半導(dǎo)體裝置。

2、由于能夠用于半導(dǎo)體層的金屬氧化物可以利用濺射法等形成，所以可以被用于構(gòu)成大型顯示裝置的晶體管的半導(dǎo)體層。此外，因?yàn)榭梢詫⑹褂枚嗑Ч杌蚍蔷Ч璧木w管的生產(chǎn)設(shè)備的一部分改良而利用，所以還可以抑制設(shè)備投資。此外，與使用非晶硅的晶體管相比，使用金屬氧化物的晶體管具有高場(chǎng)效應(yīng)遷移率，所以可以實(shí)現(xiàn)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路的高性能的顯示裝置。

3、此外，在由顯示裝置中的屏幕尺寸有大型化的趨勢(shì)，于是，顯示裝置的研制甚至針對(duì)對(duì)角線60英寸以上，進(jìn)而為對(duì)角線120英寸以上的屏幕。并且，屏幕也有走向高分辨率的趨勢(shì)，如全高清(像素?cái)?shù)為1920×1080，也被稱(chēng)為“2k”等)、ultra?high-definition(像素?cái)?shù)為3840×2160，也被稱(chēng)為“4k”等)、super?high-definition(像素?cái)?shù)為7680×4320，也被稱(chēng)為“8k”等)。

4、屏幕尺寸的大型化或分辨率的提高趨于導(dǎo)致顯示部?jī)?nèi)的布線電阻的增大。專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了在使用非晶硅晶體管的液晶顯示裝置中為了抑制布線電阻的增大使用銅(cu)形成低電阻布線層的技術(shù)。

5、[先行技術(shù)文獻(xiàn)]

6、[專(zhuān)利文獻(xiàn)]

7、[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2014-7399號(hào)公報(bào)

8、[專(zhuān)利文獻(xiàn)2]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2004-163901號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種電特性良好的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置。

3、注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。并且，本發(fā)明的一個(gè)方式不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。另外，可以從說(shuō)明書(shū)、附圖、權(quán)利要求書(shū)等的記載抽出上述以外的目的。

4、解決技術(shù)問(wèn)題的手段

5、本發(fā)明的一個(gè)方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第二絕緣層、金屬氧化物層以及導(dǎo)電層，其中第一絕緣層、金屬氧化物層及導(dǎo)電層依次層疊在半導(dǎo)體層上，第一絕緣層的端部位于半導(dǎo)體層的端部的內(nèi)側(cè)，金屬氧化物層的端部位于第一絕緣層的端部的內(nèi)側(cè)，導(dǎo)電層的端部位于金屬氧化物層的端部的內(nèi)側(cè)，第二絕緣層以覆蓋半導(dǎo)體層、第一絕緣層、金屬氧化物層及導(dǎo)電層的方式設(shè)置，半導(dǎo)體層具有第一區(qū)域、一對(duì)第二區(qū)域以及一對(duì)第三區(qū)域，第一區(qū)域與第一絕緣層及金屬氧化物層重疊，第二區(qū)域夾持第一區(qū)域與第一絕緣層重疊且不與金屬氧化物層重疊，第三區(qū)域夾持第一區(qū)域及一對(duì)第二區(qū)域且不與第一絕緣層重疊，第三區(qū)域與第二絕緣層接觸，第三區(qū)域具有其電阻低于第一區(qū)域的部分，并且，第二區(qū)域具有其電阻高于第三區(qū)域的部分。

6、在上述半導(dǎo)體裝置中，第二區(qū)域優(yōu)選具有其電阻低于第一區(qū)域的部分。

7、在上述半導(dǎo)體裝置中，第二區(qū)域優(yōu)選具有其薄層電阻為1×103ω/□以上且1×109ω/□以下的部分。

8、在上述半導(dǎo)體裝置中，溝道長(zhǎng)度方向的截面的第二區(qū)域的寬度優(yōu)選為100nm以上且2μm以下。

9、在上述半導(dǎo)體裝置中，第二絕緣層優(yōu)選為氮化硅膜。

10、在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，第一絕緣層的端部及金屬氧化物層的端部都具有錐形形狀，并且金屬氧化物層的端部的錐角小于第一絕緣層的端部的錐角。

11、在上述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，在金屬氧化物層與導(dǎo)電層間包括功能層，其中功能層具有導(dǎo)電性，并且功能層的端部與金屬氧化物層的端部大致對(duì)齊或者位于金屬氧化物層的端部與導(dǎo)電層的端部間。

12、在上述半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體層、金屬氧化物層及功能層優(yōu)選都包含相同金屬元素。

13、在上述半導(dǎo)體裝置中，金屬元素優(yōu)選為銦和鋅中的任一個(gè)以上。

14、發(fā)明效果

15、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，可以提供一種電特性良好的半導(dǎo)體裝置。另外，可以提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。另外，可以提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置。

16、注意，上述效果的記載并不妨礙其他效果的存在。此外，本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以從說(shuō)明書(shū)、附圖、權(quán)利要求書(shū)等的記載抽出上述以外的效果。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，

技術(shù)總結(jié)
提供一種電特性的良好的半導(dǎo)體裝置。提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明是一種半導(dǎo)體裝置，包括半導(dǎo)體層、第一絕緣層、第二絕緣層、金屬氧化物層以及導(dǎo)電層，其中第一絕緣層、金屬氧化物層及導(dǎo)電層依次層疊在半導(dǎo)體層上，第一絕緣層的端部位于半導(dǎo)體層的端部的內(nèi)側(cè)，金屬氧化物層的端部位于第一絕緣層的端部的內(nèi)側(cè)，導(dǎo)電層的端部位于金屬氧化物層的端部的內(nèi)側(cè)。第二絕緣層優(yōu)選以覆蓋半導(dǎo)體層、第一絕緣層、金屬氧化物層及導(dǎo)電層的方式設(shè)置。半導(dǎo)體層優(yōu)選具有第一區(qū)域、一對(duì)第二區(qū)域以及一對(duì)第三區(qū)域，第一區(qū)域優(yōu)選與第一絕緣層及金屬氧化物層重疊，第二區(qū)域優(yōu)選夾持第一區(qū)域與第一絕緣層重疊且不與金屬氧化物層重疊，第三區(qū)域優(yōu)選夾持第一區(qū)域及一對(duì)第二區(qū)域且不與第一絕緣層重疊，第三區(qū)域優(yōu)選與第二絕緣層接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：佐藤來(lái),神長(zhǎng)正美,土橋正佳,白石孝,齋藤曉,中澤安孝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10