本發(fā)明涉及太赫茲芯片設(shè)計(jì)，尤其涉及一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片、組件及制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著太赫茲技術(shù)在無線通訊、雷達(dá)成像等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，太赫茲單片集成電路芯片獲得了快速的發(fā)展。太赫茲芯片屬于平面集成電路，芯片接口一般采用共面波導(dǎo)(gsg)形式的壓點(diǎn)，g代表地壓點(diǎn)，s代表信號(hào)壓點(diǎn)。該壓點(diǎn)用于在片測(cè)試及金絲鍵合裝配。

2、在太赫茲頻段(100ghz以上)，用于電性能測(cè)試的高頻微波探針結(jié)構(gòu)非常精密，一般探針寬度不超過20um，相鄰針間距為50um，這樣的設(shè)計(jì)可以保證測(cè)試探針扎到芯片焊盤路徑上的信號(hào)傳輸損耗盡可能低，反射盡可能小，從而能夠精確測(cè)試太赫茲芯片電路的電性能。為了與測(cè)試探針匹配，常規(guī)太赫茲芯片中間的信號(hào)焊盤寬度為35um，信號(hào)焊盤與地焊盤的間隙為20um，兩側(cè)的地焊盤寬度為80um，太赫茲芯片地焊盤通過接地孔與芯片背面大地相連。太赫茲芯片的探針在片測(cè)試示意圖如圖1。

3、常規(guī)太赫茲芯片的信號(hào)焊盤雖然能夠滿足精確測(cè)試的需求，但是受限于較小的焊盤尺寸，在芯片需要與其他微帶傳輸線互聯(lián)時(shí)，只能通過鍵合1根直徑為25um的鍵合金絲實(shí)現(xiàn)。太赫茲芯片的單絲鍵合示意圖如圖2。這種單絲鍵合的方式，在太赫茲頻段更容易引入較大的寄生電感。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片、組件及制備方法，以解決太赫茲芯片減小寄生電感的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，包括：

3、基板、信號(hào)焊盤和對(duì)稱設(shè)于所述信號(hào)焊盤兩側(cè)的兩個(gè)地焊盤；所述信號(hào)焊盤和兩個(gè)所述地焊盤均設(shè)于所述基板正面的邊緣；

4、所述信號(hào)焊盤包括垂直于所述基板正面的邊緣橫向線性依次連接的第一信號(hào)焊盤和第二信號(hào)焊盤，所述第一信號(hào)焊盤靠近雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣，所述第二信號(hào)焊盤靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的內(nèi)部；所述第二信號(hào)焊盤的寬度小于所述第一信號(hào)焊盤的寬度；

5、兩個(gè)所述地焊盤為異形焊盤，兩個(gè)所述地焊盤均包括互相連接的第一部和第二部，所述第一部靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣，所述第二部的一端與所述第一部連接，所述第二部的另一端逐漸向所述第二信號(hào)焊盤靠近；兩個(gè)所述地焊盤的第二部與所述第二信號(hào)焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，兩個(gè)所述地焊盤的第二部與所述第二信號(hào)焊盤橫向中軸線之間的最大距離大于探針間距；

6、所述第一信號(hào)焊盤用于與多鍵合絲鍵合，所述第二信號(hào)焊盤和兩個(gè)所述地焊盤的第二部用于與所述探針配合；所述第一信號(hào)焊盤的寬度大于多鍵合絲直徑的和。

7、第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙壓點(diǎn)太赫茲組件，包括：

8、微帶傳輸線，以及上述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片；

9、其中，所述微帶傳輸線通過多鍵合絲與所述第一信號(hào)焊盤鍵合。

10、第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種雙壓點(diǎn)太赫茲組件的制備方法，應(yīng)用于制備上述的雙壓點(diǎn)太赫茲組件，包括：

11、制備得到所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片；

12、將探針扎在所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的兩個(gè)地焊盤的第二部和第二信號(hào)焊盤上，測(cè)試所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片；

13、在測(cè)試后，所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的第一信號(hào)焊盤上鍵合多鍵合絲，連接外部微帶傳輸線，制備得到雙壓點(diǎn)太赫茲組件。

14、本發(fā)明實(shí)施例提供一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片、組件及制備方法，通過將第一信號(hào)焊盤靠近雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣，便于與微帶傳輸線鍵合，通過設(shè)置兩個(gè)地焊盤的第二部與第二信號(hào)焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，兩個(gè)所述地焊盤的第二部與所述第二信號(hào)焊盤橫向中軸線之間的最大距離大于探針間距，便于探針對(duì)雙壓點(diǎn)太赫茲芯片測(cè)試，兼顧了雙壓點(diǎn)太赫茲芯片在片測(cè)試和多絲鍵合裝配的需求。該雙壓點(diǎn)太赫茲芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，當(dāng)雙壓點(diǎn)太赫茲芯片需要在片測(cè)試時(shí)，可以使用探針直接扎兩個(gè)地焊盤和第二信號(hào)焊盤小壓點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試；當(dāng)雙壓點(diǎn)太赫茲芯片需要鍵合時(shí)，第一信號(hào)焊盤大壓點(diǎn)可以保證鍵合多根鍵合絲，對(duì)比等長(zhǎng)的單絲鍵合方式，相當(dāng)于多個(gè)電感并聯(lián)，從而降低寄生電感，改善傳輸匹配。

技術(shù)特征：

1.一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，包括：基板、信號(hào)焊盤和對(duì)稱設(shè)于所述信號(hào)焊盤兩側(cè)的兩個(gè)地焊盤；所述信號(hào)焊盤和兩個(gè)所述地焊盤均設(shè)于所述基板正面的邊緣；

2.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述鍵合絲的數(shù)量為2，所述鍵合絲為鍵合金絲。

3.如權(quán)利要求2所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述鍵合金絲的形狀為拱形。

4.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，兩個(gè)所述地焊盤的第一部分別設(shè)有接地孔，所述第一部分別通過所述接地孔接地。

5.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述第二信號(hào)焊盤的形狀為矩形。

6.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述第一信號(hào)焊盤靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣的一側(cè)分別與兩個(gè)所述地焊盤的第一部靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣的一側(cè)平齊。

7.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述第二信號(hào)焊盤靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的內(nèi)部的一側(cè)分別與兩個(gè)所述地焊盤的第二部靠近所述雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的內(nèi)部的一側(cè)平齊。

8.如權(quán)利要求1所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片，其特征在于，所述第一信號(hào)焊盤為正方形。

9.一種雙壓點(diǎn)太赫茲組件，包括微帶傳輸線，以及如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的雙壓點(diǎn)太赫茲芯片；

10.一種雙壓點(diǎn)太赫茲組件的制備方法，其特征在于，應(yīng)用于制備如權(quán)利要求9所述的雙壓點(diǎn)太赫茲組件，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種雙壓點(diǎn)太赫茲芯片、組件及制備方法。該雙壓點(diǎn)太赫茲芯片雙壓點(diǎn)結(jié)構(gòu)包括：基板、信號(hào)焊盤和對(duì)稱設(shè)于信號(hào)焊盤兩側(cè)的兩個(gè)地焊盤；信號(hào)焊盤包括第一信號(hào)焊盤和第二信號(hào)焊盤，第一信號(hào)焊盤靠近雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣，第二信號(hào)焊盤靠近雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的內(nèi)部；第二信號(hào)焊盤的寬度小于第一信號(hào)焊盤的寬度；兩個(gè)地焊盤為異形焊盤，兩個(gè)地焊盤均包括互相連接的第一部和第二部，第一部靠近雙壓點(diǎn)太赫茲芯片的邊緣，第二部的一端與第一部連接，第二部的另一端逐漸向第二信號(hào)焊盤靠近；兩個(gè)地焊盤的第二部與第二信號(hào)焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，最大距離大于探針間距。本發(fā)明能夠使太赫茲芯片減小寄生電感。

技術(shù)研發(fā)人員：韓易,曹健,何美林,盧軍廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19