本申請(qǐng)實(shí)施例涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，特別涉及一種太陽(yáng)能電池及光伏組件。

背景技術(shù)：

1、目前，隨著化石能源的逐漸耗盡，太陽(yáng)電池作為新的能源替代方案，使用越來(lái)越廣泛。太陽(yáng)電池是將太陽(yáng)的光能轉(zhuǎn)換為電能的裝置。太陽(yáng)電池利用光生伏特原理產(chǎn)生載流子，然后使用電極將載流子引出，從而利于將電能有效利用。

2、目前的太陽(yáng)能電池主要包括ibc電池(交叉背電極接觸電池，interdigitatedback?contact)、topcon(tunnel?oxide?passivated?contact，隧穿氧化層鈍化接觸)電池、perc電池(鈍化發(fā)射極和背面電池，passivated?emitter?and?real?cell)以及異質(zhì)結(jié)電池等。通過(guò)不同的膜層設(shè)置以及功能性限定減少光學(xué)損失以及降低硅基底表面及體內(nèi)的光生載流子復(fù)合以提升太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

3、然而，目前的太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率仍然欠佳。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種太陽(yáng)能電池及光伏組件，至少有利于提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

2、根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)實(shí)施例一方面提供一種太陽(yáng)能電池，包括：基底，所述基底的表面具有交替排布的金屬區(qū)以及非金屬區(qū)；半導(dǎo)體摻雜層，所述半導(dǎo)體摻雜層位于所述金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的所述基底表面，所述半導(dǎo)體摻雜層內(nèi)具有p型摻雜元素；第一隧穿介質(zhì)層，所述第一隧穿介質(zhì)層位于所述非金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的所述基底表面；第一多晶硅層，所述第一多晶硅層位于所述第一隧穿介質(zhì)層表面，至少部分的所述第一多晶硅層內(nèi)摻雜有鋁元素；第一鈍化層，所述第一鈍化層位于所述半導(dǎo)體摻雜層的表面以及所述第一多晶硅層的表面；第一電極，所述第一電極位于所述金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的所述第一鈍化層表面，且所述第一電極與所述半導(dǎo)體摻雜層電連接。

3、在一些實(shí)施例中，所述第一多晶硅層包括：第一多晶硅部分，所述第一多晶硅部分位于所述第一隧穿介質(zhì)層的部分表面，所述第一多晶硅部分內(nèi)摻雜有所述鋁元素；第二多晶硅部分，所述第二多晶硅部分與所述第一多晶硅部分相鄰接且位于所述第一隧穿介質(zhì)層的其余部分表面，所述第二多晶硅部分內(nèi)摻雜有所述p型摻雜元素，第二多晶硅部分內(nèi)所述p型摻雜元素的濃度小于或等于所述半導(dǎo)體摻雜層內(nèi)所述p型摻雜元素的濃度。

4、在一些實(shí)施例中，所述第二多晶硅部分以及所述第一多晶硅部分沿第一方向交替排布，所述第一多晶硅部分沿第二方向的兩端分別與相鄰設(shè)置的兩個(gè)所述半導(dǎo)體摻雜層接觸，且部分所述第二多晶硅部分的兩端分別與相鄰設(shè)置的兩個(gè)所述半導(dǎo)體摻雜層接觸。

5、在一些實(shí)施例中，所述第二多晶硅部分位于所述半導(dǎo)體摻雜層與所述第一多晶硅部分之間。

6、在一些實(shí)施例中，所述第一多晶硅部分在所述第一多晶硅層的面積占比大于或等于60％。

7、在一些實(shí)施例中，所述鋁元素的摻雜濃度為1×1018cm-3～1×1021cm-3。

8、在一些實(shí)施例中，所述第一多晶硅層的厚度為20nm～500nm。

9、在一些實(shí)施例中，還包括：氧化鋁層，所述氧化鋁層位于所述第一多晶硅層的表面，且位于所述第一多晶硅層與所述第一鈍化層之間。

10、在一些實(shí)施例中，所述第一多晶硅層的所述鋁元素的摻雜濃度沿第三方向遞減，所述第三方向?yàn)樗龅谝欢嗑Ч鑼拥暮穸确较蚯抑赶蛩龌椎姆较颉?/p>

11、根據(jù)本申請(qǐng)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)實(shí)施例另一方面還提供一種光伏組件，包括：電池串，所述電池串由多個(gè)如上述實(shí)施例任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池構(gòu)成；封裝膠膜，用于覆蓋所述電池串的表面；蓋板，用于覆蓋所述封裝膠膜背離所述電池串的表面。

12、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

13、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池中，太陽(yáng)能電池分別具有金屬區(qū)以及非金屬區(qū)，對(duì)應(yīng)金屬區(qū)的基底表面具有半導(dǎo)體摻雜層，半導(dǎo)體摻雜層內(nèi)的p型摻雜元素可以提供較多的p型離子，從而可以作為pn結(jié)存在，有效生成并分離光生載流子，且電極與半導(dǎo)體摻雜層電連接，從而具有較低的接觸電阻，降低電學(xué)損失；對(duì)應(yīng)非金屬區(qū)的基底表面具有第一隧穿介質(zhì)層以及第一多晶硅層第一隧穿介質(zhì)層以及第一多晶硅層共同發(fā)揮的雙鈍化效果可以有效降低基底的載流子復(fù)合速率，從而提升光電轉(zhuǎn)換效率。此外，第一多晶硅層內(nèi)摻雜鋁元素，鋁元素在多晶硅內(nèi)的固溶度低，從而可以較為容易的獲得鋁元素的摻雜濃度低的第一多晶硅層，非金屬區(qū)可以避免高摻雜濃度所引起的復(fù)合損失。而且，含鋁元素的第一多晶硅層吸雜程度較好(少子壽命高)，從而可以對(duì)基底進(jìn)行更好的鈍化，從而可以提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)特征：

1.一種太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一多晶硅層包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第二多晶硅部分以及所述第一多晶硅部分沿第一方向交替排布，所述第一多晶硅部分沿第二方向的兩端分別與相鄰設(shè)置的兩個(gè)所述半導(dǎo)體摻雜層接觸，且部分所述第二多晶硅部分的兩端分別與相鄰設(shè)置的兩個(gè)所述半導(dǎo)體摻雜層接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第二多晶硅部分位于所述半導(dǎo)體摻雜層與所述第一多晶硅部分之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一多晶硅部分在所述第一多晶硅層的面積占比大于或等于60％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述鋁元素的摻雜濃度為1×1018cm-3～1×1021cm-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為20nm～500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，還包括：氧化鋁層，所述氧化鋁層位于所述第一多晶硅層的表面，且位于所述第一多晶硅層與所述第一鈍化層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一多晶硅層的所述鋁元素的摻雜濃度沿第三方向遞減，所述第三方向?yàn)樗龅谝欢嗑Ч鑼拥暮穸确较蚯抑赶蛩龌椎姆较颉?/p>

10.一種光伏組件，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，提供一種太陽(yáng)能電池及光伏組件，太陽(yáng)能電池包括：基底，基底的表面具有交替排布的金屬區(qū)以及非金屬區(qū)；半導(dǎo)體摻雜層，半導(dǎo)體摻雜層位于金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的基底表面，半導(dǎo)體摻雜層內(nèi)具有P型摻雜元素；第一隧穿介質(zhì)層，第一隧穿介質(zhì)層位于非金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的基底表面；第一多晶硅層，第一多晶硅層位于第一隧穿介質(zhì)層表面，至少部分的第一多晶硅層內(nèi)摻雜有鋁元素；第一鈍化層，第一鈍化層位于半導(dǎo)體摻雜層的表面以及第一多晶硅層的表面；第一電極，第一電極位于金屬區(qū)對(duì)應(yīng)的第一鈍化層表面，且第一電極與半導(dǎo)體摻雜層電連接。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的太陽(yáng)能電池及光伏組件至少可以提升電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：金井升,張彼克,楊楠楠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上饒晶科能源叁號(hào)智造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17