本發(fā)明的實(shí)施方式涉及基片處理系統(tǒng)和處理流體供給方法。

背景技術(shù)：

1、一直以來(lái)，已知有基片處理裝置，其在作為基片的半導(dǎo)體晶片(以下，稱為晶片。)等的表面形成防干燥用的液膜，使形成了該液膜的晶片與超臨界狀態(tài)的處理流體接觸來(lái)對(duì)該晶片進(jìn)行干燥處理(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2013-251547號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題

2、本發(fā)明提供一種技術(shù)，其能夠在用泵將液體狀態(tài)的處理流體送出時(shí)，降低由上述泵產(chǎn)生的脈動(dòng)的影響。

3、用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)手段

4、本發(fā)明的一方式的基片處理系統(tǒng)包括：利用處理流體對(duì)基片進(jìn)行處理的基片處理裝置；和對(duì)所述基片處理裝置供給所述處理流體的處理流體供給裝置。所述處理流體供給裝置包括循環(huán)通路、氣體供給通路、冷卻部、泵、分支通路、加熱部和調(diào)壓部。循環(huán)通路使所述處理流體循環(huán)。氣體供給通路將氣體狀態(tài)的所述處理流體供給到所述循環(huán)通路。冷卻部設(shè)置在所述循環(huán)通路，對(duì)氣體狀態(tài)的所述處理流體進(jìn)行冷卻以生成液體狀態(tài)的所述處理流體。泵設(shè)置在所述循環(huán)通路中的所述冷卻部的下游側(cè)。分支通路與所述循環(huán)通路中的所述泵的下游側(cè)連接，使液體狀態(tài)的所述處理流體從分支部分支。加熱部設(shè)置在所述分支部的下游側(cè)，對(duì)液體狀態(tài)的所述處理流體進(jìn)行加熱以生成超臨界狀態(tài)的所述處理流體。調(diào)壓部設(shè)置在所述循環(huán)通路中的所述加熱部的下游側(cè)且所述氣體供給通路的上游側(cè)，對(duì)超臨界狀態(tài)的所述處理流體進(jìn)行減壓以生成氣體狀態(tài)的所述處理流體。

5、發(fā)明效果

6、依照本發(fā)明，能夠在用泵將液體狀態(tài)的處理流體送出時(shí)，降低由上述泵產(chǎn)生的脈動(dòng)的影響。

技術(shù)特征：

1.一種處理流體供給方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的處理流體供給方法，其特征在于：

3.如權(quán)利要求2所述的處理流體供給方法，其特征在于：

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的處理流體供給方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種基片處理系統(tǒng)和處理流體供給方法。本發(fā)明的一方式的基片處理系統(tǒng)中的處理流體供給裝置包括：循環(huán)通路；氣體供給通路；設(shè)置在循環(huán)通路中，對(duì)氣體狀態(tài)的處理流體進(jìn)行冷卻以生成液體狀態(tài)的處理流體的冷卻部；設(shè)置在循環(huán)通路中的冷卻部的下游側(cè)的泵；與循環(huán)通路中的泵的下游側(cè)連接，使液體狀態(tài)的處理流體從分支部分支的分支通路；設(shè)置在分支部的下游側(cè)，對(duì)液體狀態(tài)的處理流體進(jìn)行加熱以生成超臨界狀態(tài)的處理流體的加熱部；設(shè)置在循環(huán)通路中的加熱部的下游側(cè)且氣體供給通路的上游側(cè)，對(duì)超臨界狀態(tài)的處理流體進(jìn)行減壓以生成氣體狀態(tài)的處理流體的調(diào)壓部。由此，能夠在將液體狀態(tài)的處理流體由泵送出時(shí)降低由上述泵產(chǎn)生的脈動(dòng)的影響。

技術(shù)研發(fā)人員：清原康雄,稻富弘朗,岡村聰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17