實施例與半導(dǎo)體制造領(lǐng)域相關(guān)，并且具體而言與用于測量移動的工藝套件的位置和侵蝕的方法和裝置相關(guān)。

背景技術(shù)：

1、在基板(諸如，半導(dǎo)體晶片)的處理中，基板被放置在處理腔室中的支撐表面(例如，靜電吸盤(esc))上。一般而言，工藝套件被放置在支撐表面周圍以在基板處理期間提供所需的處理特性。例如，工藝套件可以用來幫助在等離子體腔室中對等離子體塑形，以跨晶片提供更均勻的工藝。如此，通常需要控制工藝套件的頂表面相對于正被處理的基板的頂表面的定位，以實現(xiàn)所需的處理結(jié)果。

2、在安裝工藝套件之后，可以實現(xiàn)各種測試(諸如，蝕刻速率測試或顆粒測試)以確認(rèn)工藝套件相對于經(jīng)處理的基板適當(dāng)?shù)囟ㄎ弧Ｈ欢?，此類測試是昂貴的，并且可能要花數(shù)小時來完成。并且，工藝套件可能在基板的處理期間被侵蝕。如此，可能需要調(diào)整工藝套件以重設(shè)基板表面與工藝套件的頂表面之間的關(guān)系。目前，直到在經(jīng)處理的基板上發(fā)現(xiàn)可觀察的缺陷之后才適當(dāng)?shù)亟缍ㄇ治g速率并且可作出調(diào)整。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文中所公開的實施例包括一種校準(zhǔn)處理腔室的方法。在實施例中，該方法包括以下步驟：將傳感器晶片放置到處理腔室中的支撐表面上，其中在z方向上能移位的工藝套件定位在支撐表面周圍。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：用傳感器晶片的邊緣表面上的傳感器測量傳感器晶片與工藝套件之間的第一間隙距離。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使工藝套件在z方向上移位。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：測量傳感器晶片與工藝套件之間的額外間隙距離。

2、本文中所公開的實施例包括一種用于測量工藝套件的侵蝕的方法。在實施例中，該方法包括以下步驟：將傳感器晶片放置在處理工具中的支撐表面上。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使用傳感器晶片上的傳感器將環(huán)繞支撐表面的工藝套件的頂表面與傳感器晶片的頂表面對準(zhǔn)。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：從支撐表面移除傳感器晶片。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：在處理工具中處理一個或多個器件基板。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：將傳感器晶片放置在支撐表面上。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：用傳感器晶片的邊緣表面上的傳感器測量傳感器晶片與工藝套件之間的間隙距離。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使工藝套件在z方向上移位。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：再次測量傳感器晶片與工藝套件之間的間隙距離。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：重復(fù)使工藝套件移位以及測量間隙距離的操作，直到連續(xù)的間隙距離測量值彼此相等為止。

3、本文中所公開的實施例包括一種傳感器晶片。在實施例中，該傳感器晶片包括：基板，具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，第一表面和第二表面通過邊緣表面連接。在實施例中，該傳感器晶片進一步包括：多個傳感器，位于基板的周邊周圍，其中這些傳感器中的每一個是面向外部的位置傳感器。

技術(shù)特征：

1.一種傳感器晶片，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器位于所述邊緣表面上。

3.如權(quán)利要求1所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器在所述第一表面上方延伸。

4.如權(quán)利要求1所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器中的每一個是自參考電容式傳感器。

5.如權(quán)利要求1所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器中的每一個是電容式傳感器。

6.如權(quán)利要求1所述的傳感器晶片，其中所述傳感器晶片用于執(zhí)行一種校準(zhǔn)處理腔室的方法，所述方法包括：

7.一種傳感器晶片，包括：

8.如權(quán)利要求7所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器位于所述邊緣表面上。

9.如權(quán)利要求7所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器在所述第一表面上方延伸。

10.如權(quán)利要求7所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器中的每一個是自參考電容式傳感器。

11.如權(quán)利要求7所述的傳感器晶片，其中所述多個傳感器中的每一個是電容式傳感器。

技術(shù)總結(jié)
本文中所公開的實施例包括一種校準(zhǔn)處理腔室的方法。在實施例中，該方法包括以下步驟：將傳感器晶片放置到處理腔室中的支撐表面上，其中在Z方向上能移位的工藝套件定位在支撐表面周圍。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：用該傳感器晶片的邊緣表面上的傳感器測量傳感器晶片與工藝套件之間的第一間隙距離。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：使工藝套件在Z方向上移位。在實施例中，該方法進一步包括以下步驟：測量傳感器晶片與工藝套件之間的額外間隙距離。

技術(shù)研發(fā)人員：C·G·波特,E·莫,S·洛佩茲卡巴加爾
受保護的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17