本發(fā)明涉及晶圓加工設備，具體涉及一種低溫去膠設備。

背景技術：

1、芯片是現(xiàn)代信息技術的基石，其用途廣泛，在芯片制造過程中會涉及涂膠、金屬鍍膜、銦柱生長、剝離去膠工序。其中，剝離去膠的目的為剝離去掉不需要的金屬薄層與光刻膠，使得金屬圖形化。

2、現(xiàn)有技術中，低溫去膠設備是進行剝離去膠工序的一種設備，其通過線圈對工藝氣體進行電離，使工藝氣體被電離成等離子體，并通過導向環(huán)將等離子體導向至放置晶圓的腔體內，從而使得等離子體與晶圓表面的光刻膠接觸，進而對光刻膠進行刻蝕，另外，低溫去膠設備中還設置有冷卻系統(tǒng)和偏置電源，從而使得冷卻系統(tǒng)對放置晶圓的腔體內的溫度進行控制，使腔體內的溫度控制在低溫范圍，而偏置電源則能夠改善等離子體的低溫工藝能力，進而使得等離子體刻蝕晶圓表面的光刻膠的速率能夠提高。

3、但是，現(xiàn)有的低溫去膠設備，其通過導向環(huán)將等離子體導向至放置晶圓的腔體內，從而使得等離子體在導向環(huán)出口處聚集較多，進而使得腔體內的晶圓的刻蝕速率不同，導致晶圓表面去膠的均勻性較差。

技術實現(xiàn)思路

1、因此，本發(fā)明所要解決的技術問題在于克服現(xiàn)有的低溫去膠設備的效率和安全性無法滿足在復雜和變化的施工環(huán)境下的懸索橋的施工的缺陷。

2、為此，本發(fā)明提供一種低溫去膠設備，包括：

3、本體，所述本體具有工藝腔以及與所述工藝腔連通設置的進口和出口，所述進口和所述出口相對設置，工藝氣體適于通過所述進口流入所述工藝腔內，且適于通過所述出口流出所述工藝腔；

4、阻擋組件，設置在所述工藝腔內、且設置在所述進口和所述出口之間，以將所述工藝腔分隔為工作腔和流出腔，所述阻擋組件上開設有若干連通部，任一所述連通部連通所述工作腔和所述流出腔；

5、其中，所述進口與所述工作腔連通，所述出口與所述流出腔連通，且所述工作腔內適于放置待加工件，所述阻擋組件適于阻擋工藝氣體的流動，以在工藝氣體從所述工作腔向所述流出腔流動時，所述阻擋組件阻擋工藝氣體的流動，且使工藝氣體通過所有的所述連通部流入所述流出腔內。

6、可選地，上述的低溫去膠設備，所述阻擋組件包括阻擋件和導流件，所述導流件設置在所述阻擋件上、且設置在所述流出腔內，所有的所述連通部均對應所述導流件開設在所述阻擋件上；

7、所述導流件上開設有若干導流部，任一所述導流部與一所述連通部對應連通設置，且所述導流部的軸線與所述連通部的軸線垂直設置。

8、可選地，上述的低溫去膠設備，還包括電離件，所述電離件設置在所述工作腔內，在電力作用下，所述電離件適于將工藝氣體電離成等離子體，所述等離子體適于刻蝕所述待加工件。

9、可選地，上述的低溫去膠設備，還包括導向件，所述導向件設置在所述工作腔內，且設置在所述電離件和所述阻擋件之間，所述導向件適于導向所述等離子體。

10、可選地，上述的低溫去膠設備，所述阻擋件上開設有安裝部，所述安裝部避讓所有的所述連通部；

11、還包括冷卻件，所述冷卻件設置在所述安裝部內，且在電力作用下，所述冷卻件適于冷卻所述等離子體，所述待加工件適于設置在所述冷卻件上。

12、可選地，上述的低溫去膠設備，還包括電源件，所述電源件設置在所述本體上，在電力作用下，所述電源件適于向所述工作腔內的所述待加工件提供偏壓。

13、可選地，上述的低溫去膠設備，所述本體具有至少兩個所述工藝腔，兩個所述工藝腔間隔設置，且任一所述工藝腔內對應設置有所述阻擋組件、所述電離件、所述導向件和所述電源件。

14、可選地，上述的低溫去膠設備，所述本體包括分隔件，所述分隔件設置在兩個所述工藝腔之間，以分隔兩個所述工藝腔，且使兩個所述工藝腔間隔設置。

15、可選地，上述的低溫去膠設備，所述分隔件的一側開設有讓位部，所述讓位部連通兩個所述工藝腔，且所述讓位部適于為外界機械手提供工作空間。

16、可選地，上述的低溫去膠設備，還包括至少兩個隔檔件，兩個所述隔檔件分別設置在所述讓位部的兩側，且任一隔檔件的一端與所述分隔件連接，且另一端伸向一所述工作腔內。

17、本發(fā)明提供的技術方案，具有如下優(yōu)點：

18、1.本發(fā)明提供的低溫去膠設備，通過設置在本體內的阻擋組件，其中，本體具有工藝腔以及與工藝腔連通設置的進口和出口，且進口和出口之間為相對設置，而工藝氣體則能夠通過進口流入工藝腔內，且還能夠通過出口流出工藝腔，阻擋組件則具體設置在工藝腔內、且設置在進口和出口之間，從而將工藝腔分隔為工作腔和流出腔，且進口與工作腔連通，出口與流出腔連通，同時，阻擋組件上開設有若干連通部，每個連通部都能夠連通工作腔和流出腔，從而使得通過進口流入工作腔內的工藝氣體在向出口流動時，必須通過阻擋組件上的連通部才能夠從工作腔流入至流出腔內，之后工藝氣體才能夠通過出口流出流出腔，另外，工作腔內能夠放置待加工件，在工藝氣體通過進口流入工作腔內時，工藝氣體會與待加工件的表面接觸，從而對待加工件進行加工，而由于阻擋組件的阻擋，使得工藝氣體的大部分在工作腔內堆積，小部分通過連通部流入至流出腔內，使得工作腔內的工藝氣體的分布較為均勻，從而使得待加工件的表面散布的工藝氣體的量較為平均，進而使得待加工件表面的加工均勻性得到提高。

技術特征：

1.一種低溫去膠設備，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的低溫去膠設備，其特征在于，所述阻擋組件(2)包括阻擋件(21)和導流件(22)，所述導流件(22)設置在所述阻擋件(21)上、且設置在所述流出腔(112)內，所有的所述連通部(211)均對應所述導流件(22)開設在所述阻擋件(21)上；

3.根據(jù)權利要求2所述的低溫去膠設備，其特征在于，還包括電離件(3)，所述電離件(3)設置在所述工作腔(111)內，在電力作用下，所述電離件(3)適于將工藝氣體電離成等離子體，所述等離子體適于刻蝕所述待加工件。

4.根據(jù)權利要求3所述的低溫去膠設備，其特征在于，還包括導向件(4)，所述導向件(4)設置在所述工作腔(111)內，且設置在所述電離件(3)和所述阻擋件(21)之間，所述導向件(4)適于導向所述等離子體。

5.根據(jù)權利要求4所述的低溫去膠設備，其特征在于，所述阻擋件(21)上開設有安裝部(212)，所述安裝部(212)避讓所有的所述連通部(211)；

6.根據(jù)權利要求5所述的低溫去膠設備，其特征在于，還包括電源件(6)，所述電源件(6)設置在所述本體(1)上，在電力作用下，所述電源件(6)適于向所述工作腔(111)內的所述待加工件提供偏壓。

7.根據(jù)權利要求6所述的低溫去膠設備，其特征在于，所述本體(1)具有至少兩個所述工藝腔(11)，兩個所述工藝腔(11)間隔設置，且任一所述工藝腔(11)內對應設置有所述阻擋組件(2)、所述電離件(3)、所述導向件(4)和所述電源件(6)。

8.根據(jù)權利要求1-7中任一項所述的低溫去膠設備，其特征在于，所述本體(1)包括分隔件(14)，所述分隔件(14)設置在兩個所述工藝腔(11)之間，以分隔兩個所述工藝腔(11)，且使兩個所述工藝腔(11)間隔設置。

9.根據(jù)權利要求8所述的低溫去膠設備，其特征在于，所述分隔件(14)的一側開設有讓位部，所述讓位部連通兩個所述工藝腔(11)，且所述讓位部適于為外界機械手提供工作空間。

10.根據(jù)權利要求9所述的低溫去膠設備，其特征在于，還包括至少兩個隔檔件(7)，兩個所述隔檔件(7)分別設置在所述讓位部的兩側，且任一隔檔件(7)的一端與所述分隔件(14)連接，且另一端伸向一所述工作腔(111)內。

技術總結
本發(fā)明公開了一種低溫去膠設備，包括本體和阻擋組件，本體具有工藝腔以及與工藝腔連通設置的進口和出口，進口和出口相對設置，工藝氣體適于通過進口流入工藝腔內，且適于通過出口流出工藝腔；阻擋組件設置在工藝腔內、且設置在進口和出口之間，以將工藝腔分隔為工作腔和流出腔，阻擋組件上開設有若干連通部，任一連通部連通工作腔和流出腔；其中，進口與工作腔連通，出口與流出腔連通，且工作腔內適于放置待加工件，阻擋組件適于阻擋工藝氣體的流動，以在工藝氣體從工作腔向流出腔流動時，阻擋組件阻擋工藝氣體的流動，且使工藝氣體通過所有的連通部流入流出腔內。上述結構的低溫去膠設備，能夠提高待加工件表面的加工均勻性。

技術研發(fā)人員：高修奎,戴建波,石宇
受保護的技術使用者：無錫邑文微電子科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19