本發(fā)明涉及一種線圈裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、用于感應(yīng)或促進(jìn)電磁力的線圈裝置，廣泛適用于如振動(dòng)電機(jī)、天線、發(fā)電機(jī)、濾波器、電感器、磁盤(pán)、攝像頭模塊等多種領(lǐng)域。其中，在攝像頭模塊領(lǐng)域中的線圈裝置，可以在如光學(xué)影像穩(wěn)定器(ois；optical?image?stabilizer)方式中適用于對(duì)圖像傳感器或鏡頭光學(xué)系統(tǒng)的位置或角度進(jìn)行機(jī)械性調(diào)節(jié)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)中。而且，隨著搭載于小型移動(dòng)設(shè)備的攝像頭模塊縮小至幾十mm以內(nèi)的大小，安裝在攝像頭模塊中的執(zhí)行機(jī)構(gòu)也趨于小型化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問(wèn)題

2、與此同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)線圈裝置的小型化，主要使用在基板上側(cè)面以螺旋形形成導(dǎo)體圖案的薄膜型(thin?film?type)線圈裝置。最近，為了在實(shí)現(xiàn)形成于基板上側(cè)面的導(dǎo)體圖案的微間距(fine?pitch)的同時(shí)確?？梢则?qū)動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)的電磁力，開(kāi)發(fā)出了增加導(dǎo)體圖案的厚度的技術(shù)。

3、但是，當(dāng)在導(dǎo)體圖案的電鍍工程中為了增加厚度而延長(zhǎng)電鍍時(shí)間時(shí)會(huì)導(dǎo)致無(wú)法穩(wěn)定地維持圖案形狀的問(wèn)題，而且還會(huì)因?yàn)殡婂兤疃斐蓪?dǎo)體圖案上部電鍍過(guò)度的現(xiàn)象，從而因?yàn)闊o(wú)法維持微細(xì)的圖案間距而導(dǎo)致短路等電路不良的問(wèn)題。此外，因?yàn)檫M(jìn)線導(dǎo)線會(huì)與導(dǎo)體圖案一起被電鍍并變厚，因此會(huì)導(dǎo)致移除進(jìn)線導(dǎo)線的加工步驟中的加工性的下降。不僅如此，導(dǎo)體圖案和/或進(jìn)線導(dǎo)線會(huì)因?yàn)槊?burr)而形成不光滑的表面，或因?yàn)槌掷m(xù)施加的沖擊力而導(dǎo)致外觀損壞的問(wèn)題。

4、本發(fā)明擬解決的課題在于提供一種可以在將不良率最小化的同時(shí)增加導(dǎo)體圖案厚度的線圈裝置。

5、本發(fā)明擬解決的另一課題在于提供一種可以在將不良率最小化的同時(shí)增加導(dǎo)體圖案厚度的線圈裝置的制造方法。

6、本發(fā)明的課題并不限定于在上述內(nèi)容中提及的課題，相關(guān)從業(yè)人員將可以通過(guò)下述記載進(jìn)一步明確理解未被提及的其他課題。

7、用于解決問(wèn)題的方案

8、為了達(dá)成如上所述的課題，本發(fā)明的線圈裝置的一方面(aspect)，包括：基材；晶種圖案，形成于上述基材上，包括晶種區(qū)域以及進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域；第1導(dǎo)電圖案，形成于上述晶種區(qū)域上；第2導(dǎo)電圖案，形成于上述第1導(dǎo)電圖案的至少一部分；以及，保護(hù)層，以與上述基材、晶種圖案、第1導(dǎo)電圖案以及第2導(dǎo)電圖案中的至少一個(gè)以上接觸的方式形成；其中，上述進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域的晶種圖案延長(zhǎng)至切割線。

9、其中，上述晶種圖案可以以0.1μm～5μm的厚度形成。

10、此外，上述第1導(dǎo)電圖案的厚度h1與寬度a的比例可以是1:1至5:1。上述第2導(dǎo)電圖案的寬度b可以是相鄰的第2導(dǎo)電圖案之間的間隔s的1至50倍。上述第2導(dǎo)電圖案的厚度h2可以是相鄰的第2導(dǎo)電圖案之間的間隔s的1.01至50倍。

11、此外，上述第1或第2導(dǎo)電圖案，可以包括沿著第n邊形成或以被連接上述第n邊以及第n-1邊的轉(zhuǎn)角區(qū)域圍繞的方式形成的第n圖案。

12、此外，上述保護(hù)層，可以包括：第1保護(hù)層，形成于進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域；以及，第2保護(hù)層，以與上述基材、晶種圖案、第1導(dǎo)電圖案、第2導(dǎo)電圖案以及第1保護(hù)層中的至少一個(gè)以上接觸的方式形成于進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域或晶種區(qū)域。

13、上述第1保護(hù)層可以配置在上述第1導(dǎo)電圖案中配置在最外側(cè)的圖案的外側(cè)。

14、同時(shí)，電子裝置可以包括如上所述的線圈裝置。

15、為了達(dá)成如上所述的另一課題，本發(fā)明的線圈裝置的制造方法的一方面(aspect)，可以包括：提供形成有晶種層的基材；在上述晶種層上形成第1導(dǎo)電圖案以及保護(hù)層；移除通過(guò)上述第1導(dǎo)電圖案以及上述保護(hù)層裸露的上述晶種層，從而形成晶種圖案；以及，在上述第1導(dǎo)電圖案的至少一部分形成第2導(dǎo)電圖案。

16、其中，形成上述第1導(dǎo)電圖案以及上述保護(hù)層時(shí)，可以在上述晶種層上形成包括多個(gè)部分圖案的第1導(dǎo)電圖案以及虛擬圖案，上述多個(gè)部分圖案可以包括配置在上述多個(gè)部分圖案中的最外側(cè)的第1部分圖案以及配置在上述第1部分圖案的內(nèi)側(cè)的第2部分圖案，上述虛擬圖案可以配置在上述第1部分圖案的外側(cè)，而在形成上述第1導(dǎo)電圖案之后，還可以包括：在上述第1部分圖案與上述虛擬圖案之間形成上述保護(hù)層。

17、其中，在形成上述晶種圖案之后，還可以包括：移除保護(hù)層的過(guò)程。

18、此外，上述晶種圖案可以裸露于上述基材的轉(zhuǎn)角區(qū)域的至少一部分，在形成上述第2導(dǎo)電圖案時(shí)，可以通過(guò)裸露于上述轉(zhuǎn)角區(qū)域的晶種圖案加載電流以及電壓中的至少一種而以電鍍方式形成第2導(dǎo)電圖案。

19、此外，在形成上述第2導(dǎo)電圖案之后，還可以包括：形成與上述基材、晶種圖案、第1導(dǎo)電圖案、第2導(dǎo)電圖案中的至少一個(gè)以上接觸的保護(hù)層的過(guò)程。

20、此外，在形成上述第2導(dǎo)電圖案之后，還可以包括：對(duì)上述第1部分圖案和上述保護(hù)層、上述晶種圖案、上述基材進(jìn)行切割。

21、其他實(shí)施例的具體事項(xiàng)包含于詳細(xì)的說(shuō)明以及附圖中。

22、發(fā)明效果

23、通過(guò)本發(fā)明，可以將線圈裝置的不良率最小化，并增加線圈裝置內(nèi)的導(dǎo)電圖案的厚度。

技術(shù)特征：

1.一種線圈裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求4所述的線圈裝置，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求7所述的線圈裝置，其特征在于：

9.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的線圈裝置的電子裝置。

10.一種線圈裝置的制造方法，其特征在于，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線圈裝置的制造方法，其特征在于：

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線圈裝置的制造方法，其特征在于：

13.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的線圈裝置的制造方法，其特征在于：

14.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求13所述的線圈裝置的制造方法，其特征在于：

15.根據(jù)權(quán)利要求10或權(quán)利要求13所述的線圈裝置的制造方法，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
提供一種可以在將不良率最小化的同時(shí)增加導(dǎo)體圖案的厚度的線圈裝置。上述線圈裝置，包括：基材；晶種圖案，形成于上述基材上，包括晶種區(qū)域以及進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域；第1導(dǎo)電圖案，形成于上述晶種區(qū)域上；第2導(dǎo)電圖案，形成于上述第1導(dǎo)電圖案的至少一部分；以及，保護(hù)層，以與上述基材、晶種圖案、第1導(dǎo)電圖案以及第2導(dǎo)電圖案中的至少一個(gè)以上接觸的方式形成；其中，上述進(jìn)線導(dǎo)線區(qū)域的晶種圖案延長(zhǎng)至切割線。

技術(shù)研發(fā)人員：金榮晙,韓昌勛,金東坤,申秀貞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：斯天克有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19