本文涉及但不限于顯示，尤指一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術：

1、透明顯示器是指顯示器本身具有一定程度的光穿透性，既可以看到顯示器顯示的畫面，又可以看到顯示器后面的信息。目前，透明顯示器已被廣泛應用于展示櫥窗、透明電視、車載、虛擬顯示（vr，virtual?reality）、增強現實（ar，augmented?reality）等領域。

技術實現思路

1、以下是對本文詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

2、本公開實施例提供了一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

3、一方面，本公開實施例提供了一種顯示基板，包括：基底以及設置在所述基底上的多個子像素。至少一個子像素包括透光區(qū)和顯示區(qū)。所述顯示區(qū)包括：設置在所述基底上的電路結構層和發(fā)光元件；所述發(fā)光元件與電路結構層連接。所述顯示基板還包括設置在所述基底上的多個絕緣層，至少一個絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

4、在一些示例性實施方式中，所述多個絕緣層包括：至少一個有機絕緣層和多個無機絕緣層；至少一個有機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空，或者，至少一個無機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

5、在一些示例性實施方式中，所述透光區(qū)設置有多個絕緣層，所述多個絕緣層中相鄰絕緣層的折射率差值的絕對值小于或等于0.5。

6、在一些示例性實施方式中，所述顯示區(qū)還包括以下至少之一：位于所述電路結構層靠近所述基底一側的第一防反射層、位于所述電路結構層遠離所述基底一側的第二防反射層。

7、在一些示例性實施方式中，所述電路結構層包括：設置在所述基底上的第一導電層、半導體層、第二導電層、第三導電層、第四導電層和第五導電層。所述多個絕緣層包括：位于所述基底與第一導電層之間的第一絕緣層、位于所述第一導電層與半導體層之間的第二絕緣層、位于所述半導體層和第二導電層之間的第三絕緣層、位于所述第二導電層和第三導電層之間的第四絕緣層、位于所述第三導電層和第四導電層之間的第五絕緣層、位于所述第四導電層和第五導電層之間的第六絕緣層和第七絕緣層、位于所述第五導電層與第二防反射層之間的第八絕緣層和第九絕緣層。其中，所述第一絕緣層至第五絕緣層、第七絕緣層和第八絕緣層為無機絕緣層；所述第六絕緣層和第九絕緣層為有機絕緣層。

8、在一些示例性實施方式中，所述第一防反射層和所述第一導電層為一體結構。

9、在一些示例性實施方式中，所述第一防反射層在所述基底上的正投影至少包含所述第五導電層在所述基底上的正投影。

10、在一些示例性實施方式中，所述第一防反射層朝向所述基底的表面的反射率至少低于所述第五導電層朝向所述基底的表面的反射率。

11、在一些示例性實施方式中，所述第一防反射層的材料的反射率小于所述第五導電層的材料的反射率。

12、在一些示例性實施方式中，所述第二防反射層在所述基底上的正投影包含所述發(fā)光元件和第五導電層在所述基底上的交疊區(qū)域之外的顯示區(qū)內的區(qū)域。

13、在一些示例性實施方式中，所述第一絕緣層采用sinx和siox疊層結構，第二絕緣層的材料為siox，第三絕緣層采用siox和sinx疊層結構，第四絕緣層的材料為sinx，第五絕緣層采用siox和sinx疊層結構，第七絕緣層和第八絕緣層的材料為sinx?；蛘?，所述第一絕緣層的材料為siox，第二絕緣層的材料為siox，第三絕緣層采用siox和sinx疊層結構，第四絕緣層的材料為sinx，第五絕緣層的材料為sinx，第七絕緣層和第八絕緣層的材料為sinx。

14、在一些示例性實施方式中，所述第一絕緣層和第五絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述第一絕緣層至所述第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述第六絕緣層和第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述透光區(qū)僅設置第六絕緣層和第九絕緣層。

15、在一些示例性實施方式中，所述顯示基板還包括：增透層，位于所述基底遠離所述子像素的一側；所述增透層在所述基底上的正投影覆蓋所述透光區(qū)和顯示區(qū)。

16、另一方面，本公開實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。

17、另一方面，本公開實施例提供一種顯示基板的制備方法，用于制備如上所述的顯示基板，所述制備方法，包括：在基底上形成多個子像素，至少一個子像素包括透光區(qū)和顯示區(qū)；所述顯示區(qū)包括：設置在基底上的電路結構層和發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與電路結構層連接；所述顯示區(qū)還設置有多個絕緣層，所述至少一個絕緣層在透光區(qū)鏤空。

18、在一些示例性實施方式中，所述在基底上形成多個子像素，包括：在所述基底上依次形成第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層、半導體層、第三絕緣層、第二導電層、第四絕緣層、第三導電層、第五絕緣層、第四導電層、第六絕緣層、第七絕緣層、第五導電層、第八絕緣層和第九絕緣層。所述半導體層、第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層、第五導電層位于所述顯示區(qū)；所述第六絕緣層和第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

19、在一些示例性實施方式中，所述在基底上形成多個子像素還包括：在形成第二絕緣層之前，去除所述透光區(qū)的第一絕緣層；在形成第六絕緣層之前，去除所述透光區(qū)的第五絕緣層。

20、在一些示例性實施方式中，所述在基底上形成多個子像素還包括：在形成第八絕緣層之后，或者，在形成第九絕緣層之后，去除透光區(qū)的第一絕緣層至第五絕緣層、以及第七絕緣層和第八絕緣層。

21、在一些示例性實施方式中，所述在基底上形成多個子像素包括：在所述基底上依次形成第一絕緣層、第一導電層、第二絕緣層、半導體層、第三絕緣層、第二導電層、第四絕緣層、第三導電層、第五絕緣層、第四導電層、第六絕緣層、第七絕緣層、第五導電層、第八絕緣層和第九絕緣層。所述半導體層、第一導電層、第二導電層、第三導電層、第四導電層、第五導電層位于所述顯示區(qū)。在形成第六絕緣層之前，去除所述透光區(qū)的第一絕緣層至第五絕緣層，在形成第九絕緣層之前，去除所述透光區(qū)的第七絕緣層和第八絕緣層。

22、在閱讀并理解了附圖和詳細描述后，可以明白其他方面。

技術特征：

1.一種顯示基板，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述多個絕緣層包括：至少一個有機絕緣層和多個無機絕緣層；至少一個有機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空，或者，至少一個無機絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

3.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述透光區(qū)設置有多個絕緣層，所述多個絕緣層中相鄰絕緣層的折射率差值的絕對值小于或等于0.5。

4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示區(qū)還包括以下至少之一：位于所述電路結構層靠近所述基底一側的第一防反射層、位于所述電路結構層遠離所述基底一側的第二防反射層。

5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述第一防反射層和所述第一導電層為一體結構。

6.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述第二防反射層在所述基底上的正投影包含所述發(fā)光元件和第五導電層在所述基底上的交疊區(qū)域之外的顯示區(qū)內的區(qū)域。

7.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，所述電路結構層還包括：設置在所述基底上的半導體層、第二導電層、第三導電層和第四導電層；

8.根據權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述第二絕緣層的材料為siox，所述第三絕緣層采用siox和sinx疊層結構，所述第四絕緣層的材料為sinx，所述第五絕緣層采用siox和sinx疊層結構，所述第七絕緣層和所述第八絕緣層的材料為sinx；

9.根據權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述第五絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述第二絕緣層至所述第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述第六絕緣層和所述第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空；或者，所述透光區(qū)僅設置所述第六絕緣層和所述第九絕緣層。

10.根據權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述多個絕緣層還包括：位于所述基底和所述第一導電層之間的第一絕緣層，所述第一絕緣層為無機絕緣層；所述第一絕緣層采用sinx和siox疊層結構，或者，所述第一絕緣層的材料為siox。

11.根據權利要求10所述的顯示基板，其特征在于，所述第一絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

12.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括：增透層，位于所述基底遠離所述子像素的一側；所述增透層在所述基底上的正投影覆蓋所述透光區(qū)和所述顯示區(qū)。

13.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至12中任一項所述的顯示基板。

14.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，用于制備如權利要求1至12中任一項所述的顯示基板，所述制備方法，包括：在基底上形成多個子像素，所述多個子像素中的至少一個子像素包括透光區(qū)和顯示區(qū)；所述顯示區(qū)包括：設置在所述基底上的電路結構層和發(fā)光元件，所述發(fā)光元件與所述電路結構層連接，所述電路結構層包括：設置在所述基底上的第一導電層和第五導電層，所述第五導電層設置在所述第一導電層遠離所述基底的一側，所述第一導電層在所述基底上的正投影至少包含所述第五導電層在所述基底上的正投影，所述第五導電層的材料包括銅，所述第一導電層的材料的反射率小于所述第五導電層的材料的反射率；所述顯示區(qū)還設置有多個絕緣層，所述多個絕緣層中的至少一個絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

15.根據權利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成多個子像素，包括：在所述基底上依次形成第一導電層、第二絕緣層、半導體層、第三絕緣層、第二導電層、第四絕緣層、第三導電層、第五絕緣層、第四導電層、第六絕緣層、第七絕緣層、第五導電層、第八絕緣層和第九絕緣層；所述半導體層、所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層、所述第四導電層和所述第五導電層位于所述顯示區(qū)；所述第六絕緣層和所述第九絕緣層在所述透光區(qū)鏤空。

16.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成多個子像素還包括：在形成所述第六絕緣層之前，去除所述透光區(qū)的所述第五絕緣層。

17.根據權利要求15所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成多個子像素還包括：在形成所述第八絕緣層之后，或者，在形成所述第九絕緣層之后，去除所述透光區(qū)的第二絕緣層至所述第五絕緣層、以及所述第七絕緣層和所述第八絕緣層。

18.根據權利要求14所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成多個子像素包括：在所述基底上依次形成第一導電層、第二絕緣層、半導體層、第三絕緣層、第二導電層、第四絕緣層、第三導電層、第五絕緣層、第四導電層、第六絕緣層、第七絕緣層、第五導電層、第八絕緣層和第九絕緣層；所述半導體層、所述第一導電層、所述第二導電層、所述第三導電層、所述第四導電層和所述第五導電層位于所述顯示區(qū)；

19.根據權利要求15至18中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上形成多個子像素還包括：

技術總結
一種顯示基板，包括：基底以及設置在基底上的多個子像素。至少一個子像素包括透光區(qū)和顯示區(qū)。顯示區(qū)包括：設置在基底上的電路結構層和發(fā)光元件，發(fā)光元件與電路結構層連接。顯示基板還包括設置在基底上的多個絕緣層，至少一個絕緣層在透光區(qū)鏤空。

技術研發(fā)人員：薛大鵬,董水浪,王珂,曹占鋒
受保護的技術使用者：京東方科技集團股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/17