本發(fā)明涉及多芯片csp封裝，尤其涉及ipc?h01l?25領(lǐng)域，更具體的，涉及一種可調(diào)光csp燈珠的制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著科技及社會(huì)的發(fā)展，人們對(duì)于色彩的需求更加明確，無論是城市照明還是消費(fèi)電子氛圍顯示，都需要五彩斑斕的效果，因此為實(shí)現(xiàn)這些需求就要求燈具的調(diào)光功能除了要求調(diào)節(jié)亮度之外，還追求對(duì)燈具色溫以及氛圍光等調(diào)光功能。芯片級(jí)封裝（csp）技術(shù)展十分迅速，成為了國(guó)內(nèi)外led?行業(yè)的研究熱點(diǎn)，現(xiàn)有技術(shù)最常見的有兩種方案：一種是采用紅綠藍(lán)（rgb）三基色進(jìn)行調(diào)色，另一種是采用紅綠藍(lán)白（rgbw）四色進(jìn)行調(diào)色。盡管這兩種方案可以實(shí)現(xiàn)一定范圍的調(diào)光調(diào)色，但是需要采用不同的元件各自獨(dú)立地完成氛圍光以及色溫的調(diào)光功能，這通常需要使用至少3種不同顏色/色溫的發(fā)光單元，成本相對(duì)高。現(xiàn)有rgb或rgbw封裝存在問題：使用的r紅光芯片是b藍(lán)光芯片的4倍，造成器件成本較高，低消費(fèi)領(lǐng)域不適用；傳統(tǒng)封裝rgb發(fā)光單元體積較大，無法應(yīng)用超薄3c產(chǎn)品，如超薄筆電鍵盤。

2、cn?108922882?a提供了一種雙芯片csp封裝結(jié)構(gòu)，不僅封裝結(jié)構(gòu)面積小制作工序簡(jiǎn)單成本低，同時(shí)散熱性能好，使用壽命長(zhǎng)，色域水平高。包括散熱基板和兩個(gè)不同光波波段的倒裝led芯片，所述散熱基板為平板結(jié)構(gòu)，兩個(gè)所述倒裝led芯片封裝成一個(gè)csp芯片焊接在所述散熱基板上；兩個(gè)所述led芯片的周圍包覆有熒光粉層，配合激發(fā)出白光。但其工藝較為復(fù)雜，成本相對(duì)高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種可調(diào)光csp燈珠的制備方法，包括以下步驟：

2、步驟1：分別制備第一硅膠膜和第二硅膠膜備用，所述第二硅膠膜包括二氧化鈦硅膠膜和二氧化硅硅膠膜；

3、步驟2：取藍(lán)光芯片，按照固定的間距排列于基板上；

4、步驟3：將第一硅膠膜貼在藍(lán)光芯片表層；

5、步驟4：將二氧化鈦硅膠膜貼在芯片步驟3制備樣品的表層，使用墊片進(jìn)行真空壓合，再將表層進(jìn)行拋光研磨；

6、步驟5：將二氧化硅硅膠膜貼在步驟4制備樣品的表層，使用墊片進(jìn)行真空壓合；

7、步驟6：將步驟5制備的樣品進(jìn)行固化，切割后即得。

8、所述第一硅膠膜包括透明硅膠膜、紅色硅膠膜和綠色硅膠膜。

9、所述第一硅膠膜的制備原料包括硅膠，所述硅膠的折射率為1.47-1.58。

10、優(yōu)選的，所述第一硅膠膜的制備原料包括硅膠，所述硅膠的折射率為1.50-1.58。

11、本申請(qǐng)研究發(fā)現(xiàn)，使用硅膠比傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂具有更好的耐高溫特性，同時(shí)csp可以直接和電路基板焊接增加散熱面積，提升其使用過程中的穩(wěn)定性。但由于硅膠貼合過程中平整度不易控制，發(fā)光亮度均一性會(huì)受到一定的影響，本申請(qǐng)進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)通過特定的硅膠固化工藝基礎(chǔ)上增加步驟4硅膠半固化工藝，可有效解決亮度均一性的問題，可能半固化硅膠工藝結(jié)合真空壓合工藝提供了更好的貼合度。

12、所述紅色硅膠膜的制備原料包括紅色熒光粉和硅膠，所述紅色熒光粉的用量為硅膠用量的66-80wt%；所述綠色硅膠膜包括黃綠熒光粉和硅膠，所述黃綠熒光粉的用量為硅膠用量的66-80wt%。

13、所述紅色熒光粉的波長(zhǎng)為645-655nm，所述黃綠熒光粉的波長(zhǎng)為515-525nm。

14、所述第一硅膠膜的制備方法包括：制備原料混合均勻后，經(jīng)過涂布機(jī)涂布，在140-160℃固化3.5-4.5h，即得。

15、優(yōu)選的，所述第一硅膠膜的制備方法包括：制備原料混合均勻后，經(jīng)過涂布機(jī)涂布，在150-160℃固化3.5-4.5h，即得。

16、所述第一硅膠膜的厚度為150-200微米。

17、優(yōu)選的，所述第一硅膠膜的厚度為150-180微米。

18、所述二氧化鈦硅膠膜的厚度為150-200微米。

19、優(yōu)選的，所述二氧化鈦硅膠膜的厚度為180-200微米。

20、所述二氧化硅硅膠膜的厚度為150-200微米。

21、優(yōu)選的，所述二氧化硅硅膠膜的厚度為180-200微米。

22、所述第二硅膠膜的制備原料包括硅膠和填料，所述填料的用量為硅膠用量的30-50wt%。

23、優(yōu)選的，所述第二硅膠膜的制備原料包括硅膠和填料，所述填料的用量為硅膠用量的40-50wt%。

24、所述第二硅膠膜的制備方法包括：制備原料混合均勻后，經(jīng)涂布后，在70-90℃固化4-8min，即得。

25、所述第二硅膠在25℃的粘度為150000-250000cps。

26、有益效果：

27、1.相比于傳統(tǒng)rbg支架封裝，本申請(qǐng)的制備方法具有更小的體積，可應(yīng)用于超薄電子設(shè)備中提供氛圍顯示的led燈珠。

28、2.相比于傳統(tǒng)rbg支架封裝，本申請(qǐng)的制備方法綠光和紅光是通過藍(lán)光芯片轉(zhuǎn)化實(shí)現(xiàn)，整體芯片成本較傳統(tǒng)紅光芯片成本降低50%。

29、3.本申請(qǐng)3顆發(fā)光單元芯片可分別獨(dú)立控制，通過調(diào)節(jié)電流可以控制不同光色的發(fā)光能量，實(shí)現(xiàn)rgb調(diào)光調(diào)色功能。

30、4.本申請(qǐng)使用硅膠，比傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂具有更好的耐高溫特性，同時(shí)csp可以直接和電路基板焊接增加散熱面積，提升其使用過程中的穩(wěn)定性。

31、5.通過特定的硅膠固化工藝基礎(chǔ)上增加步驟4硅膠半固化工藝，可有效提高亮度均一性。

技術(shù)特征：

1.一種可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第一硅膠膜包括透明硅膠膜、紅色硅膠膜和綠色硅膠膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第一硅膠膜的制備原料包括硅膠，所述硅膠的折射率為1.47-1.58。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述紅色硅膠膜的制備原料包括紅色熒光粉和硅膠，所述紅色熒光粉的用量為硅膠用量的66-80wt%；所述綠色硅膠膜包括黃綠熒光粉和硅膠，所述黃綠熒光粉的用量為硅膠用量的66-80wt%。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述紅色熒光粉的波長(zhǎng)為645-655nm，所述黃綠熒光粉的波長(zhǎng)為515-525nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第一硅膠膜的制備方法包括：制備原料混合均勻后，再經(jīng)過涂布機(jī)涂布，140-160℃固化3.5-4.5h，即得。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第一硅膠膜的厚度為150-200微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第二硅膠膜的制備原料包括硅膠和填料，所述填料的用量為硅膠用量的30-50wt%。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第二硅膠膜的制備方法包括：制備原料混合均勻后經(jīng)過涂布機(jī)涂布，在70-90℃固化4-8min，得到，即得。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可調(diào)光csp燈珠的制備方法，其特征在于，所述第二硅膠在25℃的粘度為150000-250000cps。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及多芯片CSP封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及IPC?H01L?25領(lǐng)域，更具體的，涉及一種可調(diào)光CSP燈珠的制備方法。包括以下步驟：步驟1：分別制備第一硅膠膜和第二硅膠膜備用，所述第二硅膠膜包括二氧化鈦硅膠膜和二氧化硅硅膠膜；步驟2：取藍(lán)光芯片，按照固定的間距排列于基板上；步驟3：將第一硅膠膜貼在藍(lán)光芯片表層；步驟4：將二氧化鈦硅膠膜貼在芯片步驟3制備樣品的表層，使用墊片進(jìn)行真空壓合，再將表層進(jìn)行拋光研磨；步驟5：將二氧化硅硅膠膜貼在步驟4制備樣品的表層，使用墊片進(jìn)行真空壓合；步驟6：將步驟5制備的樣品進(jìn)行固化，切割后即得。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)低成本多芯片的CSP封裝。

技術(shù)研發(fā)人員：李明,劉東順,許瑞龍,譚曉華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津德高化成新材料股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4