本申請涉及光伏電池，具體地涉及一種光伏電池片、光伏電池片的柵線的制備方法及光伏組件。

背景技術(shù)：

1、光伏電池片是一種利用太陽光直接發(fā)電的光電半導體薄片，光伏電池片包括硅片基和設置于硅片基體表面的柵線，柵線的主要作用是收集和傳輸光生載流子，從而實現(xiàn)太陽能的電能轉(zhuǎn)換。現(xiàn)有的光伏電池片中，柵線與硅片基體的接觸面積較大，或造成較大的遮光損失，導致光伏電池片的光電轉(zhuǎn)化效率較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N光伏電池片、光伏電池片的柵線的制備方法及光伏組件，以利于解決現(xiàn)有技術(shù)中光伏電池片的光電轉(zhuǎn)換效率較低的問題。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種光伏電池片，包括：硅片，包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的向光面和背光面，所述向光面與所述背光面中的至少一者設置有柵線；所述柵線包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面與所述硅片固定連接；沿所述柵線的寬度方向，所述第一表面的寬度小于所述第二表面的寬度。

3、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括設置在所述向光面的第一柵線，所述第一柵線包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的第一子表面和第二子表面，所述第一子表面為所述第一表面，所述第二子表面為所述第二表面；沿所述第一柵線的寬度方向，所述第一子表面的寬度w1為12μm～16μm；和/或，沿所述第一柵線的寬度方向，所述第二子表面的寬度w2為17μm～21μm。

4、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括設置在所述背光面的第二柵線，所述第二柵線包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的第三子表面和第四子表面，所述第三子表面為所述第一表面，所述第四子表面為所述第二表面；沿所述第二柵線的寬度方向，所述第三子表面的寬度w3為28μm～32μm；和/或，沿所述第二柵線的寬度方向，所述第四子表面的寬度w4為33μm～37μm。

5、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括沿其寬度方向相對分布的第一側(cè)面和第二側(cè)面，所述第一側(cè)面沿所述光伏電池片的厚度方向的兩端分別與所述第一表面和所述第二表面連接，所述第一側(cè)面為傾斜平面；和/或，所述第二側(cè)面沿所述光伏電池片的厚度方向的兩端分別與所述第一表面和所述第二表面連接，所述第二側(cè)面為傾斜平面。

6、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線在所述光伏電池片的厚度方向上具有中心線，所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面關于所述中心線對稱。

7、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括設置在所述向光面的第一柵線，沿所述光伏電池片的厚度方向，所述第一柵線的厚度d1為6μm～10μm；和/或，所述柵線包括設置在所述背光面的第二柵線，沿所述光伏電池片的厚度方向，所述第二柵線的厚度d2為4μm～8μm。

8、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括主柵，所述主柵包括主體和多個焊點，沿所述主柵的長度方向，所述主體具有交錯分布的多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域，多個所述焊點一一設置于多個所述第二區(qū)域；沿所述光伏電池片的厚度方向，所述焊點與所述第二區(qū)域的總厚度d3大于所述第一區(qū)域的厚度d4。

9、第二方面，本申請實施例提供了一種光伏電池片的柵線的制備方法，包括：所述光伏電池片包括硅片，所述硅片包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的向光面和背光面，所述向光面與所述背光面中的至少一者設置有柵線；所述柵線包括沿所述光伏電池片的厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，所述第一表面用于與所述硅片固定連接，沿所述柵線的寬度方向，所述第一表面的寬度小于所述第二表面的寬度；所述制備方法包括：準備所述硅片和打印漿料；通過打印設備將所述打印漿料逐層繪制在所述向光面和/或所述背光面，每層繪制結(jié)構(gòu)的寬度均大于前一層繪制結(jié)構(gòu)的寬度，以形成所述柵線。

10、在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述柵線包括主柵，所述主柵包括主體和多個焊點；形成所述主柵時，所述制備方法具體包括：通過打印設備將所述打印漿料逐層繪制在所述向光面和/或所述背光面，每層繪制結(jié)構(gòu)的寬度均大于前一層繪制結(jié)構(gòu)的寬度，以形成所述主體；沿所述主體的長度方向，通過打印設備將所述打印漿料間隔繪制在所述主體上，以形成所述焊點。

11、第三方面，本申請實施例提供了一種光伏組件，包括電池串，包括多個光伏電池片，相鄰的兩個所述光伏電池片通過焊帶連接，所述光伏電池片為以上所述的光伏電池片，所述光伏電池片包括柵線，所述柵線采用以上所述的制備方法制備；封裝層，用于覆蓋所述電池串的表面；蓋板，用于覆蓋所述封裝層遠離所述電池串的表面。

12、本申請中，柵線的截面呈倒梯形結(jié)構(gòu)，相比于現(xiàn)有技術(shù)中的正梯形結(jié)構(gòu)的柵線(第一表面的寬度大于第二表面的寬度)，能夠在不改變柵線的橫截面積的情況下，減小柵線與硅片的接觸面積，即能夠在不增大柵線的電阻的情況下，減小柵線對硅片的遮光面積。當柵線的電阻越小，光伏電池片的串聯(lián)電阻就會越小，填充因子和輸出功率就會越高；且當柵線的遮光面積越小，光伏電池片的有效受光面積就越大，光電轉(zhuǎn)換效率就越高。因此，當?shù)谝槐砻娴膶挾刃∮诘诙砻娴膶挾葧r，有利于提高光伏電池片的填充因子、開路電壓和短路電流、降低硅片表面的金屬復合，從而提高光伏電池片光電轉(zhuǎn)換效率和輸出功率，進而提升光伏電池片的性能。

13、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本申請。

技術(shù)特征：

1.一種光伏電池片，其特征在于，包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)包括設置在所述向光面(11)的第一柵線(2a)，所述第一柵線(2a)包括沿所述光伏電池片(110)的厚度方向相對設置的第一子表面(21a)和第二子表面(22a)，所述第一子表面(21a)為所述第一表面(21)，所述第二子表面(22a)為所述第二表面(22)；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)包括設置在所述背光面(12)的第二柵線(2b)，所述第二柵線(2b)包括沿所述光伏電池片(110)的厚度方向相對設置的第三子表面(21b)和第四子表面(22b)，所述第三子表面(21b)為所述第一表面(21)，所述第四子表面(22b)為所述第二表面(22)；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)包括沿其寬度方向相對分布的第一側(cè)面(23)和第二側(cè)面(24)，所述第一側(cè)面(23)沿所述光伏電池片(110)的厚度方向的兩端分別與所述第一表面(21)和所述第二表面(22)連接，所述第一側(cè)面(23)為傾斜平面；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)在所述光伏電池片(110)的厚度方向上具有中心線，所述第一側(cè)面(23)與所述第二側(cè)面(24)關于所述中心線對稱。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)包括設置在所述向光面(11)的第一柵線(2a)，沿所述光伏電池片(110)的厚度方向，所述第一柵線(2a)的厚度d1為6μm～10μm；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏電池片，其特征在于，所述柵線(2)包括主柵(25)，所述主柵(25)包括主體(251)和多個焊點(252)，沿所述主柵(25)的長度方向，所述主體(251)具有交錯分布的多個第一區(qū)域(251a)和多個第二區(qū)域(251b)，多個所述焊點(252)一一設置于多個所述第二區(qū)域(251b)；

8.一種光伏電池片的柵線的制備方法，其特征在于，所述光伏電池片(110)包括硅片(1)，所述硅片(1)包括沿所述光伏電池片(110)的厚度方向相對設置的向光面(11)和背光面(12)，所述向光面(11)與所述背光面(12)中的至少一者設置有柵線(2)；所述柵線(2)包括沿所述光伏電池片(110)的厚度方向相對設置的第一表面(21)和第二表面(22)，所述第一表面(21)用于與所述硅片(1)固定連接，沿所述柵線(2)的寬度方向，所述第一表面(21)的寬度小于所述第二表面(22)的寬度；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光伏電池片的柵線的制備方法，其特征在于，所述柵線(2)包括主柵(25)，所述主柵(25)包括主體(251)和多個焊點(252)；

10.一種光伏組件，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例提供一種光伏電池片、光伏電池片的柵線的制備方法及光伏組件，該光伏電池片包括硅片，硅片包括沿光伏電池片的厚度方向相對設置的向光面和背光面，向光面與背光面中的至少一者設置有柵線；柵線包括沿光伏電池片的厚度方向相對設置的第一表面和第二表面，第一表面與硅片固定連接；沿柵線的寬度方向，第一表面的寬度小于第二表面的寬度，能減小柵線對硅片的遮光面積，有利于提高光伏電池片的填充因子、開路電壓和短路電流、降低硅片表面的金屬復合，從而提高光伏電池片光電轉(zhuǎn)換效率和輸出功率，進而提升光伏電池片的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：袁迪,李國建,周靜,邱彥凱
受保護的技術(shù)使用者：安徽晶科能源有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10