本申請主要涉及光伏，尤其涉及一種太陽能電池和太陽能電池的制備方法。

背景技術(shù)：

1、太陽能電池對降低碳排量具有重要的貢獻(xiàn)。太陽能電池的類型多種多樣，其中，全鈍化晶硅太陽能電池具有效率高的優(yōu)勢，但全鈍化晶硅太陽能電池中的一些膜層之間的接觸會導(dǎo)致短路。如何解決短路問題是本領(lǐng)域內(nèi)的重要研究方向之一。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請要解決的技術(shù)問題是提供一種太陽能電池和太陽能電池的制備方法，該太陽能電池和太陽能電池的制備方法能夠降低太陽能電池出現(xiàn)短路的風(fēng)險。

2、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池，包括：硅襯底，具有相對的第一表面、第二表面和連接所述第一表面和所述第二表面的側(cè)面；隧穿層和第一摻雜層，堆疊在所述第一表面上，所述第一摻雜層包括摻雜多晶硅；本征非晶硅層和第二摻雜層，堆疊在所述第二表面上，且所述本征非晶硅層從所述側(cè)面延伸至所述第一摻雜層上，所述第二摻雜層延伸至所述側(cè)面上，所述第一摻雜層的摻雜類型與所述第二摻雜層的摻雜類型相反，所述第二摻雜層包括摻雜微晶硅；第一透明導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第一摻雜層上；第二透明導(dǎo)電層，設(shè)置在所述第二摻雜層上，且所述第二透明導(dǎo)電層的邊緣與所述側(cè)面之間間隔預(yù)設(shè)距離；以及第一電極和第二電極，分別與所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層電連接。

3、在本申請一實施例中，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的寬度為0.1mm~10mm，其中，位于所述第一摻雜層上的第一透明導(dǎo)電層覆蓋位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的厚度沿遠(yuǎn)離所述側(cè)面的方向上逐漸減小。

4、在本申請一實施例中，所述第一透明導(dǎo)電層延伸至所述側(cè)面上，并覆蓋至少部分位于側(cè)面上的本征非晶硅層和第二摻雜層。

5、在本申請一實施例中，所述隧穿層包括氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種或多種，和/或所述隧穿層的厚度等于或小于3nm。

6、在本申請一實施例中，所述第一摻雜層包括摻雜多晶硅層，和/或所述第一摻雜層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述第一摻雜層的厚度為20nm~600nm。

7、在本申請一實施例中，所述本征非晶硅層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述本征非晶硅層的厚度為3nm~15nm。

8、在本申請一實施例中，所述第二摻雜層包括摻雜非晶硅和/或摻雜微晶硅，和/或所述第二摻雜層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述第二摻雜層的厚度為3nm~60nm。

9、本申請還提出一種太陽能電池的制備方法，包括：提供硅襯底，所述硅襯底具有相對的第一表面、第二表面和連接所述第一表面和所述第二表面的側(cè)面；在所述第一表面上依次形成隧穿層和第一摻雜層，所述第一摻雜層包括摻雜多晶硅；在所述第二表面、所述側(cè)面和所述第一摻雜層上形成連續(xù)的本征非晶硅層；在所述本征非晶硅層上形成第二摻雜層，所述第一摻雜層的摻雜類型與所述第二摻雜層的摻雜類型相反，所述第二摻雜層包括摻雜微晶硅；在所述第一摻雜層上形成第一透明導(dǎo)電層；在所述第二摻雜層上形成第二透明導(dǎo)電層，所述第二透明導(dǎo)電層的邊緣與所述側(cè)面之間間隔預(yù)設(shè)距離；以及形成分別與所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層電連接的第一電極和第二電極。

10、在本申請一實施例中，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的寬度為0.1mm~10mm，其中，位于所述第一摻雜層上的第一透明導(dǎo)電層覆蓋位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的厚度沿遠(yuǎn)離所述側(cè)面的方向上逐漸減小。

11、在本申請一實施例中，所述第一透明導(dǎo)電層還形成在所述側(cè)面上，并覆蓋至少部分位于側(cè)面上的本征非晶硅層和第二摻雜層。

12、在本申請一實施例中，形成本征非晶硅層的方法包括：在形成所述第一摻雜層之后，將太陽能電池中間體放置在第一載板上，所述第一載板具有第一底板和設(shè)置在所述第一底板上的環(huán)形第一支撐部，所述第一支撐部與所述第一摻雜層接觸，所述第一支撐部將其包圍的第一摻雜層的正面與外部隔離，使用pecvd工藝形成所述本征非晶硅層。

13、在本申請一實施例中，所述第一載板還具有多個圍繞所述第一支撐部分布的第一限位塊，所述第一限位塊不與所述太陽能電池中間體接觸。

14、在本申請一實施例中，形成本征非晶硅層的方法包括：在形成所述第一摻雜層之后，將太陽能電池中間體放置在第二載板上，所述第二載板具有第二底板和多個間隔設(shè)置在所述第二底板上的第二支撐部，使用pecvd工藝形成所述本征非晶硅層。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請具有以下優(yōu)點：

16、（1）除硅襯底的第二表面外，本申請還在硅襯底的側(cè)面和部分的第一表面上形成有本征非晶硅層，如此本征非晶硅層能夠鈍化硅襯底的側(cè)面和部分的第一表面。

17、（2）由于電勢差的原因，尾部附近的載流子會流向第一電極，而不是沿著位于側(cè)面上的第一透明導(dǎo)電層流向第二摻雜層，因此本申請的本征非晶硅層能夠降低太陽能電池出現(xiàn)短路的風(fēng)險。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的寬度為0.1mm~10mm，其中，位于所述第一摻雜層上的第一透明導(dǎo)電層覆蓋位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的厚度沿遠(yuǎn)離所述側(cè)面的方向上逐漸減小。

3.如權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層延伸至所述側(cè)面上，并覆蓋至少部分位于側(cè)面上的本征非晶硅層和第二摻雜層。

4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述隧穿層包括氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁中的一種或多種，和/或所述隧穿層的厚度等于或小于3nm。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一摻雜層包括摻雜多晶硅層，和/或所述第一摻雜層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述第一摻雜層的厚度為20nm~600nm。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述本征非晶硅層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述本征非晶硅層的厚度為3nm~15nm。

7.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二摻雜層包括摻雜非晶硅和/或摻雜微晶硅，和/或所述第二摻雜層含有氧、碳、氮中的一種或多種，和/或所述第二摻雜層的厚度為3nm~60nm。

8.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的寬度為0.1mm~10mm，其中，位于所述第一摻雜層上的第一透明導(dǎo)電層覆蓋位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層，位于所述第一摻雜層上的本征非晶硅層的厚度沿遠(yuǎn)離所述側(cè)面的方向上逐漸減小。

10.如權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層還形成在所述側(cè)面上，并覆蓋至少部分位于側(cè)面上的本征非晶硅層和第二摻雜層。

11.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成本征非晶硅層的方法包括：在形成所述第一摻雜層之后，將太陽能電池中間體放置在第一載板上，所述第一載板具有第一底板和設(shè)置在所述第一底板上的環(huán)形第一支撐部，所述第一支撐部與所述第一摻雜層接觸，所述第一支撐部將其包圍的第一摻雜層的正面與外部隔離，使用pecvd工藝形成所述本征非晶硅層。

12.如權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述第一載板還具有多個圍繞所述第一支撐部分布的第一限位塊，所述第一限位塊不與所述太陽能電池中間體接觸。

13.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，形成本征非晶硅層的方法包括：在形成所述第一摻雜層之后，將太陽能電池中間體放置在第二載板上，所述第二載板具有第二底板和多個間隔設(shè)置在所述第二底板上的第二支撐部，使用pecvd工藝形成所述本征非晶硅層。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池和太陽能電池的制備方法，太陽能電池包括硅襯底，具有相對的第一表面、第二表面和側(cè)面；隧穿層和第一摻雜層，堆疊在第一表面上，第一摻雜層包括摻雜多晶硅；本征非晶硅層和第二摻雜層，堆疊在第二表面上，本征非晶硅層從側(cè)面延伸至第一摻雜層上，第二摻雜層延伸至側(cè)面上，第一摻雜層的摻雜類型與第二摻雜層相反，第二摻雜層包括摻雜微晶硅；第一透明導(dǎo)電層，設(shè)置在第一摻雜層上；第二透明導(dǎo)電層，設(shè)置在第二摻雜層上，且第二透明導(dǎo)電層的邊緣與側(cè)面之間間隔預(yù)設(shè)距離；第一電極和第二電極，分別與第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層電連接。本申請的本征非晶硅層能夠鈍化硅襯底的側(cè)面，以及降低出現(xiàn)短路的風(fēng)險。

技術(shù)研發(fā)人員：楊廣濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19