本技術(shù)涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備領(lǐng)域，具體地說(shuō)，涉及一種晶片支承臺(tái)。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有技術(shù)在晶片加載臺(tái)(load?lock?stage)設(shè)置有多個(gè)凹槽，可以插入多個(gè)導(dǎo)銷(xiāo)來(lái)支撐晶片，但此結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)是一旦有外部各種原因的干擾，很容易導(dǎo)致晶片的偏移，如加載臺(tái)充氣和抽氣的過(guò)程中氣流、震動(dòng)過(guò)大或者本身的誤差導(dǎo)致晶片的偏移，從而導(dǎo)致取片時(shí)發(fā)生晶片位置錯(cuò)誤。因此，亟待研發(fā)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能穩(wěn)定承載待加工晶片的晶片支承臺(tái)。

2、需要說(shuō)明的是，在上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本實(shí)用新型的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶片支承臺(tái)，通過(guò)支撐部的臺(tái)階設(shè)計(jì)以及支撐件的可插卸，有效地減少制程中加載的晶片的偏移，提高了半導(dǎo)體制程的效率。

2、本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種晶片支承臺(tái)，包括平臺(tái)、多個(gè)支撐件及與所述支撐件相連接的多個(gè)支承部；

3、所述平臺(tái)設(shè)置有容置所述支撐件的多個(gè)凹槽；

4、所述支承部呈臺(tái)階狀，臺(tái)階的表面用于支承晶片。

5、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述支撐件為圓柱形。

6、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述支承部的數(shù)量小于所述支撐件的數(shù)量。

7、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，多個(gè)所述支撐件呈圓周分布，所述支承部的臺(tái)階形成環(huán)形表面。

8、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述支承部的臺(tái)階形成環(huán)形表面是不連續(xù)的。

9、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，多個(gè)所述支撐件沿周向均勻分布；和/或

10、所述支承部的臺(tái)階形成的環(huán)形表面的各個(gè)不連續(xù)的部分沿周向均勻分布。

11、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述支承部的臺(tái)階形成的環(huán)形表面的外徑的曲率大于或者等于支承的晶片的外徑的曲率。

12、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述支承部的臺(tái)階形成的環(huán)形表面的外徑與支承的晶片的外徑的差值在0.5毫米至1.0毫米之間。

13、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，所述臺(tái)階的高度大于或者等于0.15毫米。

14、根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例，各個(gè)所述支撐件的高度可升降。

15、本實(shí)用新型的晶片支承臺(tái)通過(guò)支撐部的臺(tái)階設(shè)計(jì)以及支撐件的可插卸，提高晶片支承臺(tái)支承的穩(wěn)定性，支承臺(tái)能夠方便有效地加載晶片，極大地減少加載的晶片的偏移概率，提高了半導(dǎo)體制程的效率，降低了半導(dǎo)體加工的成本。

技術(shù)特征：

1.一種晶片支承臺(tái)，其特征在于，包括平臺(tái)、多個(gè)支撐件及與所述支撐件相連接的多個(gè)支承部；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述支撐件為圓柱形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述支承部的數(shù)量小于所述支撐件的數(shù)量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，多個(gè)所述支撐件呈圓周分布，所述支承部的臺(tái)階形成環(huán)形表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述支承部的臺(tái)階形成環(huán)形表面是不連續(xù)的。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，多個(gè)所述支撐件沿周向均勻分布；和/或

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述支承部的臺(tái)階形成的環(huán)形表面的外徑的曲率大于或者等于支承的晶片的外徑的曲率。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述支承部的臺(tái)階形成的環(huán)形表面的外徑與支承的晶片的外徑的差值在0.5毫米至1.0毫米之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，所述臺(tái)階的高度大于或者等于0.15毫米。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片支承臺(tái)，其特征在于，各個(gè)所述支撐件的高度可升降。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種晶片支承臺(tái)，所述晶片支承臺(tái)包括平臺(tái)、多個(gè)支撐件及與所述支撐件相連接的多個(gè)支承部；所述平臺(tái)設(shè)置有容置所述支撐件的多個(gè)凹槽；所述支承部呈臺(tái)階狀，臺(tái)階的表面用于支承晶片。本技術(shù)的晶片支承臺(tái)通過(guò)支撐部的臺(tái)階設(shè)計(jì)以及支撐件的可插卸，提高晶片支承臺(tái)支承的穩(wěn)定性，方便有效地加載晶片，有效地減少加載的晶片的偏移概率，提高了半導(dǎo)體制程的效率，節(jié)省了半導(dǎo)體加工的成本。

技術(shù)研發(fā)人員：單翌,忻圣波,閆曉暉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海積塔半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240102
技術(shù)公布日：2024/12/19