本公開涉及半導體，尤其涉及一種芯片封裝結構。

背景技術：

1、功率芯片通常應用于新能源汽車的電驅控制器。行業(yè)應用對大功率應用需求越來越多。單芯片的功率輸出能力有限，只能通過多芯片并聯來實現大功率輸出。然而，相關技術中，多芯片并聯的均流性較差。

技術實現思路

1、為克服相關技術中存在的問題，本公開提供一種芯片封裝結構。

2、根據本公開實施例的第一方面，提供一種芯片封裝結構，所述芯片封裝結構包括多個功率器件、多個第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：

3、所述多個功率器件中每個功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起；

4、各個所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接；

5、各個所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接。

6、可選地，所述第一金屬區(qū)的寬度大于3毫米。

7、可選地，所述第一金屬區(qū)的寬度大于4.5毫米。

8、可選地，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度大于3毫米。

9、可選地，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度與所述功率器件的寬度相同。

10、可選地，所述第一連接線和所述第二連接線為條帶或者鍵合引線。

11、可選地，所述封裝基板為活性金屬釬焊基板。

12、可選地，所述功率器件為功率mosfet。

13、可選地，所述多個第一連接線平行。

14、可選地，所述第二連接線位于所述第一輸入輸出端上方。

15、通過采用上述技術方案，由于多個功率器件中每個功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起，各個所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接，各個所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接，因此，通過使用第二連接線將各個第一輸入輸出端電氣連接在一起，增加了電路通路并降低了寄生電感的值，降低了不同功率器件第一輸入輸出端阻抗，減小了不同功率器件第一輸入輸出端的電位差，從而改善了各功率器件門級電壓的一致性，最終明顯提升了均流度。

16、應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

技術特征：

1.一種芯片封裝結構，其特征在于，所述芯片封裝結構包括多個功率器件、多個第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：

2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一金屬區(qū)的寬度大于3毫米。

3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一金屬區(qū)的寬度大于4.5毫米。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度大于3毫米。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一連接線的所述第二端與所述第一金屬區(qū)的電氣連接面的寬度與所述功率器件的寬度相同。

6.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一連接線和所述第二連接線為條帶或者鍵合引線。

7.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝基板為活性金屬釬焊基板。

8.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述功率器件為功率mosfet。

9.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述多個第一連接線平行。

10.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第二連接線位于所述第一輸入輸出端上方。

技術總結
本公開涉及一種芯片封裝結構，屬于半導體技術領域，能夠改善多芯片并聯封裝的均流性。一種芯片封裝結構，包括多個功率器件、多個第一連接線、封裝基板和第二連接線，其中：所述多個功率器件中每個功率器件的第一輸入輸出端分別與各自的第一連接線的第一端電氣連接，各個所述第一輸入輸出端通過所述第二連接線電氣連接在一起；各個所述第一連接線的第二端與所述封裝基板的第一金屬區(qū)電氣連接；各個所述功率器件的第二輸入輸出端與所述封裝基板的第二金屬區(qū)電氣連接，其中，所述第一金屬區(qū)與所述第二金屬區(qū)未電氣連接。

技術研發(fā)人員：蘭祥
受保護的技術使用者：小米汽車科技有限公司
技術研發(fā)日：20240104
技術公布日：2024/12/19