本技術(shù)實施例涉及影像傳感器。

背景技術(shù)：

1、包括影像傳感器的集成電路(integrated?circuit；ic)廣泛用于現(xiàn)代電子裝置中，諸如攝影機及蜂巢式電話。互補金屬氧化物半導體(complementary?metal-oxidesemiconductor；cmos)影像傳感器(complementary?metal-oxide?semiconductor?imagesensor；cis)以變得普遍。與電荷耦接裝置(charge-coupled?device；ccd)相比較，cis由于低功耗、小像素大小、快速數(shù)據(jù)處理以及低制造成本而愈來愈有利。隨著像素大小變得較小，制造變得愈來愈困難，此是由于其限制像素之間的串擾。此等為唯一解決方案可提供改良效能的持續(xù)挑戰(zhàn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一些實施例中，一種影像傳感器，包括：半導體襯底，具有前側(cè)及背側(cè)；光偵測器，位于所述半導體襯底內(nèi)；一或多個鈍化層，位于所述背側(cè)上；以及背側(cè)深溝槽隔離(bdti)結(jié)構(gòu)，延伸至所述背側(cè)中以橫向地圍繞所述光偵測器，其中在第一區(qū)域內(nèi)，所述bdti結(jié)構(gòu)展現(xiàn)對應于所述bdti結(jié)構(gòu)的寬度相對于所述bdti結(jié)構(gòu)的深度在所述半導體襯底內(nèi)及高于所述bdti結(jié)構(gòu)底部的高度處的不連續(xù)變化的突然變窄。

2、在一些實施例中，一種影像傳感器，包括；半導體襯底，包含前側(cè)及背側(cè)；光偵測器，排陣列于所述半導體襯底內(nèi)；以及背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)，延伸至所述光偵測器之間的所述背側(cè)中，其中在第一區(qū)域中，所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)具有皆位于所述半導體襯底內(nèi)的上部部分及下部部分；其中所述下部部分比所述上部部分更窄且具有更高縱橫比；以及所述半導體襯底在所述上部部分與所述下部部分之間的接合點處形成突出部分。

技術(shù)特征：

1.一種影像傳感器，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，在第二區(qū)域內(nèi)，所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)比在所述第一區(qū)域中更淺且不展現(xiàn)所述突然變窄。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，還包括具有深度的切割道，其中寬度的所述突然變窄在所述深度處出現(xiàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像傳感器，其特征在于，所述上部鈍化層下降至所述半導體襯底中以形成所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的影像傳感器，其特征在于，所述上部鈍化層下降至所述半導體襯底中以形成所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的核心。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的影像傳感器，其特征在于，所述背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)包括襯底嵌入金屬柵格。

8.一種影像傳感器，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感器，其特征在于，在所述第一區(qū)域內(nèi)，所述背側(cè)隔離結(jié)構(gòu)以較大深度連續(xù)變窄至所述半導體襯底中。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的影像傳感器，其特征在于，還包括具有等于所述突出部分的深度的深度的切割道。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供用于背側(cè)深溝槽隔離(BDTI)結(jié)構(gòu)的溝槽，所述溝槽使用兩種蝕刻形成：高縱橫比蝕刻及口部蝕刻。溝槽具有較寬的上部部分(口部)及溝槽的下部部分。下部部分比上部部分更窄且具有更高縱橫比。溝槽展現(xiàn)上部部分與下部部分之間的寬度的步進改變。可固定下部部分的深度以提供高縱橫比，但將所述縱橫比限制于可始終填充下部部分而不產(chǎn)生空隙的縱橫比。溝槽的整體深度可通過調(diào)整口部區(qū)域的深度來變化。所得BDTI結(jié)構(gòu)為影像傳感器提供比可使用單一溝槽蝕刻達成的更佳的光學效能特性。

技術(shù)研發(fā)人員：黃信耀,莊圣頡,孔書硯,黃信盛
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240109
技術(shù)公布日：2024/12/19