本申請涉及半導體,具體涉及一種半導體器件。
背景技術:
1、在早期,集成電路的封裝方式主要是單芯片封裝(scp),即將單個芯片封裝在一個封裝中。然而,隨著電子設備的功能需求不斷增加,單芯片封裝無法滿足多個不同功能模塊的集成需求。為了解決這個問題,多芯片封裝(mcp)技術應運而生,其是指將多個具有不同功能的芯片組件集成在一個封裝中,使得器件具有更高的集成度和更小的封裝尺寸。
2、但多芯片封裝因芯片的集成數(shù)量增加,其組裝密度也相應增加,進而導致器件的散熱性能下降,影響器件的性能。
技術實現(xiàn)思路
1、鑒于此,本申請?zhí)峁┮环N半導體器件,以提高半導體器件的散熱性能。
2、本申請?zhí)峁┮环N半導體器件,包括封裝框架以及設置于所述封裝框架上的塑封體,所述封裝框架具有間隔設置的第一引腳以及第二引腳,所述第一引腳以及所述第二引腳分別與電路板的第一連接線以及第二連接線連接,所述第一引腳的寬度大于所述第二引腳的寬度,所述第一連接線的寬度與所述第一引腳的寬度相同,所述第二連接線的寬度與所述第二引腳的寬度相同。
3、在一些實施例中,所述第一引腳的寬度至少大于所述第二引腳的寬度的0.01mm。
4、在一些實施例中,所述第一引腳為等寬度引腳,所述第二引腳為等寬度引腳。
5、在一些實施例中,所述半導體器件還包括至少兩個芯片,每一所述芯片設置于所述封裝框架與所述塑封體之間。
6、在一些實施例中,所述第一引腳與所述第二引腳位于所述封裝框架的同一側。
7、在一些實施例中,所述第一引腳與所述第二引腳位于所述封裝框架的不同側。
8、在一些實施例中,所述第一引腳的長度與所述第二引腳的長度相同。
9、在一些實施例中,所述第二引腳的寬度至少大于或等于0.25mm。
10、在一些實施例中,所述半導體器件還包括塑封層,所述塑封層設置于所述封裝框架背離所述塑封體的一側。
11、在一些實施例中,所述第一引腳與所述第二引腳之間的距離至少大于或等于1mm。
12、本申請?zhí)峁┮环N半導體器件,包括封裝框架以及設置于封裝框架上的塑封體,封裝框架具有間隔設置的第一引腳以及第二引腳,第一引腳以及第二引腳分別與電路板的第一連接線以及第二連接線連接,第一引腳的寬度大于第二引腳的寬度,第一連接線的寬度與第一引腳的寬度相同,第二連接線的寬度與第二引腳的寬度相同。通過將第一引腳的寬度設置為大于第二引腳的寬度,即增大第一引腳的寬度,同時增大第一連接線的寬度,以增大第一引腳與第一連接線的接觸面積,從而增大第一引腳與第一連接線之間散熱面積,提高了半導體器件的散熱性。
1.一種半導體器件,其特征在于,包括封裝框架以及設置于所述封裝框架上的塑封體,所述封裝框架具有間隔設置的第一引腳以及第二引腳,所述第一引腳以及所述第二引腳分別與電路板的第一連接線以及第二連接線連接,所述第一引腳的寬度大于所述第二引腳的寬度,所述第一連接線的寬度與所述第一引腳的寬度相同,所述第二連接線的寬度與所述第二引腳的寬度相同。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳的寬度至少大于所述第二引腳的寬度的0.01mm。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳為等寬度引腳,所述第二引腳為等寬度引腳。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述半導體器件還包括至少兩個芯片,每一所述芯片設置于所述封裝框架與所述塑封體之間。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳與所述第二引腳位于所述封裝框架的同一側。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳與所述第二引腳位于所述封裝框架的不同側。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳的長度與所述第二引腳的長度相同。
8.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述第二引腳的寬度至少大于或等于0.25mm。
9.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件,其特征在于,所述半導體器件還包括塑封層,所述塑封層設置于所述封裝框架背離所述塑封體的一側。
10.根據(jù)權利要求5所述的半導體器件,其特征在于,所述第一引腳與所述第二引腳之間的距離至少大于或等于1mm。