本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)。

背景技術(shù)：

1、在開盒式半導(dǎo)體晶圓轉(zhuǎn)移過程中，晶圓需要放在晶圓盒中運(yùn)輸，進(jìn)行下一個(gè)工藝時(shí)，操作人員需要打開晶圓盒，將晶圓取出放入工藝用具中。生產(chǎn)晶圓過程中，晶圓盒平均需要打開和關(guān)閉上百次，調(diào)換晶圓盒時(shí)容易產(chǎn)生碎屑污染晶圓，晶圓良率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，旨在提高半導(dǎo)體晶圓制作過程中晶圓的良率。

2、本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施例提供了一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，工作臺(tái)包括：支撐部，具有支撐面；轉(zhuǎn)向組件，設(shè)置于支撐面，轉(zhuǎn)向組件包括固定部與基座，固定部與支撐面固定連接，基座用于放置承載工具，且基座繞第一方向可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，第一方向和支撐面相交；限位組件，包括固定于基座的多個(gè)限位部和固定于固定部的鎖止部，至少兩個(gè)鎖止部設(shè)置于第一位置和第二位置，以使基座轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在第一位置和/或第二位置，限位部和鎖止部相互卡扣配合。

3、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，限位部設(shè)置有限位槽，鎖止部包括凸起部，限位部位于第一位置和/或第二位置時(shí)，凸起部和限位槽相互卡扣配合。

4、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，鎖止部還包括安裝部，安裝部包括開口朝向基座的容納空間，凸起部設(shè)置于容納空間并相對(duì)安裝部沿第一方向可移動(dòng)設(shè)置。

5、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，鎖止部還包括沿第一方向可往復(fù)變形的彈性件，凸起部通過彈性件設(shè)置于容納空間內(nèi)。

6、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，安裝部還包括與第一方向垂直的兩個(gè)通孔，凸起部為凸輪并包括主體部和位于主體部?jī)蓚?cè)的分部，主體部位于容納空間，分部位于兩個(gè)通孔中，且分部在通孔內(nèi)沿第一方向可移動(dòng)設(shè)置。

7、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，限位部包括背離基座一側(cè)的第一表面，第一表面朝靠近基座的方向凹陷形成限位槽，位于限位槽兩側(cè)的第一表面朝基座一側(cè)凸出形成兩個(gè)第一弧面，限位槽包括第二弧面。

8、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，固定部包括中心點(diǎn)，第一位置與中心點(diǎn)的連線和第二位置與旋轉(zhuǎn)中心的連線之間的夾角為85度至95度。

9、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，轉(zhuǎn)向組件還包括防塵板，防塵板與基座固定連接并位于基座背離支撐部的一側(cè)，防塵板設(shè)置有定位塊，定位塊位于防塵板背離基座的一側(cè)，定位塊用于限定承載工具的移動(dòng)。

10、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，防塵板上還設(shè)置有把手。

11、根據(jù)本申請(qǐng)第一方面的實(shí)施方式，支撐面一側(cè)設(shè)置有壁部，壁部與轉(zhuǎn)向組件間隔設(shè)置，壁部與轉(zhuǎn)向組件之間設(shè)置有擋塊，擋塊的高度小于壁部的高度，擋塊朝向轉(zhuǎn)向組件的一側(cè)包括斜面，斜面在第一方向且遠(yuǎn)離支撐面的方向上到轉(zhuǎn)向組件的距離逐漸增大。

12、在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，工作臺(tái)包括：支撐部、轉(zhuǎn)向組件和限位組件，支撐部的支撐面為工藝過程中用于轉(zhuǎn)移承載工具晶圓盒的平臺(tái)。轉(zhuǎn)向組件通過固定部固定于支撐面上，基座設(shè)置于固定部上并繞第一方向可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，第一方向和支撐面相交?；糜诜胖镁A盒并帶動(dòng)晶圓盒轉(zhuǎn)動(dòng)，限位組件用于限制轉(zhuǎn)動(dòng)組件的轉(zhuǎn)動(dòng)角度。限位組件包括固定于基座的限位部和固定于固定部的鎖止部，至少兩個(gè)鎖止部設(shè)置于第一位置和第二位置，以使基座轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在第一位置和/或第二位置，限位部和鎖止部相互卡扣配合，從而限制基座在第一位置和第二位置之間轉(zhuǎn)動(dòng)。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，轉(zhuǎn)動(dòng)晶圓盒的過程中，晶圓盒隨著基座進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，晶圓盒相對(duì)于基座不發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，從而間接減少了晶圓盒底與工作臺(tái)因摩擦而產(chǎn)生碎屑導(dǎo)致晶圓污染的可能性，提高了晶圓生產(chǎn)的良率。

技術(shù)特征：

1.一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，其特征在于，所述工作臺(tái)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述限位部設(shè)置有限位槽，所述鎖止部包括凸起部，所述限位部位于所述第一位置和/或所述第二位置時(shí)，所述凸起部和所述限位槽相互卡扣配合。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述鎖止部還包括安裝部，所述安裝部包括開口朝向所述基座的容納空間，所述凸起部設(shè)置于所述容納空間并相對(duì)所述安裝部沿所述第一方向可移動(dòng)設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述鎖止部還包括沿所述第一方向可往復(fù)變形的彈性件，所述凸起部通過所述彈性件設(shè)置于所述容納空間內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述安裝部還包括與所述第一方向垂直的兩個(gè)通孔，所述凸起部為凸輪并包括主體部和位于所述主體部?jī)蓚?cè)的分部，所述主體部位于所述容納空間，兩個(gè)所述分部位于兩個(gè)所述通孔中，且分部在所述通孔內(nèi)沿所述第一方向可移動(dòng)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述限位部包括背離所述基座一側(cè)的第一表面，所述第一表面朝靠近所述基座的方向凹陷形成所述限位槽，位于所述限位槽兩側(cè)的所述第一表面朝基座一側(cè)凸出形成兩個(gè)第一弧面，所述限位槽包括第二弧面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述固定部包括中心點(diǎn)，所述第一位置與中心點(diǎn)的連線和所述第二位置與旋轉(zhuǎn)中心的連線之間的夾角為85度至95度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)向組件還包括防塵板，所述防塵板與所述基座固定連接并位于所述基座背離所述支撐部的一側(cè)，所述防塵板設(shè)置有定位塊，所述定位塊位于所述防塵板背離所述基座的一側(cè)，所述定位塊用于限定所述承載工具的移動(dòng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述防塵板上還設(shè)置有把手。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工作臺(tái)，其特征在于，所述支撐面一側(cè)設(shè)置有壁部，所述壁部與所述轉(zhuǎn)向組件間隔設(shè)置，所述壁部與所述轉(zhuǎn)向組件之間設(shè)置有擋塊，所述擋塊的高度小于所述壁部的高度，所述擋塊朝向所述轉(zhuǎn)向組件的一側(cè)包括斜面，所述斜面在第一方向且遠(yuǎn)離所述支撐面的方向上到所述轉(zhuǎn)向組件的距離逐漸增大。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種用于轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體晶圓盒的工作臺(tái)，工作臺(tái)包括：支撐部、轉(zhuǎn)向組件和限位組件。轉(zhuǎn)向組件通過固定部固定于支撐面上，基座設(shè)置于固定部上并繞第一方向可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置，第一方向和支撐面相交。基座用于放置晶圓盒并帶動(dòng)晶圓盒轉(zhuǎn)動(dòng)。限位組件包括固定于基座的限位部和固定于固定部的鎖止部。至少兩個(gè)鎖止部設(shè)置于第一位置和第二位置，以使基座轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在第一位置和/或第二位置，限位部和鎖止部相互卡扣配合。本申請(qǐng)實(shí)施例中，轉(zhuǎn)動(dòng)晶圓盒的過程中，晶圓盒隨著基座進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，晶圓盒相對(duì)于基座不轉(zhuǎn)動(dòng)，從而間接減少了晶圓盒底與工作臺(tái)因摩擦而產(chǎn)生碎屑導(dǎo)致晶圓污染的可能性，提高了晶圓生產(chǎn)的良率。

技術(shù)研發(fā)人員：朱宏華,賀國(guó)平,戴志榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)積電（中國(guó)）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240220
技術(shù)公布日：2024/9/17