本申請實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種升降裝置及頂針機(jī)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、靜電吸盤用于頂起晶圓，靜電吸盤對晶圓的吸附性能會隨使用時間的增長降低?，F(xiàn)有設(shè)備將靜電吸盤將晶圓頂起時，晶圓容易偏離圓心和破片。因此，如何避免靜電吸盤頂起晶圓時晶圓破裂，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請實(shí)施例提供一種升降裝置及頂針機(jī)構(gòu)，以避免靜電吸盤頂起晶圓時晶圓破裂。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請實(shí)施例提供如下技術(shù)方案：

3、本申請實(shí)施例提供一種升降裝置，包括：

4、套筒；

5、升針，設(shè)置于所述套筒內(nèi)的軸線；

6、靜電吸盤，設(shè)置于所述套筒內(nèi)，垂直于所述升針，所述靜電吸盤可在所述套筒內(nèi)沿中軸線方向運(yùn)動；

7、至少三個氣管，設(shè)置于所述套筒的內(nèi)側(cè)壁上，沿所述套筒的軸線依次設(shè)置；

8、至少一個位置感應(yīng)器，設(shè)置于所述套筒的內(nèi)側(cè)壁。

9、可選的，所述至少三個氣管包括：

10、第一氣管，設(shè)置于所述套筒內(nèi)側(cè)壁底部；

11、第二氣管，設(shè)置于所述套筒內(nèi)側(cè)壁頂部；

12、第三氣管，設(shè)置于所述第一氣管和所述第二氣管之間。

13、可選的，所述至少一個位置感應(yīng)器與所述第三氣管設(shè)置于同一平行于所述套筒底面的水平面的所述套筒內(nèi)側(cè)壁。

14、可選的，所述第三氣管與所述一氣管的間距大于所述晶圓的厚度。

15、可選的，全部所述氣管所在的平行于所述套筒底面的水平面的所述套筒內(nèi)側(cè)壁均設(shè)置有所述位置感應(yīng)器。

16、本申請實(shí)施例還提供一種升針機(jī)構(gòu)，包括如上所述的升降裝置，包括：

17、固定架，所述升降裝置設(shè)置于所述固定架；

18、至少一個氣缸，設(shè)置于所述固定架，連接至少三個所述氣管，與所述升降裝置內(nèi)部相連；

19、壓力監(jiān)控器，連接所述氣缸，控制所述氣缸輸出的氣壓。

20、可選的，還包括：位置控制器，連接所述位置感應(yīng)器和所述壓力監(jiān)控器，根據(jù)所述位置感應(yīng)器的位置信息，控制所述壓力監(jiān)控器。

21、通過在所述升針裝置內(nèi)設(shè)置多個氣管，使得所述升降裝置可以分級提升靜電吸盤的能力，進(jìn)而可以選擇先將所述靜電吸盤提升到一定高度，并檢測所述靜電吸盤的性能，以在靜電吸盤的性能未知的情況下，避免直接將所述靜電吸盤提升至所述升降裝置的頂端，進(jìn)而避免因所述靜電吸盤去靜電不完全使得靜電吸盤上的晶圓錯位導(dǎo)致晶圓破裂，從而降低晶圓偏離圓心和破片概率。

技術(shù)特征：

1.一種升降裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的升降裝置，其特征在于，所述至少三個氣管包括：

3.如權(quán)利要求2所述的升降裝置，其特征在于，所述至少一個位置感應(yīng)器與所述第三氣管設(shè)置于同一平行于所述套筒底面的水平面的所述套筒內(nèi)側(cè)壁。

4.如權(quán)利要求2所述的升降裝置，其特征在于，所述第三氣管與所述第二氣管的間距大于晶圓的厚度。

5.如權(quán)利要求1所述的升降裝置，其特征在于，全部所述氣管所在的平行于所述套筒底面的水平面均設(shè)置有所述位置感應(yīng)器。

6.一種頂針機(jī)構(gòu)，包括如權(quán)利要求1-5任一所述的升降裝置，其特征在于，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的頂針機(jī)構(gòu)，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請實(shí)施例提供一種升降裝置及頂針機(jī)構(gòu)，其中升降裝置包括：套筒；升針，設(shè)置于所述套筒內(nèi)的軸線；靜電吸盤，設(shè)置于所述套筒內(nèi)，垂直于所述升針，所述靜電吸盤可在所述套筒內(nèi)沿中軸線方向運(yùn)動；至少三個氣管，設(shè)置于所述套筒的側(cè)壁上，沿所述套筒的軸線依次設(shè)置；至少一個位置感應(yīng)器，設(shè)置于所述套筒的側(cè)壁。通過在所述升針裝置內(nèi)設(shè)置多個氣管，使得所述升降裝置可以分級提升靜電吸盤的能力，以在靜電吸盤的性能未知的情況下，避免直接將所述靜電吸盤提升至所述升降裝置的頂端，進(jìn)而避免因所述靜電吸盤去靜電不完全使得靜電吸盤上的晶圓錯位導(dǎo)致晶圓破裂，從而降低晶圓偏離圓心和破片概率。

技術(shù)研發(fā)人員：紀(jì)美軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240306
技術(shù)公布日：2024/12/19