本技術(shù)涉及層疊陶瓷電容器。

背景技術(shù)：

1、以往，被廣泛用于便攜式電話(huà)機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器等電子設(shè)備等的層疊陶瓷電容器具備：內(nèi)層部，將由陶瓷材料構(gòu)成的多個(gè)電介質(zhì)層和多個(gè)內(nèi)部電極層層疊而形成靜電電容；外層部，配置在該內(nèi)層部的層疊方向上的兩側(cè)；以及側(cè)方邊緣部，配置在所述內(nèi)層部的寬度方向上的兩側(cè)。而且，伴隨著近年來(lái)的電子設(shè)備等的高性能化以及小型化，對(duì)于層疊陶瓷電容器也要求大電容化以及小型化。

2、在層疊陶瓷電容器的大電容化上，作為用于得到高介電常數(shù)的電介質(zhì)層的方法之一，有使陶瓷粒子(晶粒)進(jìn)行晶粒生長(zhǎng)的方法(例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。

3、另一方面，在針對(duì)層疊陶瓷電容器的小型化的要求而使電介質(zhì)層以及內(nèi)部電極層薄層化的層疊陶瓷電容器中，在晶粒生長(zhǎng)時(shí)，存在如下問(wèn)題，即，電介質(zhì)層局部性地變薄，絕緣性、耐濕性下降，可靠性下降。

4、因此，要求一種能夠在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)兼顧大電容化和可靠性的層疊陶瓷電容器。

5、在先技術(shù)文獻(xiàn)

6、專(zhuān)利文獻(xiàn)

7、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2014-210685號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、實(shí)用新型要解決的問(wèn)題

2、本實(shí)用新型的目的在于，提供一種能夠在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)兼顧大電容化和可靠性的層疊陶瓷電容器。

3、用于解決問(wèn)題的技術(shù)方案

4、本實(shí)用新型的發(fā)明人們發(fā)現(xiàn)了如下事實(shí)，并最終完成了本實(shí)用新型，即，將構(gòu)成層疊陶瓷電容器的有效部在層疊方向上進(jìn)行三等分而劃分為三個(gè)區(qū)域時(shí)，通過(guò)使處于中間區(qū)域的電介質(zhì)層的晶粒的粒徑比處于另外兩個(gè)區(qū)域的電介質(zhì)層的晶粒的粒徑大，從而在將層疊陶瓷電容器小型化的情況下，也能夠兼顧大電容化和可靠性。

5、即，本實(shí)用新型是一種層疊陶瓷電容器，具備：層疊體，包含在電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層層疊的層疊方向上多個(gè)所述內(nèi)部電極層彼此隔著所述電介質(zhì)層對(duì)置的有效部；以及一對(duì)外部電極，配置在該層疊體的表面，與所述內(nèi)部電極層連接，在所述層疊陶瓷電容器中，

6、在將所述有效部在所述層疊方向上進(jìn)行三等分而劃分為三個(gè)區(qū)域時(shí)，

7、構(gòu)成處于所述有效部的中間區(qū)域的電介質(zhì)層的晶粒的粒徑d50比構(gòu)成處于另外兩個(gè)區(qū)域的電介質(zhì)層的晶粒的粒徑d50大。

8、實(shí)用新型效果

9、根據(jù)本實(shí)用新型，能夠提供一種能夠在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)兼顧大電容化和可靠性的層疊陶瓷電容器。

技術(shù)特征：

1.一種層疊陶瓷電容器，具備：層疊體，包含在電介質(zhì)層和內(nèi)部電極層層疊的層疊方向上多個(gè)所述內(nèi)部電極層彼此隔著所述電介質(zhì)層對(duì)置的有效部；以及一對(duì)外部電極，配置在該層疊體的表面，與所述內(nèi)部電極層連接，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊陶瓷電容器，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種能夠在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)兼顧大電容化和可靠性的層疊陶瓷電容器。一種層疊陶瓷電容器(1)，具備：層疊體(2)，包含在電介質(zhì)層(14)和內(nèi)部電極層(15)層疊的層疊方向(Z)上多個(gè)所述內(nèi)部電極層(15)彼此隔著所述電介質(zhì)層(14)對(duì)置的有效部(16)；以及一對(duì)外部電極(3)，配置在該層疊體(2)的表面，與所述內(nèi)部電極層(15)連接，在所述層疊陶瓷電容器中，在將所述有效部(16)在所述層疊方向(Z)上進(jìn)行三等分而劃分為三個(gè)區(qū)域時(shí)，構(gòu)成處于所述有效部(16)的中間區(qū)域(16b)的電介質(zhì)層(14)的晶粒的粒徑D50比構(gòu)成處于另外兩個(gè)區(qū)域的電介質(zhì)層(14)的晶粒的粒徑D50大。

技術(shù)研發(fā)人員：巖崎好洋,早川達(dá)也
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：20240318
技術(shù)公布日：2024/12/19