本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種射頻芯片。

背景技術(shù)：

1、晶圓沿切割道201(scribe?line)切割時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生裂縫，為了防止裂縫損壞芯片101，現(xiàn)有技術(shù)中通常在芯片的外部設(shè)置了一圈保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)102(seal?ring)，如圖1所示。

2、對(duì)于rf集成電路來(lái)說(shuō)，連續(xù)的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)會(huì)傳遞噪聲，對(duì)電路造成影響?，F(xiàn)有技術(shù)中為了克服這一缺點(diǎn)，將保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)102設(shè)置為雙層不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，如圖2所示。但是切割時(shí)可能會(huì)在保護(hù)環(huán)的間隔處產(chǎn)生裂縫301，水汽會(huì)沿著該裂縫滲入芯片內(nèi)部(例如圖2中沿著裂縫通過(guò)途徑401滲入)，從而影響器件的可靠性。

3、因而，如何提供一種既可以避免傳遞噪聲，又可以避免水汽滲入的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，已成為業(yè)界亟需解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型提供一種射頻芯片，以解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法兼顧避免傳遞噪聲和避免水汽滲入的問(wèn)題。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

3、本實(shí)用新型提供一種射頻芯片，其包括：

4、射頻芯片主體，所述射頻芯片主體包括半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件位于soi晶圓的器件層；

5、至少兩斷續(xù)式密封環(huán)：第一密封環(huán)、第二密封環(huán)，所述斷續(xù)式密封環(huán)圍繞所述射頻芯片主體設(shè)置；以及，

6、至少一防水環(huán)，所述防水環(huán)圍繞所述射頻芯片主體設(shè)置，且所述防水環(huán)設(shè)置于所述射頻芯片主體與所述第一/第二密封環(huán)之間。

7、可選的，所述防水環(huán)包括：防水隔離槽、防水壁和防水介質(zhì)；

8、所述防水壁沉積于所述防水隔離槽的內(nèi)壁，所述防水介質(zhì)填充入帶有所述防水壁的所述防水隔離槽中。其中，防水壁、防水介質(zhì)起到雙層防水作用，使得防水效果更好。

9、可選的，沿所述射頻芯片主體的厚度方向，從上至下，所述防水隔離槽的上方尺寸大于下方尺寸。其中，防水隔離槽的上方尺寸大于下方尺寸，即防水隔離槽為上寬下窄結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)樯蠈捪抡Y(jié)構(gòu)的防水隔離槽的刻蝕更容易實(shí)現(xiàn)；另外上寬下窄結(jié)構(gòu)，也可以使得在沉積防水壁的過(guò)程中，防水壁從上至下流入時(shí)，在防水隔離槽的側(cè)壁沉積的更均勻。

10、可選的，所述防水隔離槽沿所述射頻芯片主體的厚度方向的截面為倒梯形/階梯型的倒梯形。其中，將防水隔離槽的側(cè)壁設(shè)置為倒梯形或者階梯型的倒梯形，使得防水壁沉積過(guò)程更順滑，沉積的更均勻。

11、可選的，所述防水壁為含氮硅化物防水壁。

12、可選的，所述防水介質(zhì)為硅氧化物防水介質(zhì)。

13、可選的，沿所述射頻芯片主體的厚度方向，所述防水環(huán)的深度大于等于所述斷續(xù)式密封環(huán)的深度。其中，防水環(huán)的深度大于等于斷續(xù)式密封環(huán)的深度，即防水環(huán)可以全面覆蓋度斷續(xù)式密封環(huán)的整個(gè)深度方向，進(jìn)一步提高了防水效果。

14、可選的，所述防水環(huán)的深度貫穿所述soi晶圓的器件層至soi晶圓的氧化層。

15、可選的，所述第一密封環(huán)和所述第二密封環(huán)相互之間為斷續(xù)式交錯(cuò)分布。

16、可選的，所述防水環(huán)的數(shù)量為至少兩個(gè)；

17、所述第一/第二密封環(huán)設(shè)置于兩個(gè)所述防水環(huán)之間。

18、本實(shí)用新型提供的射頻芯片，通過(guò)在射頻芯片主體四周設(shè)置相互交錯(cuò)分布的雙層斷續(xù)式密封環(huán)，可以減少傳遞噪聲；并且在射頻芯片主體與密封環(huán)之間設(shè)置有防水環(huán)，可以避免當(dāng)切割時(shí)靠近射頻芯片主體的密封環(huán)間隔處產(chǎn)生裂縫導(dǎo)致的水汽滲入。本實(shí)用新型的射頻芯片減少了噪聲傳遞，同時(shí)有效阻止了水汽滲入內(nèi)部芯片主體，進(jìn)而有效地提高了器件的可靠性。

19、進(jìn)一步地，本實(shí)用新型的一可選方案中，沿射頻芯片主體的厚度方向，從上至下，防水隔離槽的上方尺寸大于下方尺寸，即防水隔離槽為上寬下窄的結(jié)構(gòu)，將防水隔離槽設(shè)置為這種結(jié)構(gòu)，使得防水隔離槽的刻蝕更容易實(shí)現(xiàn)；另外上寬下窄結(jié)構(gòu)，也可以使得在沉積防水壁的過(guò)程中，使得防水壁從上至下流入時(shí)，在防水隔離槽的側(cè)壁沉積的更均勻。

技術(shù)特征：

1.一種射頻芯片，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水環(huán)包括：防水隔離槽、防水壁和防水介質(zhì)；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻芯片，其特征在于，沿所述射頻芯片主體的厚度方向，從上至下，所述防水隔離槽的上方尺寸大于下方尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水隔離槽沿所述射頻芯片主體的厚度方向的截面為倒梯形/階梯型的倒梯形。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水壁為含氮硅化物防水壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水介質(zhì)為硅氧化物防水介質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片，其特征在于，沿所述射頻芯片主體的厚度方向，所述防水環(huán)的深度大于等于所述斷續(xù)式密封環(huán)的深度。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水環(huán)的深度貫穿所述soi晶圓的器件層至soi晶圓的氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻芯片，其特征在于，所述第一密封環(huán)和所述第二密封環(huán)相互之間為斷續(xù)式交錯(cuò)分布。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的射頻芯片，其特征在于，所述防水環(huán)的數(shù)量為至少兩個(gè)；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種射頻芯片，包括：射頻芯片主體，射頻芯片主體包括半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件位于SOI晶圓的器件層；至少兩斷續(xù)式密封環(huán)：第一密封環(huán)、第二密封環(huán)，斷續(xù)式密封環(huán)圍繞射頻芯片主體設(shè)置；以及至少一防水環(huán)，防水環(huán)圍繞射頻芯片主體設(shè)置，且防水環(huán)設(shè)置于射頻芯片主體與第一/第二密封環(huán)之間。本技術(shù)的射頻芯片，通過(guò)密封環(huán)可以保護(hù)芯片，防止芯片切割時(shí)產(chǎn)生的裂縫損傷芯片，并且密封環(huán)為雙層交錯(cuò)斷續(xù)式密封環(huán)，可以避免噪聲傳遞；另外通過(guò)防水環(huán)可以防止水汽從切割時(shí)密封環(huán)間隙產(chǎn)生的裂縫滲入芯片內(nèi)部，從而提高射頻芯片的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：李妍妍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣州增芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240407
技術(shù)公布日：2024/12/10