本技術(shù)涉及微波，尤其涉及一種超寬帶環(huán)行器/隔離器。

背景技術(shù)：

1、隨著雷達(dá)、基站等電子設(shè)備的高速發(fā)展與迭代，對(duì)于微波鐵氧體器件的各項(xiàng)性能要求也越來(lái)越高，微波鐵氧體器件主要以小型化、超寬帶、超高頻等方向進(jìn)行改進(jìn)，需要微波鐵氧體器件具有高效能、小薄輕、低成本等優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前，集總參數(shù)電路能夠大大縮小環(huán)行器尺寸，有利于環(huán)行器小型化、低成本設(shè)計(jì)，但是集總參數(shù)電路的帶寬相對(duì)較窄。目前絕大多數(shù)集總參數(shù)器件都為相對(duì)帶寬為5～10％的窄帶器件，為實(shí)現(xiàn)更寬的相對(duì)帶寬，在集總參數(shù)環(huán)行器內(nèi)部的非互易耦合電感結(jié)的端口處增加多階lc匹配電路，能夠?qū)崿F(xiàn)至多為25％的相對(duì)帶寬，其會(huì)增加集總參數(shù)環(huán)行器內(nèi)部電氣元件，且對(duì)集總參數(shù)環(huán)行器的小型化影響較小。

2、鑒于上述問(wèn)題，有必要對(duì)環(huán)行器/隔離器做出改進(jìn)與優(yōu)化，以期望設(shè)計(jì)出一種新的超寬帶環(huán)行器/隔離器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種超寬帶環(huán)行器/隔離器，以使環(huán)行器同時(shí)滿足高性能與小型化的設(shè)計(jì)需求。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為：一種超寬帶環(huán)行器/隔離器，包括殼體和設(shè)于殼體中的堆疊組件，所述堆疊組件包括電感件、下鐵氧體基片和上鐵氧體基片，所述電感件包括中心節(jié)和與所述中心節(jié)分別連接的三個(gè)電感條，三個(gè)所述電感條向上翻折形成疊層部，三個(gè)所述電感條的疊層部依次層疊設(shè)置，以使三個(gè)所述電感條的疊層部之間構(gòu)成疊層網(wǎng)狀電感，所述下鐵氧體基片設(shè)于所述中心節(jié)的上表面與所述疊層網(wǎng)狀電感之間，所述上鐵氧體基片設(shè)于所述疊層網(wǎng)狀電感的頂部，所述下鐵氧體基片的下表面設(shè)有第一銀漿導(dǎo)電層，所述上鐵氧體基片的上表面設(shè)有第二銀漿導(dǎo)電層。

3、進(jìn)一步的，還包括磁鐵，所述磁鐵設(shè)于所述堆疊組件的頂部，所述磁鐵的底部設(shè)有凹槽，所述上鐵氧體基片設(shè)于所述凹槽中。

4、進(jìn)一步的，所述凹槽的深度小于所述上鐵氧體基片的厚度的三分之一。

5、進(jìn)一步的，還包括溫度補(bǔ)償片，所述溫度補(bǔ)償片設(shè)于所述磁鐵的頂部。

6、進(jìn)一步的，所述堆疊組件還包括絕緣膠帶，所述絕緣膠帶設(shè)于上下相鄰的兩個(gè)所述疊層部之間。

7、進(jìn)一步的，還包括電路板，所述電路板設(shè)于所述堆疊組件的底部，三個(gè)所述電感條分別焊接于所述電路板上。

8、進(jìn)一步的，所述電路板上設(shè)有寬帶匹配電路，所述寬帶匹配電路包括并聯(lián)電容、并聯(lián)電感和串聯(lián)諧振回路，所述寬帶匹配電路的并聯(lián)電感與所述電感條并聯(lián)連接，所述并聯(lián)電感與所述串聯(lián)諧振回路連接。

9、進(jìn)一步的，所述串聯(lián)諧振回路包括串聯(lián)的第一電感與第一電容。

10、進(jìn)一步的，所述殼體包括腔體和設(shè)于所述腔體頂部的蓋板，所述腔體包括底板和相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)側(cè)板，以使兩個(gè)所述側(cè)板與所述底板之間圍合形成容納槽，所述電路板與所述堆疊組件由下至上依次設(shè)于所述容納槽中，所述電路板的底部設(shè)有限位槽，所述底板設(shè)于所述限位槽中。

11、進(jìn)一步的，所述上鐵氧體基片的介電常數(shù)為20～30，所述下鐵氧體基片的介電常數(shù)為20～30。

12、本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型提供的這種超寬帶環(huán)行器/隔離器設(shè)置有上、下鐵氧體基片，其可以提高環(huán)行器的各項(xiàng)電性能，提升環(huán)行器的三階互調(diào)；下鐵氧體基片的下表面與上鐵氧體基片的上表面分別設(shè)置有第一銀漿導(dǎo)電層、第二銀漿導(dǎo)電層，其可以使得下鐵氧體基片與上氧體基片之間存在很大的分布電容，從而使得該環(huán)行器實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)并且減少器件的貼片電容使用數(shù)量；為了同時(shí)滿足環(huán)行器的高性能與小型化的設(shè)計(jì)需求，本實(shí)用新型的電容件的三個(gè)電容條包裹下鐵氧體基片設(shè)置，以使電容件與下鐵氧體基片形成整體，從而使得本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的這種環(huán)行器既不用增加高度，又能夠提升性能。

技術(shù)特征：

1.一種超寬帶環(huán)行器/隔離器，包括殼體和設(shè)于殼體中的堆疊組件，其特征在于，所述堆疊組件包括電感件、下鐵氧體基片和上鐵氧體基片，所述電感件包括中心節(jié)和與所述中心節(jié)分別連接的三個(gè)電感條，三個(gè)所述電感條向上翻折形成疊層部，三個(gè)所述電感條的疊層部依次層疊設(shè)置，以使三個(gè)所述電感條的疊層部之間構(gòu)成疊層網(wǎng)狀電感，所述下鐵氧體基片設(shè)于所述中心節(jié)的上表面與所述疊層網(wǎng)狀電感之間，所述上鐵氧體基片設(shè)于所述疊層網(wǎng)狀電感的頂部，所述下鐵氧體基片的下表面設(shè)有第一銀漿導(dǎo)電層，所述上鐵氧體基片的上表面設(shè)有第二銀漿導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，還包括磁鐵，所述磁鐵設(shè)于所述堆疊組件的頂部，所述磁鐵的底部設(shè)有凹槽，所述上鐵氧體基片設(shè)于所述凹槽中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述上鐵氧體基片的厚度的三分之一。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，還包括溫度補(bǔ)償片，所述溫度補(bǔ)償片設(shè)于所述磁鐵的頂部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述堆疊組件還包括絕緣膠帶，所述絕緣膠帶設(shè)于上下相鄰的兩個(gè)所述疊層部之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，還包括電路板，所述電路板設(shè)于所述堆疊組件的底部，三個(gè)所述電感條分別焊接于所述電路板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述電路板上設(shè)有寬帶匹配電路，所述寬帶匹配電路包括并聯(lián)電容、并聯(lián)電感和串聯(lián)諧振回路，所述寬帶匹配電路的并聯(lián)電感與所述電感條并聯(lián)連接，所述并聯(lián)電感與所述串聯(lián)諧振回路連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述串聯(lián)諧振回路包括串聯(lián)的第一電感與第一電容。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述殼體包括腔體和設(shè)于所述腔體頂部的蓋板，所述腔體包括底板和相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)側(cè)板，以使兩個(gè)所述側(cè)板與所述底板之間圍合形成容納槽，所述電路板與所述堆疊組件由下至上依次設(shè)于所述容納槽中，所述電路板的底部設(shè)有限位槽，所述底板設(shè)于所述限位槽中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超寬帶環(huán)行器/隔離器，其特征在于，所述上鐵氧體基片的介電常數(shù)為20～30，所述下鐵氧體基片的介電常數(shù)為20～30。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種超寬帶環(huán)行器/隔離器，包括殼體和設(shè)于殼體中的堆疊組件，所述堆疊組件包括電感件、下鐵氧體基片和上鐵氧體基片，所述電感件包括中心節(jié)和與所述中心節(jié)分別連接的三個(gè)電感條，三個(gè)所述電感條向上翻折形成疊層部，三個(gè)所述電感條的疊層部依次層疊設(shè)置，以使三個(gè)所述電感條的疊層部之間構(gòu)成疊層網(wǎng)狀電感，所述下鐵氧體基片設(shè)于所述中心節(jié)的上表面與所述疊層網(wǎng)狀電感之間，所述上鐵氧體基片設(shè)于所述疊層網(wǎng)狀電感的頂部，所述下鐵氧體基片的下表面設(shè)有第一銀漿導(dǎo)電層，所述上鐵氧體基片的上表面設(shè)有第二銀漿導(dǎo)電層。本技術(shù)提供的這種環(huán)行器/隔離器能夠同時(shí)滿足其高性能與小型化的設(shè)計(jì)需求。

技術(shù)研發(fā)人員：侯永鵬,杜東興,王睿,倪晶,彭華,張偉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華揚(yáng)通信技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240418
技術(shù)公布日：2024/12/10