本申請實施例涉及電子器件，特別涉及一種射頻裝置、雷達和電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、射頻裝置是一種常用的電子器件，如圖1和圖2所示，射頻裝置包括芯片結(jié)構(gòu)1、pcb(printed?circuit?board，印刷電路板)2和貼片天線3，pcb2面向芯片結(jié)構(gòu)1的一側(cè)設(shè)置貼片天線3；如圖2中黑色箭頭表示的信號傳輸路徑，芯片結(jié)構(gòu)1產(chǎn)生的射頻信號通過球柵陣列(ball?grid?array，bga)的焊球4傳輸至pcb2上的走線，進而通過pcb2上的貼片天線3向空間輻射。此類射頻裝置的天線和芯片互相干擾，從而降低天線性能，同時也不利于芯片的電磁兼容性(electromagnetic?compatibility，emc)和抗電磁干擾(electromagneticinterference，emi)能力。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請實施例提供一種射頻裝置、雷達和電子設(shè)備，能夠大幅降低天線和芯片互相干擾，從而提升天線性能，提高芯片的電磁兼容性和抗電磁干擾能力。

2、根據(jù)本申請一些實施例，本申請實施例一方面提供一種射頻裝置，包括：芯片、至少一個第一傳輸結(jié)構(gòu)、電路板和至少一個天線；

3、所述芯片設(shè)置在所述電路板的一側(cè)，用于產(chǎn)生和/或接收射頻信號；

4、所述芯片在朝向所述電路板的一側(cè)設(shè)置至少一個輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)；

5、所述第一傳輸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述電路板朝向所述芯片的一側(cè)、且與所述輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置；

6、所述電路板包括至少一個第二傳輸結(jié)構(gòu)，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)與所述第一傳輸結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置；

7、所述天線設(shè)置在對應(yīng)的所述第二傳輸結(jié)構(gòu)背離所述第一傳輸結(jié)構(gòu)的一側(cè)；

8、其中，所述芯片產(chǎn)生的射頻信號經(jīng)過所述輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、所述第一傳輸結(jié)構(gòu)、所述第二傳輸結(jié)構(gòu)傳輸至所述天線；和/或，所述天線接收的射頻信號經(jīng)過所述第二傳輸結(jié)構(gòu)、所述第一傳輸結(jié)構(gòu)、所述輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)傳輸至所述芯片。

9、根據(jù)本申請一些實施例，本申請實施例又一方面提供一種雷達，包括上述射頻裝置。

10、根據(jù)本申請一些實施例，本申請實施例另一方面提供一種電子設(shè)備，包括上述雷達。

11、本申請實施例提供了一種射頻裝置、雷達和電子設(shè)備，該射頻裝置通過芯片的輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、第一傳輸結(jié)構(gòu)、電路板的第二傳輸結(jié)構(gòu)和天線的相互配合，從而實現(xiàn)射頻信號的傳輸；同時，通過將天線設(shè)置在對應(yīng)的第二傳輸結(jié)構(gòu)背離第一傳輸結(jié)構(gòu)的一側(cè)，從而使得芯片和天線設(shè)置在電路板的不同側(cè)，增大了兩者之間的設(shè)置距離，從而能夠大幅降低天線和芯片互相干擾，進而提升天線性能，提高芯片的電磁兼容性和電磁干擾。

技術(shù)特征：

1.一種射頻裝置，其特征在于，包括：芯片、至少一個第一傳輸結(jié)構(gòu)、電路板和至少一個天線；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置，其特征在于，所述第一傳輸結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電部；多個所述導(dǎo)電部圍繞對應(yīng)的所述輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)設(shè)置，并形成腔體結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻裝置，其特征在于，所述第一傳輸結(jié)構(gòu)還包括第一有機部，所述腔體結(jié)構(gòu)中的至少部分空間填充有所述第一有機部。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻裝置，其特征在于，所述射頻裝置包括多個所述第一傳輸結(jié)構(gòu)，所述芯片設(shè)置多個所述輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，所述電路板包括多個所述第二傳輸結(jié)構(gòu)；

5.根據(jù)權(quán)利要求2-4任一項所述的射頻裝置，其特征在于，所述電路板還包括本體結(jié)構(gòu)，所述本體結(jié)構(gòu)至少包括本體導(dǎo)電層和本體絕緣層，所述本體結(jié)構(gòu)的頂層和底層均為所述本體導(dǎo)電層，所述本體結(jié)構(gòu)的頂層靠近所述第一傳輸結(jié)構(gòu)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻裝置，其特征在于，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)為傳輸通孔，所述傳輸通孔與所述導(dǎo)電部形成的腔體結(jié)構(gòu)相通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻裝置，其特征在于，所述電路板還包括第一屏蔽層，所述第一屏蔽層覆蓋所述傳輸通孔的側(cè)壁；

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻裝置，其特征在于，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)為絕緣部，所述絕緣部與所述導(dǎo)電部形成的腔體結(jié)構(gòu)相通。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的射頻裝置，其特征在于，所述電路板還包括多個第二屏蔽孔；多個所述第二屏蔽孔圍繞所述絕緣部設(shè)置。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻裝置，其特征在于，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)包括多個疊層設(shè)置的傳輸單元，各所述傳輸單元包括至少一層傳輸絕緣層；

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的射頻裝置，其特征在于，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)還包括第一傳輸導(dǎo)電層，所述第一傳輸導(dǎo)電層設(shè)置在沿所述預(yù)設(shè)方向位于最下方的所述傳輸單元的下側(cè)，所述第一傳輸導(dǎo)電層與所述第二組傳輸單元沿所述預(yù)設(shè)方向交疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻裝置，其特征在于，所述第二傳輸結(jié)構(gòu)包括沿預(yù)設(shè)方向連通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔的橫截面的尺寸大于所述第二子孔的橫截面的尺寸，其中，所述預(yù)設(shè)方向與從所述本體結(jié)構(gòu)的底層到所述本體結(jié)構(gòu)的頂層的方向一致。

13.一種雷達，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1-12任一項所述的射頻裝置。

14.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：如權(quán)利要求13所述的雷達。

技術(shù)總結(jié)
本申請實施例涉及電子器件技術(shù)領(lǐng)域，提供一種射頻裝置、雷達和電子設(shè)備，能夠大幅降低天線和芯片互相干擾，從而提升天線性能，提高芯片的電磁兼容性和抗電磁干擾能力。射頻裝置包括：芯片、至少一個第一傳輸結(jié)構(gòu)、電路板和至少一個天線；芯片設(shè)置在電路板的一側(cè)，用于產(chǎn)生和/或接收射頻信號；芯片在朝向電路板的一側(cè)設(shè)置至少一個輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)；第一傳輸結(jié)構(gòu)設(shè)置在電路板朝向芯片的一側(cè)、且與輻射轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置；電路板包括至少一個第二傳輸結(jié)構(gòu)，第二傳輸結(jié)構(gòu)與第一傳輸結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置；天線設(shè)置在對應(yīng)的第二傳輸結(jié)構(gòu)背離第一傳輸結(jié)構(gòu)的一側(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：陳哲凡,王典,黃雪娟,莊凱杰,王丹洋
受保護的技術(shù)使用者：加特蘭微電子科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240508
技術(shù)公布日：2024/12/26