本公開涉及半導體裝置，特別是涉及芯片尺寸封裝型的半導體裝置。

背景技術：

1、以將鋰離子電池從過充電或/及過放電中保護的目的，使用能夠用1個芯片控制雙向的導通的雙重(dual)結構的縱型mos晶體管。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：美國專利第4616413號說明書

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、為了降低雙重結構的縱型mos晶體管的導通電阻，雙重結構的縱型mos晶體管(以下，也將雙重結構的縱型mos晶體管稱作“半導體芯片”)優(yōu)選的是平面觀察中的面積較大、半導體襯底較薄的構造。但是，在這樣的構造下，半導體芯片的翹曲變大，此外半導體芯片的強度下降。在專利文獻1中，公開了經(jīng)由導電性粘接劑將印刷電路基板向剛性的金屬板粘貼的構造。

3、于是，本公開的目的在于提供半導體裝置，該半導體裝置，在經(jīng)由導電性粘接劑粘貼剛性的金屬板的構造中，具備能夠使平面觀察中的剛性的金屬板的面積盡可能小的雙重結構的縱型mos晶體管。

4、用來解決課題的手段

5、為了解決上述的課題，作為能夠面朝下安裝的芯片尺寸封裝型的半導體裝置，其特征在于，具備：半導體襯底；低濃度雜質層，形成在上述半導體襯底的表面?zhèn)?；?縱型mos晶體管，在將上述半導體襯底和上述低濃度雜質層一起作為半導體層的情況下形成在上述半導體層的第1區(qū)域；第2縱型mos晶體管，在上述半導體層的平面觀察中形成在與上述第1區(qū)域相鄰的第2區(qū)域；金屬層，與上述半導體襯底的背面?zhèn)日娼佑|連接；以及支承體，經(jīng)由粘接劑而與上述金屬層的背面?zhèn)冉雍?；在上述平面觀察中，上述支承體相比于上述半導體層而言面積大，并且將上述半導體層包含在內；上述支承體的厚度比上述半導體層的厚度大；在包括上述平面觀察中的上述半導體層的中心和上述半導體層的外周的、上述半導體裝置的剖視中，沿著上述半導體層的側面的上述粘接劑的高度低于上述半導體層的上表面；當在上述剖視中觀察上述半導體裝置中的除了上述支承體及上述粘接劑以外的半導體芯片時，上述半導體芯片是向接近上述支承體的方向凸的彎曲形狀。

6、根據(jù)上述的結構，在雙重結構的縱型mos晶體管中，能夠在減小導通電阻的同時減輕半導體芯片的翹曲，此外能夠使半導體芯片的強度提高。

7、發(fā)明效果

8、本公開的目的在于提供半導體裝置，該半導體裝置具備在減小半導體芯片的導通電阻的同時減輕半導體芯片的翹曲、進而提高了半導體芯片的強度的雙重結構的縱型mos晶體管。

技術特征：

1.一種半導體裝置，是能夠面朝下安裝的芯片尺寸封裝型的半導體裝置，其特征在于，

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

5.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

6.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

7.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

8.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

9.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

10.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

技術總結
半導體裝置(1)具備：半導體層(40)；形成于半導體層(40)的第1縱型MOS晶體管(10)及第2縱型MOS晶體管(20)；金屬層(30)，與半導體層(40)的背面?zhèn)日娼佑|連接；以及支承體(42)，經(jīng)由粘接劑(41)而與金屬層(30)的背面?zhèn)冉雍希辉谄矫嬗^察中，支承體(42)比半導體層(40)面積大并且將半導體層(40)包含在內；支承體(42)的厚度比半導體層(40)的厚度大；在包括平面觀察中的半導體層(40)的中心和半導體層(40)的外周的、半導體裝置(1)的剖視中，沿著半導體層(40)的側面的粘接劑(41)的高度低于半導體層(40)的上表面；在剖視中，從半導體裝置(1)中將支承體(42)及粘接劑(41)除外了的半導體芯片(2)是向接近支承體(42)的方向凸的彎曲形狀。

技術研發(fā)人員：大橋卓史,今村武司,勝田浩人
受保護的技術使用者：新唐科技日本株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/10