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      雙向可控硅時(shí)間繼電器的制作方法

      文檔序號(hào):6798512閱讀:1617來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):雙向可控硅時(shí)間繼電器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種延時(shí)裝置。
      目前所采用的時(shí)間繼電器,大都采用電動(dòng)式空氣式兩種,其主要缺點(diǎn)是精度低、能耗高、體積大、成本高。而現(xiàn)在也有一種型號(hào)為SJJB晶體管時(shí)間繼電器,它雖然克服了上述某些缺陷,但由于晶體管延時(shí)電路必須處在低電壓狀態(tài),所以其內(nèi)部采用變壓器控制內(nèi)部小型直流繼電器。由于有變壓器,所以體積也就增大、成本高,且使繼電器的容量受到限制而使接點(diǎn)容量較小。限制其使用范圍。
      本發(fā)明的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足而提供一種雙向可控硅時(shí)間繼電器。
      本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是在底座上有兩個(gè)繼電器和一塊線路板(見(jiàn)圖2),外殼的上部裝有一個(gè)指示盤(pán),調(diào)整鈕在指示盤(pán)上(見(jiàn)圖1),線路板上的電路包括有斷電延時(shí)型時(shí)間繼電器電路或通電延時(shí)型時(shí)間繼電器電路。
      1、斷電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))中的可控硅,它的A2極與繼電器J2串聯(lián),A1極與穩(wěn)壓二極管的一端串聯(lián),控制極G與發(fā)光二極管D3串聯(lián),繼電器J1的一端與穩(wěn)壓二極管串聯(lián),另一端與控制開(kāi)關(guān)相連,發(fā)光二極管與穩(wěn)壓二極管串聯(lián),同時(shí)接電容C1。集成電路塊輸出端與發(fā)光二極管D3一端連接。集成電路塊輸入端并電容C2后通過(guò)繼電器J1常接接點(diǎn)與電位器相連。另一常斷點(diǎn)與容負(fù)極相連(見(jiàn)圖3)。
      2、通電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的可控硅,它的A2極與繼電器J2串聯(lián),繼電器J1與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后接于輸入電源兩端。集成電路塊IC輸出端串聯(lián)發(fā)光二極管D3后與可控硅控制極G相連,輸入端與電容C2正極相接后通過(guò)繼電器J1常接接點(diǎn)與電容C2負(fù)極相接(見(jiàn)圖4)。
      3、通電延時(shí)型繼電器(不帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的可控硅T的A1極與穩(wěn)壓二極管D1相接,通過(guò)繼電器J常接接點(diǎn)電源端,繼電器J的另一常斷接點(diǎn)與可控硅T的A2極及繼電器線圈相接,控制極G通過(guò)電阻R7接集成電路塊IC輸出端,繼電器線圈另一端接電阻R1后與電源相接。電阻R2,R3,R4,E5,R6,電容C3,三極管BG1,BG2構(gòu)成施密特觸發(fā)器與集成電路塊IC觸發(fā)端相接(見(jiàn)圖5)。
      斷電延時(shí)型時(shí)間繼電器其工作原理為電源端接入220V電源,當(dāng)K1接通后,J1通電吸合,流過(guò)J1的電流在穩(wěn)壓管D1上產(chǎn)生一個(gè)微小壓降(約6V),經(jīng)D2整流(同時(shí)點(diǎn)亮D2)C1濾波后,加于IC兩端,J1接點(diǎn)2、3接將C2電容內(nèi)的電荷釋放掉,同時(shí)將IC(NE555)2、6角接低電位,IC角輸出至電位D3點(diǎn)亮導(dǎo)通,可控硅T導(dǎo)通J2吸合。電流經(jīng)T、D構(gòu)成回路。
      當(dāng)斷開(kāi)K1時(shí),J1接點(diǎn)2、3斷,1、2接通C2兩端電壓,經(jīng)電阻R、電位器W給C2充電,當(dāng)C2兩端電壓上升至一定值時(shí),IC輸出端變低電位,D3截止,T阻斷,J2復(fù)位。
      圖(4)為通電延時(shí)型繼電器,當(dāng)輸入端接入電源后J1吸合,接點(diǎn)2、3,流過(guò)J1電流經(jīng)D2整流后(D2點(diǎn)亮)C1濾波加于IC 兩端電壓,輸入端為高電位D3截止,當(dāng)C1兩端電壓經(jīng)R、W將C2兩端電壓充電至2/3UC1時(shí),IC翻轉(zhuǎn),IC輸出端為低電位D3導(dǎo)通,T導(dǎo)通,J2吸合。當(dāng)電源端斷電時(shí)J1、J2復(fù)位,J1接點(diǎn)1、2接通將C2兩端電荷釋放掉。電路處于復(fù)位狀態(tài)。
      以上兩種時(shí)間繼電器。延時(shí)時(shí)間取決于電路中的R、W、C2的數(shù)值。但不受電壓大小的影響,并且使時(shí)間繼電器的刻度盤(pán)成均勻線性。由于D2、D3按延時(shí)工作程序點(diǎn)亮,使時(shí)間繼電器的工作狀態(tài)簡(jiǎn)單明朗。集成電路IC選用時(shí)基電路7555或NE555也可以使用CMOS施密特電路代替。
      在電路中,選用了專(zhuān)用集成電路塊,使其定時(shí)時(shí)間不受電壓波動(dòng)的影響。在指示盤(pán)上設(shè)有二只發(fā)光二極管以隨時(shí)指示其工作延時(shí)情況。


      圖1是本實(shí)用新型的外觀示意圖殼體1,指示盤(pán)2,調(diào)整鈕3,底座4。
      圖2是本實(shí)用新型的內(nèi)部構(gòu)造示意圖。
      繼電器J1,J2,線路板5。
      圖3是本實(shí)用新型斷電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的電路圖。
      圖4是本實(shí)用新型通電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的電路圖。
      穩(wěn)壓二極管D1,發(fā)光二極管D2、D3,電容C1,C2,電阻R,電位器W,可控硅T,繼電器J1、J2,控制開(kāi)關(guān)K,集成電路塊IC。
      圖5是通電延時(shí)型時(shí)間繼電器(不帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的電路圖。
      穩(wěn)壓二極管D2,電容C1,C2,C3,電阻R1,R2,R3,R4,R5,R6,E7,電位器W,可控硅T,三極管BG1,BG2,繼電器J,集成電路塊IC。
      本實(shí)用新型具有定時(shí)精度高、復(fù)位時(shí)間短,接點(diǎn)容量大、體積小、能耗低、成本低、調(diào)時(shí)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。
      權(quán)利要求1.一種雙向可控硅時(shí)間繼電器,包括有殼體1,指示盤(pán)2,調(diào)整鈕3,底座4,線路板5,線路板5上包括有,可控硅T,電容C1、C2、C3,二極管D1、D2、D3,電阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7電位器、三極管BG1、BG2、集成電路塊IC組成,其特征在于指示盤(pán)2位于殼體1的頂部,調(diào)整鈕3在指示盤(pán)2上,繼電器J1、J2及線路板5固定在底座4上;a、斷電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的可控硅T的A2極與繼電器J2串聯(lián),A1極與穩(wěn)壓二極管D1的一端串聯(lián)相接,控制極G與發(fā)光二極管D3串聯(lián),繼電器J1的一端與穩(wěn)壓二極管D1串聯(lián),另一端與控制開(kāi)關(guān)K相連,發(fā)光二極管D2與穩(wěn)壓二極管D1串聯(lián),接電容C1,集成電路塊IC輸出端與發(fā)光二極管D3一端聯(lián)接;輸入端并電容C2后通過(guò)繼電器J1常接接點(diǎn)與電位器W一端相連,另一常斷接點(diǎn)與電容C2負(fù)極相接;b、通電延時(shí)型時(shí)間繼電器(帶不延時(shí)動(dòng)斷動(dòng)合接點(diǎn))的可控硅的A2極與繼電器J2串聯(lián),繼電器J1與穩(wěn)壓二極管D1串聯(lián)后接于輸入電源兩端;集成電路塊IC輸出端串聯(lián)發(fā)光二極管D3后與可控硅控制極G相接,輸入端與電容C2正極相接后通過(guò)繼電器J1常接接點(diǎn)與電容C2負(fù)極相接;c、通電延時(shí)型時(shí)間繼電器(不帶不延時(shí)動(dòng)動(dòng)合接點(diǎn))的可控硅T的A1極與穩(wěn)壓二極管D1相接,通過(guò)繼電器J常接接點(diǎn)接電源端,繼電器J的另一常斷接點(diǎn)與可控硅T的A2極及繼電器線圈相接,控制極G通過(guò)電阻R7接集成電路塊IC輸出端,繼電器線圈另一端接電阻R1后與電源相接;電阻R2、R3、R5、R6、電容C3、三極管BG1、BG2構(gòu)成施密特觸發(fā)器與集成電路塊IC觸發(fā)端相接。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙向可控硅繼電器,其特征在于它的集成電路IC可選用時(shí)基電路7555或NE555,也可選用CMOS施密特電路計(jì)。
      專(zhuān)利摘要一種雙向可控硅時(shí)間繼電器,包括有殼體、指示盤(pán)、調(diào)整鈕、底座、線路板、繼電器組成。在線路板上,有可控硅、電容、電阻、穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管、三極管、集成電路塊等組成,這種時(shí)間繼電器克服了以往電動(dòng)式和空氣式時(shí)間繼電器以及其它晶體管時(shí)間繼電器的不足,具有定時(shí)精度高、復(fù)位時(shí)間短、接點(diǎn)容量大、體積小、能耗低、成本低,調(diào)時(shí)范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。
      文檔編號(hào)H01H47/18GK2043422SQ88210428
      公開(kāi)日1989年8月23日 申請(qǐng)日期1988年4月18日 優(yōu)先權(quán)日1988年4月18日
      發(fā)明者奉政一 申請(qǐng)人:奉政一
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