国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      光致負阻器件的制作方法

      文檔序號:6801128閱讀:525來源:國知局
      專利名稱:光致負阻器件的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明提供了一種新型的光電器件。
      通常的半導(dǎo)體結(jié)型光電器件,比如光電二極管,光電三極管和雪崩光電二極管等,都是利用PN結(jié)光伏效應(yīng)(施敏著,黃振崗譯,半導(dǎo)體器件物理,電子工業(yè)出版社,1987,P.544)制作出來的。
      本發(fā)明是利用間接耦合光電探測結(jié)構(gòu)(何民才、陳炳若、黃啟俊、劉國友,《中國科學(xué)》A輯,1990,4,P.431)在一定條件下產(chǎn)生的光致負阻效應(yīng)而做成的一種光電器件。其原理以

      圖1和圖2說明如下。當一束適當強度的光入射到受光結(jié)(11)上,把圖1的“+”、“-”極分別接在晶體管圖示儀的集電極和發(fā)射極(測量開關(guān)接到NPN晶體管)上,在熒光屏上就可以看到圖2所示的負阻特性,使用這種光電器件時,只要選用適當?shù)呢撦d和偏壓,便可做成新型光電開關(guān)和光控振蕩器。
      光致負阻器件結(jié)構(gòu)可以用單片集成、混合集成或組裝三種形式完成。受光結(jié)(11,21)可以是PN結(jié)、NP結(jié),PIN,異質(zhì)結(jié)或肖特基結(jié)。耦合區(qū)(15,22)可以是NPN或PNP結(jié)構(gòu)。輸出三極管(12、13、14、23)可以是NPN型或PNP型。
      光致負阻器件有好的響應(yīng)速度和內(nèi)部增益,能作成光電開關(guān)和光控振蕩器等。
      圖1A是硅集成光致負阻器件結(jié)構(gòu)俯視圖,圖1B是圖1A沿1-1線的剖面圖。10是N型襯底,11是受光結(jié)12是輸出三極管集電結(jié),13為輸出三極管發(fā)射結(jié),14為發(fā)射區(qū)鋁電極,15為耦合區(qū)。
      圖2是光致負阻照片。橫坐標是外加偏壓,每格為1伏;縱坐標光電流是每格50μA。
      圖3是組合結(jié)構(gòu)或混合集成電路圖。21是光電二極管或管芯,22為PNP三極管或管芯,23是NPN三極管或管芯。
      本發(fā)明實施例之一。
      本實施例參照圖1A和圖1B說明如下
      1.用1~20Ω·cm的N型硅外延片作襯底(10)。
      2.按常規(guī)硅平面工藝制作圖1所示結(jié)構(gòu)的管芯。要求耦合區(qū)寬度(15)為0.3~20μm,輸出三極管(12,13.14)放大系數(shù)為100左右。
      本發(fā)明實施例之二。
      本實施例參照圖3說明如下受光二極管(21)和耦合三極管(22)這鍺的集成間接耦合光電二極管,輸出三極管(23)是硅NPN管芯。
      本發(fā)明實施例之三。
      本實施例參照圖3說明如下受光二極管(21)為鍺PIN光電二極管或管芯,耦合三極管(22)為PNP鍺三極管或管芯和輸出三極管是硅NPN三極管或管芯。將上述器件或管芯組裝或混合集成,即可得到光致負阻器件。
      權(quán)利要求
      1.一個光致負阻器件,它由受光結(jié)(11,21),耦合區(qū)(15,22)和輸出三極管(12、13、14,23)組成。其特征在于所說的受光結(jié)(11、12)可以是PN結(jié)、NP結(jié)、PIN結(jié),異質(zhì)結(jié)或肖特基結(jié),耦合區(qū)(15、22)可以是N型或P型半導(dǎo)體,PNP或NPN三極管,輸出三極管(11、12、14,23)則可以是NPN或PNP三極管。其特征還在于利用間接耦合光電探測結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光致負阻特性。
      2.按權(quán)利要求1所規(guī)定的器件,其特征在于襯底材料(10)是電阻率為1~20Ω.cm的硅外延材料,受光結(jié)(11)為硅PN結(jié),耦合區(qū)(15)寬度為0.3~20μm,輸出三極管(12、13、14)為NPN硅三極管。
      3.按權(quán)利要求1所規(guī)定的器件,其特征在于受光結(jié)(21)和耦合區(qū)(22)為鍺的集成結(jié)構(gòu),輸出三極管(23)是硅NPN管芯
      4.按權(quán)利要求1所規(guī)定的器件,其特征在于受光結(jié)(21)是鍺PIN光電二極管管芯,耦合區(qū)(22)為鍺PNP三極管管芯和輸出三極管(23)是硅NPN三極管管芯。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種單片集成,混合集成或組裝的光致負阻器件。它是利用間接耦合光電探測結(jié)構(gòu)的光致負阻效應(yīng)而發(fā)明的一種新型光電器件。能夠用于高速光電開關(guān)和光控振蕩。
      文檔編號H01L31/10GK1065952SQ9110226
      公開日1992年11月4日 申請日期1991年4月13日 優(yōu)先權(quán)日1991年4月13日
      發(fā)明者何民才, 陳炳若, 黃啟俊 申請人:武漢大學(xué)
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1