專利名稱：制造一種半導體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種用于制造半導體器件的方法，尤其涉及一種采用獨立的掩膜來形成矩形感光圖形的光刻方法，借此改善感光圖形的外形。
通常通過這樣的方法形成一個光刻膠膜圖形在一個半導體襯底上的均勻地旋涂一層包含有感光劑和樹脂的感光溶液，在一個配備有一個具有遮光圖形的掩膜的曝光裝置中對涂覆在半導體襯底上的光刻膠膜進行曝光，并且對光刻膠膜進行顯影以去除光刻膠膜的曝光了的區(qū)域。
這種常用的形成光刻膠膜圖形的技術(shù)受一些因素的限制，比如曝光裝置的精度、波長等等。由于一個半導體器件的設(shè)計標準實際上由曝光裝置的極限尺寸來決定，采用常用的形成光刻膠膜圖形的技術(shù)來形成半導體器件的圖形非常困難，并且公差變得很小。另外，當一束光通過一個掩膜時，這束光會產(chǎn)生非常強的鄰近效應(yīng)，增加了形成具有與所設(shè)計圖形同樣精確的光刻膠膜圖形的難度。
現(xiàn)參照

圖1更詳細地描述這種形成光刻膠膜圖形的技術(shù)，該圖表示一個用于形成比如一個DRAM元件的存儲電極的掩膜。如該圖所示，該掩膜包括一個透明襯底和以排和列排列成具有X和Y尺寸的遮光圖形11。在行中遮光圖形11彼此相隔間距為b。另外，在列中遮光圖形11彼此相隔間距為a。
現(xiàn)參照圖2，該圖表示通過采用圖1的掩膜而形成的光刻膠膜圖形。把光刻膠膜涂覆在一個半導體襯底20上，通過圖1的掩膜用一束光對其進行曝光，再對其進行顯影以形成光刻膠膜圖形21。如圖2所示，作為執(zhí)行這些制備步驟的結(jié)果，光刻膠膜圖形21具有橢圓形的平面外表面。光刻膠膜圖形21的這樣的橢圓形外表面歸因于這樣的事實，即由于遮光圖形的間隔(a，b)和尺寸(X，Y)小，使得通過圖1的掩膜的光束受到衍射和干涉的影響而照明了光刻膠膜圖形的邊緣部分，這些被照明了的光刻膠膜圖形的邊緣部分在接下來的顯影過程中被去掉。當形成了一個例如DRAM元件的存儲電極的圖形時，采用這樣的光刻膠膜圖形21作為掩膜會導致一個比所希望得到的電容器的存儲電極小大約10%至20%的表面積。
因此，本發(fā)明的一個目的是克服在已有技術(shù)中遇到的上述問題，并且提供一種制造半導體器件的方法，該方法能夠最大限度減小鄰近效應(yīng)，借此可形成一個優(yōu)良的光刻膠膜圖形的外形。
為了實現(xiàn)此目的，按照本發(fā)明這樣形成光刻膠膜圖形通過第一掩膜和通過第二掩膜用一束光對一個光刻膠膜進行曝光，并且去除光刻膠膜的曝光了的區(qū)域，其中第一掩膜包括多個具有預定的線寬Y并且以預定的間隔a彼此沿寬度方向平行伸展的遮光圖形，第二掩膜包括多個具有預定的線寬X并且以預定的間隔b彼此沿長度方向平行伸展的遮光圖形。
本發(fā)明以包括下面步驟的特有方法為特征在預定要形成圖形的層上涂覆光刻膠膜;首先，通過第一掩膜用一束光對光刻膠膜進行曝光，所說的第一掩膜包括一個透明襯底，在該透明襯底上形成有多個相距第一預定間距、彼此沿寬度方向平行的第一延伸的遮光圖形(first prolonged light screen pattern);接著，通過第二掩膜用一束光對光刻膠膜進行曝光，所說的第二掩膜包括一個透明襯底，在該透明襯底上形成有多個相距第二預定間距、彼此沿長度方向平行的第二延伸的遮光圖形(second prolonged light screen pattern);然后，對兩次曝光的光刻膠膜進行顯影以形成多個光刻膠膜圖形，這些光刻膠膜圖形具有第一和第二延伸的遮光圖形的線寬尺寸，并且彼此以第一或第二間距隔開。
通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施可以更清楚地了解本發(fā)明的上述目的和其它優(yōu)點，其中圖1是一個表示一個按照已有技術(shù)形成一個電容器的掩膜的示意透視圖;
圖2是一個表示通過采用圖1的掩膜而形成的光刻膠膜圖形的示意透視圖;
圖3A和3B是表示按照本發(fā)明的一個實施例的第一和第二掩膜的示意透視圖;
圖4是一個表示按照本發(fā)明通過結(jié)合使用圖3的第一和第二掩膜而形成的光刻膠膜圖形的示意透視圖;
圖5是一個表示按照本發(fā)明另一個實施例的部分涂覆有相移膜的第一掩膜的示意透視圖。
參照附圖可以最好地理解本發(fā)明優(yōu)選實施例的應(yīng)用，其中相同和相應(yīng)的部件分別采用相同的標號。
首先參照圖3A和3B，該圖表示為了形成對半導體器件有用的圖形而進行的掩膜的組合。如圖3A所示，第一掩膜100包括一個透明襯底10，在該透明襯底10上形成有多個具有線寬Y、彼此以預定間隔a沿寬度方向平行的遮光圖形13。圖3B表示第二掩膜200，其中在透明襯底10上形成有多個具有線寬X、彼此以預定間隔b沿長度方向平行的遮光圖形14。
第一掩膜100和第二掩膜200的組合會導致具有與圖1相同圖形的重迭區(qū)域。
現(xiàn)在參照圖4，該圖表示按照本發(fā)明的一個實施例通過組合使用第一和第二掩膜而形成的光刻膠膜圖形22。為了形成感光圖形22，首先通過第一掩膜用一束光對涂覆在半導體襯底20上的光刻膠膜進行曝光，接著通過第二掩膜進行曝光，然后對曝光的光刻膠膜進行顯影。如附圖所示，根據(jù)本發(fā)明所得到的光刻膠膜圖形比由虛線所代表的通過采用圖1的常規(guī)掩膜所形成的光刻膠膜圖形更接近所希望得到的圖形。
按照本發(fā)明，通過采用分別具有沿寬度方向和沿長度方向延伸的感光圖形的獨立掩膜的組合可以基本上減小由常規(guī)掩膜所引起的鄰近效應(yīng)，這樣就可以得到所希望得到的光刻膠膜圖形。
現(xiàn)在參照圖5，該圖表示一個根據(jù)本發(fā)明另一實施例的部分地覆蓋第一掩膜的光刻膠膜圖形的相移膜15。如該圖所示，穿過在光刻膠膜圖形13之間的間距a放置相移膜15，該相移膜15沿光刻膠膜圖形13延伸并且具有比間距a更寬的線寬。在這方面，每隔一行光刻膠膜圖形放置一個相移膜15，以便最大限度地減小由于間距a窄而引起的干涉現(xiàn)象。
同樣地，在圖2的第二掩膜上沿長度方向形成相移膜。
如前面所描述的那樣，由于就目前情況而言可以通過用第一和第二掩膜進行二次曝光來形成所希望得到的圖形，借助于消除了干涉現(xiàn)象能夠增大例如一個存貯電極的電容量。
另外，應(yīng)用相移膜作為第一和第二掩膜可以增大對于所希望得到的圖形的分辨率，因而按照本發(fā)明可以得到更精細的圖形。
在閱讀了上述公開內(nèi)容之后，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說很容易明白這里所公開的本發(fā)明的其它特征、優(yōu)點和實施例。鑒于此，盡管已經(jīng)相當詳細地描述了本發(fā)明的特別實施例，在不脫離所描述的并要求保護的本發(fā)明的精髓和范圍的前提下可以對這些實施例進行變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟在一個預定要形成圖形的層上涂覆一層光刻膠膜；首先通過第一掩膜用一束光對光刻膠膜進行曝光，所說的第一掩膜包括一個透明襯底，在該襯底上形成有多個相距第一預定間距、彼此沿寬度方向平行的第一延伸的遮光圖形；接著通過第二掩膜用一束光對光刻膠膜進行曝光，所說的第二掩膜包括一個透明襯底，在該襯底上形成有多個相距第二預定間距、彼此沿長度方向平行的第二延伸的遮光圖形；和對兩次曝光的光刻膠膜進行顯影以形成多個光刻膠膜圖形，這些光刻膠膜圖形具有第一和第二延伸的遮光圖形的線寬尺寸，并且彼此以第一或第二間距隔開。
2.一種按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說的光刻膠膜是一個正光刻膠膜。
3.一種按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說的第一掩膜還包括多個相移膜，每個所說的相移膜沿著第一延伸的遮光圖形形成，并且穿過第一間距每隔一行第一遮光圖形沿寬度方向放置。
4.一種按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于所說的第二掩膜還包括多個相移膜，每個所說的相移膜沿著第二延伸的遮光圖形形成，并且穿過第一間距每隔一行第一遮光圖形沿長度方向放置。
全文摘要
一種用于制造半導體器件的方法，通過使用第一、第二掩膜進行兩次曝光可以形成希望得到的圖形。這得益于消除了干涉現(xiàn)象，增大了例如存儲電極的電容量。
文檔編號H01L21/312GK1113605SQ9411335
公開日1995年12月20日 申請日期1994年12月30日 優(yōu)先權(quán)日1993年12月31日
發(fā)明者咸泳穆 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社