專利名稱：可關斷型可控硅的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體元件，特別是可關斷的可控硅。
現有的可控硅導通以后，只要其正負極存在正向電壓差，要使其關斷是不可能的。然而在可控硅的應用中，常有使其在工作中關斷的要求，為達到這一目的產生了逆導型可關斷可控硅。這種可控硅在制作時對控制極的擴散要求相當嚴格，導致產品成品率很低；在實際應用中欲使其關斷，必須在控制極加高尖峰負脈沖，這需要復雜的一套控制線路；它只宜在20A以下的電流場合使用，若電流過大，則會造成關斷失敗，限制了逆導型可控硅在許多領域的應用。
本實用新型的目的是提供一種可關斷型的可控硅，其結構簡單、制造容易、成本低、控制容易、可適宜在大電流下工作。
本實用新型的實現方案是采用成熟的可控硅制造工藝，在常規(guī)的單向可控硅的無控制極的基區(qū)內又引出一只關斷控制極，從而使產品成品率提高，結構簡化、成本降低。
下面，依照說明書附圖所示的本實用新型的一個實施例，對其結構作進一步描述。


圖1為本實用新型的結構示意圖；圖2為本實用新型的電路示意圖；圖3為本實用新型的電路符號圖。
參見各圖，常規(guī)的單向可控硅只有控制極G1，但其A端加上正電壓，K端加負電壓，在G1加上一正信號時，可控硅則導通，即使G1處的正信號電壓不再存在仍可保持導通，只有A、K端的電壓小于維持可控硅工作的電壓時才能關斷。本實用新型是在現有單向可控硅的結構基礎上，從第一基區(qū)(N區(qū))引出了一條關斷控制極G2，對于正導通著的可控硅只需將關斷控制極G2與可控硅的陽極A接通，就可使PNP三極管的導通條件破壞，可控硅也就截止?？煽毓璧目刂茦OG2與可控硅的陽極A的接通或斷開是采用開關來實現。在本實施方案中，可以用一只三極管BG作為電子開關。當需要可控硅導通時，三極管BG的基極無正電壓信號，處于截止狀態(tài)，使可控硅的陽極與關斷控制極斷開；當需要可控硅截止時，在BG的基極加上一正電壓信號使其導通，使可控硅的陽極與關斷控制極接通。
按本實用新型的上述方案，有以下的效果1、制造容易、成品率高、成本低。只需應用成熟的可控硅制造工藝，再從第一基區(qū)引出一只關斷控制極，在制造中也無特別的要求；2、工作電流及電壓范圍大。由于未對現有單向可控硅的結構作大的改進，所以它仍具備了單向可控硅的適宜在較大電流及高電壓下工作的性能，其工作電流可達1200A以上；3、控制簡單。無需很復雜的控制線路，只要把關斷控制極與陽極接通或斷開即可。
權利要求1.一種可關斷可控硅，其特征是在常規(guī)的單向可控硅的無控制極的基區(qū)內又引出一只關斷控制極。
2.按權利要求1所述的可關斷可控硅，其特征是在可控硅的陽極與關斷極間接有開關。
專利摘要可關斷型可控硅。本實用新型屬于一種半導體元件，特別是可關斷的可控硅。該可控硅是在常規(guī)單向可控硅基礎上，從無控制極的那個基區(qū)引出一只關斷控制極，使用時只需將關斷控制極與正極接通，就可將導通的可控硅關斷。本實用新型結構簡單、成本低、關斷控制容易，尤其適宜在直流高電壓大電流的情況下使用，同時還具備單向可控硅的應用領域。
文檔編號H01L29/74GK2196820SQ9420429
公開日1995年5月10日 申請日期1994年3月7日 優(yōu)先權日1994年3月7日
發(fā)明者許正山 申請人:許正山