專利名稱：半導(dǎo)體激光器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于微型盤重放機(jī)之類的一種半導(dǎo)體激光器及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種具有高性能，操作電壓低，使用壽命長的半導(dǎo)體激光器，同時涉及制造該半導(dǎo)體激光器的方法。
一種傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光器101以如圖7所示的下述方式構(gòu)成。半導(dǎo)體多層薄膜108被疊放在例如由n型GaAs構(gòu)成的襯底102上，半導(dǎo)體多層薄膜108包括由摻Se的n型GaAs構(gòu)成的緩沖層103，由摻Se的n型Al0.5GA0.5As構(gòu)成的下包層104，一由Al0.13Ga0.87As構(gòu)成的激活層105，由摻Zn的P型Al0.5GA0.5As組成的上包層106和由摻Sen型的AlGaAs組成的電流阻擋層107。其上又逐一地疊合一由摻Zn的P型Al0.5Ga0.5As組成的包層109和由摻Zn的P型GaAs組成的接觸層110。在半導(dǎo)體激光器的頂表面和底表面上形成有，例如由Au-Ge和Au-Zn組成的P(正)電極111和n(負(fù))電極112。
圖8A，8B，8C和8D中示出了用于制造上述半導(dǎo)體激光器的方法。首先，如圖8A所示，在例如由n型GaAs組成的晶片襯底102a上通過MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積)工藝一層又一層地生長半導(dǎo)體多層膜108，該半導(dǎo)體多層膜108包括由摻Sen型GaAs組成的緩沖層(厚2μm)103，由摻Sen型Al0.5Ga0.5As組成的下包層(厚1μm)104，由Al0.13Ga0.87As組成的激活層(厚0.08μm)105，由摻ZnP型Al0.5Ga0.5As組成的上包層(厚0.3μm)106，以及由摻Sen型AlGaAs組成的電流阻擋層(厚1μm)107。此后，如圖8B所示，通過刻蝕形成一條形(striped)槽113(頂寬約4μm)，以致穿通電流阻擋層107。
如圖8C所示，在其上借助液相外延生長工藝(此后，稱為LPE生長工藝)逐一地生長有由摻ZnP型Al0.5Ga0.5As組成的包層109(條形槽內(nèi)厚2μm，外側(cè)厚1μm和由摻ZnP型GaAs組成的接觸層(厚45μm)110。最后形成，例如，由Au—Ge和Au—Zn組成的P(正)電極111和n(負(fù))電極112，此后再將該晶片分成單個的半導(dǎo)體激光器件。
在上述制造半導(dǎo)體激光器的方法中，使用LPE生長工藝過程是借助如圖9A至9D中所示由碳制成的生長滑板115實(shí)現(xiàn)的。正如圖9A所示，其上已生長了半導(dǎo)體多層膜的襯底102b被置于基底116的凹槽，同時將生長LPE生長型包層用熔融液117和接觸層生長用熔融液118置于生長熔融液貯槽。液相外延生長(此后稱為LPE生長)是在逐步降低溫度的同時實(shí)現(xiàn)的。如圖9B和9C所示，在一特定時間即溫度到達(dá)的某一時間點(diǎn)，借助滑桿119拉滑塊120，從而轉(zhuǎn)換生長熔融液117，118。最后，如圖9D所示，進(jìn)一步拉滑塊120以便從襯底102b除去生長熔融液118。這樣該生長過程便告完成。
上述傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)光器件有以下諸問題(1)象該先有技術(shù)實(shí)例的半導(dǎo)體激光器采用Zn作為LPE一生長型包層和接觸層的P型雜質(zhì)。然而，Zn的汽壓高因此易于汽化以致即使將其注入生長熔融液中，其在熔融液中的濃度也不會穩(wěn)定，這是一個問題；(2)在高溫生長期間，將上述P型雜質(zhì)Zn以固相強(qiáng)烈擴(kuò)散而擴(kuò)散到較下的半導(dǎo)體多層膜，影響了載流子的濃度。這使其偏離半導(dǎo)體激光器的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)而且還是導(dǎo)致再現(xiàn)性降低的一個原因，這是另一問題；(3)諸如先有技術(shù)實(shí)例中所示半導(dǎo)體激光器的接觸層是要生成達(dá)到厚至45μm的厚度，為實(shí)現(xiàn)這種生長需要很長時間。然而，生長溫度隨著時間的推移降低，致使P型雜質(zhì)Zn是以逐漸減小的量被截獲而進(jìn)入到生長層的。因此，接觸層的電阻隨著生長過程的推進(jìn)而變得漸大，致使該半導(dǎo)體激光器的工作電壓也變得漸高，這是又一問題；(4)在接觸層生長結(jié)束時，拉動滑塊使得可從其上已生長了半導(dǎo)體多層膜的襯底上除去接觸層生長用熔融液，從而結(jié)束生長過程。這一方法可能引起滑塊底部由于接觸層的邊緣生長部分形成圍繞襯底周圍極其薄而高的生長部分而被損壞。這本身又可能引起下一次和此后的連續(xù)生長過程中出現(xiàn)生長缺陷，這是再一個問題；(5)通常在半導(dǎo)體激光器中，從改進(jìn)激光器諸特性，消除施加到激活層的應(yīng)力，改善使用壽命等方面來看，供激光束振蕩用的激活層最好安排在由此發(fā)出激光束的那個端面總體來說的中部。然而在如先有技術(shù)實(shí)例中所示的那種半導(dǎo)體激光器及其制造方法中，按通常要將激活層安排在中央的嘗試將要求接觸層生長厚度厚達(dá)45μm之多，因此，P型雜質(zhì)Zn就會在生長期間擴(kuò)散到較低的半導(dǎo)體多層膜中。這可引起半導(dǎo)體激光器諸性能的惡化，這是又一問題。
本發(fā)明就是從基本解決上述缺點(diǎn)出發(fā)而已研制而成，本發(fā)明的基本目的就是提供一種工作電壓低，使用壽命長和高性能的半導(dǎo)體激光器件以及提供一種具有良好再現(xiàn)性的制造該半導(dǎo)體激光器的方法。
為達(dá)到上述目的，在所提供的半導(dǎo)體激光器中形成在襯底上的半導(dǎo)體多層膜包括AlyGa1-YAs激活層，以供激光束振蕩之用，該半導(dǎo)體激光器包括疊合在半導(dǎo)體多層膜上并由摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型AlxGa1-xAs(其中1≤Y＜X≤1)組成的包層；和疊合在該包層上并由摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型GaAs組成的接觸層。
此外還提供了一種制造半導(dǎo)體激光器的方法，其中一襯底上形成有包含供激光束振蕩用的AlyGa1-YAs激活層的半導(dǎo)體多層膜，該方法包括以下步驟在半導(dǎo)體多層膜上形成由摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型AlxGa1-xAs(其中0≤y＜X≤1)組成的包層；以及在該包層上形成由摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型GaAs組成的接觸層。
具體地說，本發(fā)明的特點(diǎn)在于以下(1)至(4)要點(diǎn)(1)該半導(dǎo)體激光器包括由摻有Mg而不是傳統(tǒng)的P型雜質(zhì)Zn的P型AlGaAs組成的包層，和由也摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型GaAs組成的接觸層。
于是，由于Mg的蒸氣壓力低于Zn，故即使將Mg注入生長的熔融液中，生長熔融液中的Mg的密度也是穩(wěn)定的。
此外，由于P型雜質(zhì)Mg在固態(tài)相中的擴(kuò)散弱于Zn，故在高溫生長期間，對較低部分的半導(dǎo)體多層膜的影響受到抑制。
(2)用于激光束振蕩的激活層安排在一個激光束便從此發(fā)出的那個端面的大致中心。
于是，即使將本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器應(yīng)用于微型盤重放機(jī)或類似裝置時，也避免了通過光柵傾斜入射在微型盤上并從微型盤斜向反射的光再返回到發(fā)出激光束的端面。這樣可防止出現(xiàn)跟蹤誤差，因?yàn)椴粫霈F(xiàn)雜散光。
此外，由于可使半導(dǎo)體激光器本身具有大的厚度，故可避免晶片襯底在制造過程中發(fā)生破裂。
再者，由于用于激光束振蕩的激活層在一個最遠(yuǎn)離兩電極的位置上形成，故可減小在將半導(dǎo)體激光器安裝到外部時施加于激活層的應(yīng)力。
(3)用于制造該半導(dǎo)體激光器的方法包括以下步驟形成由摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型AlGaAs組成的包層，和形成摻有作為P型雜質(zhì)的Mg的P型GaAs組成的接觸層。此外，該方法采用LPE生長工藝，以形成包層和接觸層，并包括從生長起始溫度到室溫的一個生長所述接觸層的步驟。
若包層和接觸層是借助LPE生長工藝形成而且接觸層是如上所述從一生長起始溫度到室溫而生成，則就沒有必要在生長結(jié)束時去拉滑塊，因此可避免滑塊在其底部遭受損壞而產(chǎn)生生長缺陷。
(4)用于制造該半導(dǎo)體激光器的方法包括去除一表面層，該表面層具有存在于接觸層中的高電阻部分而該部分比接觸層其他部分的載流子密度較低。
此外，該方法包括將接觸層的該表面層去除達(dá)5μm或更大厚度的步驟。
由于如上所述去除了在接觸層中出現(xiàn)高電阻和比接觸層其他部分有較低載流子密度那部分，或去除5μm或更大層厚的表面層，故可有效地去除具有增大的電阻的生長層部分。
從下面給出的詳細(xì)說明以及僅為圖解方式給出的諸附圖中將更全面地理解本發(fā)明，因而這些附圖并非是對本發(fā)明的限制，附圖中

圖1是根據(jù)應(yīng)用本發(fā)明的一個實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的透視圖；圖2A，2B，2C，2D和2E是說明用于制造按應(yīng)用本發(fā)明的該實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的方法步驟示意圖；圖3A，3B，3C和3D是表示在應(yīng)用本發(fā)明的該實(shí)施例中包層和接觸層的LPE生長步驟的過程示意圖；圖4是應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例中所用的LPE生長過程的包層和接觸層的生長溫度分布曲線圖；圖5是對照應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例所得到的半導(dǎo)體激光器和先有技術(shù)半導(dǎo)體激光器的I-V特性圖；圖6是在應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施例所獲得的半導(dǎo)體激光器的接觸層中的載流子密度分布圖；圖7是根據(jù)先有技術(shù)的一個半導(dǎo)體激光器的透視圖；圖8A，8B，8C和8D是說明用于制造按先有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器的方法的步驟示意圖；和圖9A，9B，9C和9D是表示先有技術(shù)的包層和接觸層的LPE生長步驟的過程示意圖。
現(xiàn)參照諸附圖描述本發(fā)明的幾個實(shí)施例。在本實(shí)施例中，激活層的Al的混合晶體系數(shù)和包層的Al的混合晶體系數(shù)分別設(shè)定為0.13和0.5。然而，只要這兩個Al混合晶體系數(shù)在兩者均大于0和包層的Al混合晶體系數(shù)大于激活層的Al混合晶體系數(shù)的范圍內(nèi)，則可任意設(shè)定它們的值。
圖1是在本發(fā)明實(shí)施例中所形成的一個半導(dǎo)體激光器的透視圖。
本實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器1的構(gòu)成如下。在例如由n型GaAs構(gòu)成的襯底2上疊合一半導(dǎo)體多層膜8，該半導(dǎo)體多層膜8包括由摻Sen型GaAs組成的緩沖層3，由摻Sen型Al0.5Ga0.5As組成的下包層4，由Al0.13GA0.87As組成的激活層5，由摻ZnP型Al0.5Ga0.5As組成的上包層6和由摻Sen型AlGaAs組成的電流阻擋層7。再在其上依次疊合有由摻MgP型Al0.5Ga0.5As組成的包層9和由摻MgP型GaAs組成的接觸層10。形成在半導(dǎo)體激光器頂表面和底表面的是例如由Au-Ge和Au-Zn組成的P電極11和n電極12。
下面詳細(xì)描述用于制造作為本發(fā)明一個實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的方法。
圖2A，2B，2C，2D和2E是表示用于制造按本實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器的方法步驟示意圖。
首先，如圖2A所示，借助MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積)工藝在例如由n型GaAs構(gòu)成的晶片襯底2a上生長半導(dǎo)體多層膜8，該半導(dǎo)體多層膜8包括由摻Sen型GaAs組成的緩沖層(厚2μm)3，由摻Sen型Al0.5Ga0.5As組成的下包層(厚1μm)4，由Al0.13Ga0.87As組成的激活層(厚0.08μm)5，由摻ZnP型Al0.5Ga0.5As組成的上包層(厚0.3μm)6，以及由摻Sen型AlGaAs組成的電流阻擋層(厚1μm)7。
下面，如圖2B所示，用蝕刻法如此形成一條形槽(上寬約4μm)13以致被鉆孔通過電流阻擋層7。
接著，如圖2C所示，借助LPE生長工藝按序生長由摻MgP型Al0.5Ga0.5As構(gòu)成的包層(條形槽內(nèi)厚2μm，槽外厚1μm)9和由摻MgP型GaAs組成的接觸層(厚50μm)10。
進(jìn)一步，如圖2C和2D所示，例如用蝕刻或機(jī)械研磨去除接近接觸層10表面的高電阻層14。
最后，如圖2E所示，形成例如由Au-Ge和Au-Zn等組成的P電極11和n電極12，此后再將品片分成各個半導(dǎo)體激光器件。
圖3A至3D是表示本發(fā)明要點(diǎn)之一的包層與接觸層的LPE生長步驟的過程示意圖。
如圖3A所示，LPE生長是通過采用碳制生長滑塊15實(shí)現(xiàn)的。其上已生長了半導(dǎo)體多層膜的襯底2b被置于基底16的凹槽內(nèi)。LPE—生長型包層生長用熔融液17和接觸層生長用熔融液18被置于生長熔融液貯槽內(nèi)。
下面，如圖3B所示，借助滑桿19拉滑塊20，以使LPE—生長型包層生長用熔融液17同襯底2b相接觸。然后，在逐步降低溫度的同時，實(shí)現(xiàn)包層的LPE生長。
進(jìn)一步，如圖3c所示，在到達(dá)某一特定時間或溫度的時刻，再借助滑桿19拉滑塊20，以使接觸層生長用熔融液18同襯底2b相接觸。然后在逐漸降低溫度的同時，實(shí)現(xiàn)接觸層的LPE生長直至室溫。這樣，生長便告完成。
完成了接觸層的生長之后，可從圖3D所示的接觸層生長用熔融液18中直接取出襯底2b。因此，即使邊緣生長部分是圍繞襯底2b以極薄而高的形式生長的，滑塊20的底部也能免遭損壞。
圖4是在本實(shí)施例所用LPE生長工藝中包層和接觸層的生長溫度分布圖。
正如從圖4可顯見的，在本實(shí)施例中，為了將Al，As的供應(yīng)源Ga As，P型雜質(zhì)Mg之類極好地溶解入變成LPE生長熔融液中的熔劑的Ga，而且要穩(wěn)定溶解溫度以0.5℃/分鐘的速率增高至800℃此后將溫度保持800℃達(dá)80分鐘之久。接著，以0.5℃/分的速率逐漸冷卻至796℃，即包層的生長開始溫度，此后5分鐘將溫度保持在796℃，以使開始包層的LPE生長處的LPE生長熔融液的溫度能穩(wěn)定。接著，在以0.5℃/分的速率逐漸降低溫度的同時，進(jìn)行包層的LPE生長。接著，在起始以3.0℃/分的速率逐漸降溫至700-750℃然后快速降至室溫的同時，進(jìn)行LPE生長型的接觸層生長。
不用說，該LPE生長溫度可在大約700至850℃范圍內(nèi)任意設(shè)定，而且也可根據(jù)生長條件任意設(shè)定生長溫度的分布。
圖5是在按本實(shí)施例的半導(dǎo)體激光器和按先有技術(shù)的半導(dǎo)體激光器之間對照的I-V特性(電流-電壓特性)曲線圖。
當(dāng)與采用摻有傳統(tǒng)P型雜質(zhì)Zn的P型GaAs組成的接觸層的先有技術(shù)半導(dǎo)體激光器的I-V特性相比時，本發(fā)明半導(dǎo)體激光器的I-V特性由于采用由摻有本發(fā)明P型雜質(zhì)Mg的P型GaAs組成的接觸層而得到改善。
圖6是本實(shí)施例中得到的半導(dǎo)體激光器的接觸層的載流子密度分布曲線圖。
如從圖6顯見的，接觸層的載流子密度從近似1×1017cm-3的起始值開始在朝向接觸層表面的方向上逐漸減小，以致在離表面大約5μm的深度處載流子密度減小至近似7×818cm-3。還有，在離表面大約2μm深度處，載流子密度往往開始急劇下降。
在本實(shí)施例中，確保工作電壓相當(dāng)于先有技術(shù)半導(dǎo)體激光器的載流子密度大約為7×1018cm-3。因此，由此可以理解，為在本實(shí)施例中去除接近接觸層表面中的高阻層，去除該接觸層大約5μm厚度的表面就足夠了。
根據(jù)本發(fā)明，(1)該半導(dǎo)體激光器是由用摻有Mg而不是Zn作為P型雜質(zhì)的P型AlGaAs組成的包層，以及由摻有Mg而不是Zn的P型GaAs組成的接觸層，構(gòu)成。由于Mg的蒸氣壓力低于Zn，故即使將Mg注入生長熔融液其在熔融液中的密度也是穩(wěn)定的。
因此，生長層的成分變得易于控制。
再者，由于P型雜質(zhì)Mg的固相擴(kuò)散弱于Zn，故在高溫下的生長期間，對較下部的半導(dǎo)體多層膜的影響受到抑制。
因此，獲得該器件的理想設(shè)計(jì)特性成為可能。(2)包層和接觸層是由LPE生長工藝形成而且接觸層是在從生長起始溫度至室溫的條件下生長，從而無需在生長結(jié)束時去拉生長滑板的滑塊。因此，不存在滑塊底部可因在接觸層生長期間圍繞襯底生長了一極薄而高的邊緣生長部而遭損壞的可能性。
因此，該滑塊變得在下一次和接連的生長過程中可重復(fù)再用。(3)由于去除了存在于接觸層中有高電阻和低載流子密度部分或表面層被去除至5μm或更大層厚，故可有效地去除有增大電阻的那部分生長層。
因此，該半導(dǎo)體激光器的工作電壓未被提升而是能被減小，從而使I-V特性的改進(jìn)成為可能。(4)供激光束振蕩之用的激活層通常被安排在從此發(fā)射激光束的那個端面的中央。因此，即使將本發(fā)明的半導(dǎo)體激光器應(yīng)用于微型盤重放機(jī)或類似裝置，也避免了通過光柵斜向入射到微型盤上和從微型盤斜向反射的光束再返回到發(fā)出激光束的那個端面上，因此可避免出現(xiàn)跟蹤誤差，因?yàn)椴话l(fā)生雜散光。
此外，由于可將半導(dǎo)體激光器本身的厚度做得厚，故可防止晶片襯底在制造過程中破裂。
還有，由于供激光束振蕩用的激活層是在離兩電極最遠(yuǎn)的位置上形成，故可減小在將半導(dǎo)體激光器安裝到外部時施加到激活層的應(yīng)力。
因此，可改善該半導(dǎo)體激光器的使用壽命。
雖本發(fā)明被如此描述，但很明顯，本發(fā)明可以許多方式加以變動。這種變動被認(rèn)為未脫離本發(fā)明的精神和范圍，而且為本領(lǐng)域技術(shù)人員視為顯而易見的所有這類改型均包含在后續(xù)權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光器件，其中在一襯底(2)上形成有包含用于激光束振蕩的AlyGa1-yAs激活層(5)的半導(dǎo)體多層膜(8)，該半導(dǎo)體激光器包括層疊在半導(dǎo)體多層膜(8)上并由摻有Mg作為P型雜質(zhì)的P型AlxGa1-xAs(其中1≤y＜x≤1)組成的包層(9)；以及層疊在包層(9)上并由摻Mg作為P型雜質(zhì)的P型GaAs組成的接觸層(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體激光器，其特征在于供激光束振蕩用的激活層(5)被安置在從其發(fā)射激光束的那個端面的基本中部。
3.用于制造半導(dǎo)體激光器件的方法，該器件中，襯底(2a)上形成包含有供激光束振蕩用的AlyGa1-yAs激活層(5)的半導(dǎo)體多層膜(8)，該方法包括以下步驟在所述半導(dǎo)體多層膜(8)上形成一層由摻Mg作為P型雜質(zhì)的P型AlxGa1-xAs(其中0≤y＜x≤1)組成的包層(9)；和在該包層(9)上形成由摻Mg作為P型雜質(zhì)的P型GaAs組成的接觸層(10)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的用于制造半導(dǎo)體激光器的方法，其特征在于采用液相外延生長工藝來形成所述包層(9)和接觸層(10)，而接觸層(10)是在從生長起始溫度至室溫的條件下生長的。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體激光器的方法，其特征在于還包括去除在接觸層(10)中呈現(xiàn)高電阻和比接觸層(10)的其他部分具有較低載流子密度的那部分表面層(14)的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的制造半導(dǎo)體激光器的方法，其特征在于還包括去除在接觸層(10)中呈現(xiàn)高電阻和比接觸層(10)的其他部分具有較低載流子密度的那部分表面層(14)的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求3的制造半導(dǎo)體激光器的方法，其特征在于還包括將接觸層(10)的表面層(14)去除了大致5μm或更厚的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的制造半導(dǎo)體激光器的方法，其特征在于還包括將接觸層(10)的表面層(14)去除大致5μm或更厚的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體激光器的制造方法，其特征在于還包括將接觸層(10)的表面層(14)去除大致5μm或更厚的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體激光器的制造方法，其特征在于還包括形成供激光束振蕩用的激活層(5)以將激活層(5)安置在從其發(fā)出激光束的那個端面的大致中部。
11.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體激光器制造方法，其特征在于還包括形成供激光束振蕩用的激活層(5)以將激活層(5)安置在從其發(fā)出激光束的那個端面的大致中部。
12.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體激光器的制造方法，其特征在于還包括形成供激光束振蕩用的激活層(5)，以將激活層(5)安置在從其發(fā)出激光束的那個端面的大致中部。
13.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體激光器的制造方法，其特征在于還包括形成供激光束振蕩用的激活層(5)，以將激活層(5)安置在從其發(fā)出激光束的那個端面的大致中部。
全文摘要
具有高性能，低工作電壓，和長使用壽命的半導(dǎo)體激光器及其制造方法。在襯底(2)上層疊有包含有于激光振蕩的激活層(5)的半導(dǎo)體多層膜(8)。然后通過LPE生長工藝生長由摻P型雜質(zhì)Mg的P型AlGaAs組成的包層(9)和由也摻Mg的P型GaAs組成的接觸層(10)，接著去除接觸層(10)中呈現(xiàn)高阻和低載流子密度的那部分表面層。所述激活層(5)被安置在從其發(fā)出激光束的那個端面的大致中部。
文檔編號H01L33/30GK1117657SQ9510729
公開日1996年2月28日 申請日期1995年7月18日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月18日
發(fā)明者森本泰司, 柴田善吉, 石住隆司, 宮嵜啟介, 幡俊雄, 大柜義德 申請人:夏普公司