專利名稱：制造ldd結(jié)構(gòu)的mos晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法，尤其涉及一種制造不對(duì)稱LDD(輕摻雜漏)結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法。
通常，在NMOS晶體管的源和漏之間存在著很大差別的寄生效應(yīng)。源一側(cè)的寄生電阻使有效柵電壓有很大程度地減小，但對(duì)漏一側(cè)的漏電流卻只有很小的影響。因此，由于源和漏間的寄生效應(yīng)的差別便產(chǎn)生了使VLSI半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)力減弱和熱載流子效應(yīng)增加的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種制造不對(duì)稱LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法，以增加半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)力，減小熱載流子效應(yīng)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法包括以下步驟通過(guò)第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到在其上形成柵極的半導(dǎo)體基片內(nèi)；通過(guò)第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到在其上形成源極的半導(dǎo)體基片區(qū)域內(nèi)；進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片內(nèi)的N+和N-型雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源。
制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的方法包括以下步驟通過(guò)第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到在其上形成柵極的半導(dǎo)體基片內(nèi)；通過(guò)第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到在其上形成漏極的半導(dǎo)體基片區(qū)域之外的區(qū)域內(nèi)；和進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片內(nèi)的N+和N-型雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)及N+雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源。
為了充分理解本發(fā)明的性質(zhì)和目的，下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。


圖1A～1C是用來(lái)解釋根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管方法的器件剖面圖。
圖2A～2C是用來(lái)解釋根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例制造LDD結(jié)構(gòu)的MOS晶體管方法的器件剖面圖。
在各附圖中，相同的參考標(biāo)記代表相同的部件。
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1A～1C是用來(lái)解釋根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管方法的器件剖面圖。
圖1A是一器件的剖面圖，它表示的是在半導(dǎo)體基片1上形成場(chǎng)氧化膜2，由常規(guī)工藝在半導(dǎo)體基片上形成柵氧化膜3和柵極4，用柵極4作掩膜，由第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)。
第一離子注入工藝所用N-型雜質(zhì)離子是P31，所用P31劑量是1.5E13，所用能量為60KeV。
圖1B是一器件的剖面圖，它表示的是形成光刻膠圖形5，以在將要形成源的半導(dǎo)體基片1區(qū)域上開(kāi)口，然后，用光刻膠圖形5作掩膜，由第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)。
第二離子注入工藝所用N+型雜質(zhì)離子是As75，所用As75劑量為6.0E15，所用能量為60KeV。
圖1C是一器件的剖面圖，它表示的是在除去光刻膠圖形5后，進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)的N-和N+雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏6A和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源6B。
圖2A～2C是用來(lái)解釋根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管方法的器件剖面圖。
圖2A是一器件的剖面圖，它表示的是在半導(dǎo)體基片1上形成場(chǎng)氧化膜2，由常規(guī)工藝在半導(dǎo)體基片上形成柵氧化膜3和柵極4，用柵極4作掩膜，由第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)。
第一離子注入工藝所用N-型雜質(zhì)離子是P31，所用P31劑量為1.5E13，所用能量為60KeV。并且，最好是將具有約為5～10度斜度的N-型雜質(zhì)離子投射到將要形成LDD的一側(cè)。
圖2B是一器件的剖面圖，它表示的是形成光刻膠圖形5以覆蓋從柵極4到0.1～0.3微米范圍的將要形成漏的半導(dǎo)體基片1的區(qū)域，用光刻膠圖形5作掩膜，由第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)。
第二離子注入工藝所用N+型雜質(zhì)離子是As75，所用As75劑量為6.0E15，所用能量為60KeV。
圖2C是一器件的剖面圖，它表示的是在除去光刻膠圖形5后，進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片1內(nèi)的N-和N+雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)及N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏6A和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源6B。
N-型雜質(zhì)區(qū)處于柵極4和N+型雜質(zhì)區(qū)之間，其長(zhǎng)度為0.1～0.3微米。
如上所述，發(fā)明的MOS晶體管具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)，其中，漏是由N-型雜質(zhì)區(qū)或N-/N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成，源是由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成。
因此，由于在源和漏間具有相同的寄生效應(yīng)，不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的MOS晶體管能改善驅(qū)動(dòng)力，并能減小熱載流子效應(yīng)。
盡管上面參照實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作了一定程度地說(shuō)明，但上述說(shuō)明只是對(duì)本發(fā)明原理的說(shuō)明。應(yīng)該理解到，發(fā)明并不限于這里所公開(kāi)和說(shuō)明的優(yōu)選實(shí)施例。所以，根據(jù)本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)所作的任何變型皆包含在本發(fā)明進(jìn)一步的實(shí)施例中。
權(quán)利要求
1 一種制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，包括以下步驟通過(guò)第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到在其上形成柵極的半導(dǎo)體基片內(nèi)；通過(guò)第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到在其上將要形成源的半導(dǎo)體基片內(nèi)；和進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片內(nèi)的N+和N-型雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源。
2 根據(jù)權(quán)利要求1的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)第一離子注入工藝所用N-型雜質(zhì)離子是P31，所用P31劑量為1.5E13，所用能量為60KeV。
3 根據(jù)權(quán)利要求1的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)第二離子注入工藝所用N+型雜質(zhì)離子是As75，所用As75劑量為6.0E15，所用能量為60KeV。
4 一種制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，包括以下步驟通過(guò)第一離子注入工藝，將N-型雜質(zhì)離子注入到在其上形成柵極的半導(dǎo)體基片內(nèi)；通過(guò)第二離子注入工藝，將N+型雜質(zhì)離子注入到在其上將要形成源極的半導(dǎo)體基片區(qū)域內(nèi)；和進(jìn)行退火工藝，激活已注入到半導(dǎo)體基片內(nèi)的N+和N-型雜質(zhì)離子，由此形成由N-型雜質(zhì)區(qū)及N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的漏，和由N+型雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成的源。
5 根據(jù)權(quán)利要求4的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)第一離子注入工藝所用N-型雜質(zhì)離子是P31，所用P31劑量是1.5E13，所用能量為60KeV。
6 根據(jù)權(quán)利要求4的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)第一離子注入工藝是將具有5～10度斜度的N-型雜質(zhì)離子投射到將要形成LDD的一側(cè)。
7 根據(jù)權(quán)利要求4的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)第二離子注入工藝所用N+型雜質(zhì)離子是As75，所用As75劑量為6.0E15，所用能量為60KeV。
8 根據(jù)權(quán)利要求4的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是所說(shuō)N-型雜質(zhì)區(qū)處于柵極和N+型雜質(zhì)區(qū)之間。
9 根據(jù)權(quán)利要求4的制造LDD結(jié)構(gòu)MOS晶體管的方法，其特征是在柵和和N+型雜區(qū)之間以0.1～0.3微米的長(zhǎng)度形成所說(shuō)N-型雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明的MOS晶體管具有LDD結(jié)構(gòu)，其特征是，漏是由N
文檔編號(hào)H01L21/265GK1143830SQ96105548
公開(kāi)日1997年2月26日 申請(qǐng)日期1996年3月22日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月22日
發(fā)明者黃儁 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社