專利名稱：用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，尤其涉及一種能通過在半導(dǎo)體襯底中選擇性地形成缺陷區(qū)和無定形區(qū)來形成淺的雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法，從而達到改善半導(dǎo)體器件的特性。
在半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)中形成的N+P結(jié)處，有可能減少結(jié)的深度，因為N+P結(jié)具有較大的質(zhì)量、小的離子注入寬度以及低的擴散系數(shù)。為了形成這樣的N+P結(jié)，一般在半導(dǎo)體襯底中注入BF2(氟化硼)離子。然而在此情況下，由于硼離子所引起嚴(yán)重的溝道現(xiàn)象和硼的高擴散系數(shù)，而很難于形成淺結(jié)。
此外，在離子注入步驟中還發(fā)生注入離子橫向分散的分散現(xiàn)象。于這樣的分散現(xiàn)象，使硼離子向位于柵氧化層兩端和柵極側(cè)壁上所形成絕緣層間隔下面的半導(dǎo)體襯底部分滲入。
因為滲入絕緣層間隔下面半導(dǎo)體襯底部分的硼離子具有高的擴散系數(shù)，所以它們橫向擴散，從而使有效電極長度，也即溝道長度減少。
由于半導(dǎo)體器件溝道長度的減少，而發(fā)生短溝道效應(yīng)。也即源極和漏極之間的電流持續(xù)增加，甚至在漏極電壓超過其夾斷點并到達其飽和點時也不飽和。同樣還發(fā)生了穿通現(xiàn)象。
作為雜質(zhì)結(jié)區(qū)用雜質(zhì)離子而注入到半導(dǎo)體襯底的BF2中所包含的氟離子用于形成一薄的無定形層。除了離子注入步驟中形成初始的缺陷外，薄的無定形層在以后的退火步驟中還用于在半導(dǎo)體襯底的表面部分形成延伸的缺陷層。結(jié)果，在形成接觸的步驟中使接觸阻抗增加。
這樣一些不希望的現(xiàn)象導(dǎo)致諸如結(jié)漏電流增加等半導(dǎo)體器件特性的退化。結(jié)果，引起諸如可靠性下降和集成困難等問題。
將結(jié)合

圖1和2詳細描述涉及上述問題的通用的方法。
圖1是半導(dǎo)體器件的剖面圖，其中說明了形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的通用方法。
如圖1所示，依據(jù)該方法首先制備，具有N阱2的半導(dǎo)體襯底1。N阱2形成于半導(dǎo)體襯底1的表面部分。然后在半導(dǎo)體襯底1的所需部分上用LOCOS工藝形成元件隔離氧化層3。該元件隔離氧化層3用于限定半導(dǎo)體襯底1的有源區(qū)和場區(qū)。此后，在半導(dǎo)體襯底1上相應(yīng)于有源區(qū)的部分形成柵氧化層4。在柵氧化層4上形成柵極5。
其后在柵氧化層4和柵極5相對的諸側(cè)壁上各自形成絕緣層間隔6。
把柵極5、絕緣層間隔6和元件隔離氧化層3的上表面作為掩模，在半導(dǎo)體襯底1的有源區(qū)中注入BF2雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)7。
然而如圖1所示，依據(jù)上述通用的方法，在半導(dǎo)體襯底1表面部分的每個雜質(zhì)結(jié)區(qū)7中形成一寬度為“a”的延伸的缺陷層8。以下將對此進行更詳細的描述。
由于該方法用BF2作為雜質(zhì)結(jié)區(qū)的雜質(zhì)離子，所以它涉及短溝道效應(yīng)和穿通現(xiàn)象。這是因為包含在BF2中硼(B)的高擴散系數(shù)引起B(yǎng)F2雜質(zhì)離子的橫向分散所致。
結(jié)果，由包含在BF2中的氟(F)在每個雜質(zhì)結(jié)區(qū)處形成一薄的無定形層。除了在離子注入步驟中產(chǎn)生的初始缺陷外，該薄的無定形層在以后的退火步驟中還用于在制備有N阱的半導(dǎo)體襯底表面部分，也即位于在絕緣間隔和元件隔離氧化層下面的襯底表面部分形成一延伸的缺陷。
參考圖2，示出另一用于形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的另一通用的方法。圖2是依據(jù)該方法形成具有雜質(zhì)結(jié)區(qū)的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
如圖2所示，依據(jù)通用方法，首先制備具有N阱12的半導(dǎo)體襯底11。N阱12形成在半導(dǎo)體襯底11的表面部分。然后在半導(dǎo)體襯底11的所需部分上用LOCOS工藝形成元件隔離氧化層13。該元件隔離氧化層13用于限定半導(dǎo)體襯底11的有源區(qū)和場區(qū)。此后，在半導(dǎo)體襯底11上相應(yīng)于有源區(qū)的部分形成柵氧化層14。在柵氧化層14上形成柵極15。
其后在柵氧化層14和柵極15相對的諸側(cè)壁上各自形成絕緣層間隔16。
用柵極15、絕緣層間隔16和元件隔離氧化層13的上表面作為掩模，在半導(dǎo)體襯底11的有源區(qū)中注入具有大分子量的雜質(zhì)離子，從而分別在半導(dǎo)體襯底11的所需表面部分形成無定形層17。
然后在半導(dǎo)體襯底11的有源區(qū)中注入BF2雜質(zhì)離子，從而在無定型區(qū)17的下面形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)18。每個雜質(zhì)結(jié)區(qū)18由于被抑制了的硼離子的溝道效應(yīng)而具有較小的厚度。
然而，依據(jù)上述通用的方法，因為用大分子量的雜質(zhì)離子形成無定形層17，故在以后的退火步驟中在每個無定形層17和每個相應(yīng)的雜質(zhì)結(jié)區(qū)18之間的界面以下形成一寬度為“b”的延伸缺陷19。這樣，該延伸缺陷廣泛分布，以致擴展到柵氧化層的末端，從而導(dǎo)致結(jié)漏電流量的增加。
因此，本發(fā)明的一個目的是解決通用的方法中所引起的上述問題，并提供一種用于在半導(dǎo)體器件中形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法，它能通過注入大分子量的雜質(zhì)離子在半導(dǎo)體襯底中選擇性地形成缺陷區(qū)和無定型區(qū)，以形成淺的雜質(zhì)結(jié)區(qū)，從而達到改善半導(dǎo)體器件的特性。
依據(jù)一個方面，本發(fā)明提供一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)雜質(zhì)區(qū)的方法，它包括以下步驟制備半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底中形成限定場區(qū)和有源區(qū)的元件隔離氧化層；在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成第一光致抗蝕劑層；在把所述第一光致抗蝕劑層用作掩模的條件下，向所述第一光致抗蝕劑層圖形處暴露的所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)注入第一雜質(zhì)離子，從而形成缺陷區(qū)；除去所述第一光致抗蝕劑層圖形，然后在暴露的半導(dǎo)體表面部分(除了曾覆蓋有所述第一光致抗蝕劑層圖形的部分)上形成第二光致抗蝕劑層圖形；在把所述第二光致抗蝕劑層圖形用作掩模的條件下，向所述第二光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底部分注入第二雜質(zhì)離子，從而形成無定型區(qū)；除去所述第二光致抗蝕劑層圖形，然后在半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分注入第三雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)。
依據(jù)另一個方面，本發(fā)明提供一種用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)區(qū)的方法，它包括以下步驟制備半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底中形成限定場區(qū)和有源區(qū)的元件隔離氧化層，在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成柵氧化層，在所述柵氧化層上形成柵極，以及在所述柵極和柵氧化層的側(cè)壁上形成絕緣層間隔；在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成第一光致抗蝕劑層；在把所述第一光致抗蝕劑層用作掩模的條件下，向所述第一光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底的部分注入第一雜質(zhì)離子，從而形成缺陷區(qū)；除去所述第一光致抗蝕劑層圖形，然后在暴露的半導(dǎo)體表面部分(除了曾覆蓋有所述第一光致抗蝕劑層圖形的部分)上形成第二光致抗蝕劑層圖形；在把所述第二光致抗蝕劑層圖形用作掩模的條件下，向所述第二光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底部分注入第二雜質(zhì)離子，從而形成無定型區(qū)；除去所述第二光致抗蝕劑層圖形，在把所述元件隔離絕緣層、柵極和絕緣層間隔作為掩模的條件下，向所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分注入第三雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)。
從以下實施例的描述結(jié)合參考附圖，將使本發(fā)明的其它目的和方面變得明顯起來，其中圖1是半導(dǎo)體器件的剖面圖，說明用于形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的通用方法；圖2是半導(dǎo)體器件的剖面圖，說明另一用于形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的通用方法；以及圖3A到3D分別示出依據(jù)本發(fā)明用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)方法的剖面圖。
圖3A到3D依據(jù)本發(fā)明分別示出用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法的剖面圖。
如圖3A所示，依據(jù)本發(fā)明的方法，首先制備具有N阱22的半導(dǎo)體襯底21，N阱22形成在半導(dǎo)體襯底21的表面部分。然后在半導(dǎo)體襯底21上所需的部分用LOCOS工藝形成元件隔離氧化層23。元件隔離氧化層23用于限定半導(dǎo)體襯底21的有源區(qū)和場區(qū)。
此后，在半導(dǎo)體襯底21上相應(yīng)于有源區(qū)的部分形成柵氧化層24。然后在柵氧化層24上形成柵極25。
其后，在柵氧化層24和柵極25相對的諸側(cè)壁上各自形成絕緣層間隔26。
然后在半導(dǎo)體襯底21上相應(yīng)于有源區(qū)(位于每個絕緣層間隔26和面對絕緣層間隔26的元件隔離氧化層23之間)的所需的部分形成第一光致抗蝕劑層圖形27。于是，在第一光致抗蝕劑層圖形27的兩側(cè)處部分暴露出有源區(qū)部分。
如圖3B所示，用元件隔離氧化層23、柵極25、絕緣層間隔26和第一光致抗蝕劑層圖形27作掩模，向所造成結(jié)構(gòu)的整個暴露部分注入大分子量的雜質(zhì)離子，從而形成缺陷區(qū)28。
作為較重的雜質(zhì)離子，選擇鍺(Ge)、硅(Si)、砷(As)、銻(Sb)或銦(In)中的任一個。
通過使用相應(yīng)于在半導(dǎo)體襯底21中形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)所使用的離子注入能量約2到10倍的能量注入較重的雜質(zhì)離子，來形成缺陷區(qū)28。
依據(jù)本發(fā)明，注入的較重雜質(zhì)離子的數(shù)量最好少于能在半導(dǎo)體襯底21中形成無定形層的臨界量。因此，構(gòu)成半導(dǎo)體襯底21的硅原子可保持它們的晶格特性。
較重雜質(zhì)離子的臨界注入量對鍺大約是9E13/cm2，對硅大約是5E14/cm2，對砷大約是2E14/cm2。
依據(jù)由確定半導(dǎo)體器件集成度的設(shè)計規(guī)則規(guī)定的雜質(zhì)結(jié)區(qū)的結(jié)深可適當(dāng)?shù)乜刂浦仉s質(zhì)離子的臨界注入量和離子注入能量。
同時，每個缺陷區(qū)28由于其在雜質(zhì)離子注入步驟中產(chǎn)生的橫向分散而延伸到位于第一光致抗蝕劑層圖形27下面的半導(dǎo)體襯底21的部分。
由于使用高離子注入能量進行離子注入，所注入的雜質(zhì)離子碰撞半導(dǎo)體襯底21中的硅原子，從而引起硅原子偏離它們的原有位置。結(jié)果，形成許多個空位。這樣一些空位乃是產(chǎn)生在缺陷區(qū)28中的一種缺陷。
于是把第一光致抗蝕劑層圖形27全部除去，如圖3C所示。然后在所獲結(jié)構(gòu)的暴露表面部分(除了曾覆蓋有第一光致抗蝕劑層圖形27的部分)形成第二光致抗蝕劑層圖形29。
此時，第二光致抗蝕劑層圖形29用于只暴露曾覆蓋有第一光致抗蝕劑層圖形27的半導(dǎo)體襯底21的有源區(qū)。
利用第二光致抗蝕劑層圖形29作掩模，把形成缺陷中使用的同種雜質(zhì)離子注入于所獲結(jié)構(gòu)中，從而形成無定型區(qū)30。最好使用相應(yīng)于在半導(dǎo)體襯底21的N阱22中形成雜質(zhì)擴散區(qū)所使用能量約1.5到5倍的離子注入能量來形成這樣的無定型區(qū)。
同樣也最好使所注入重雜質(zhì)離子的數(shù)量多于能形成無定形結(jié)構(gòu)的臨界量。
在形成無定形結(jié)構(gòu)的步驟中，因形成無定形結(jié)構(gòu)而注入的重雜質(zhì)離子使位于半導(dǎo)體襯底21表面部分中的硅原子向下偏移，以致它們可填隙式地插入位于表面部分以下半導(dǎo)體襯底21的下部硅原子中。因此在無定型區(qū)30的下面各自形成填隙區(qū)31。
由于形成無定形結(jié)構(gòu)的步驟中產(chǎn)生橫向的分散現(xiàn)象，在位于每個第二光致抗蝕劑層圖形29末端下面的半導(dǎo)體襯底21的部分中也形成另一個填隙區(qū)31。
結(jié)果，每個摻雜區(qū)28與填隙區(qū)31交疊，以致在填隙區(qū)31中形成的許多個空位可與填隙區(qū)31中的填隙原子共存，從而形成空位/填隙共存區(qū)32。
于是除去第二光致抗蝕劑層圖形29，如圖3D所示。用柵極25、絕緣層間隔26和元件隔離氧化層23作為掩模，在半導(dǎo)體襯底21的有源區(qū)中注入BF2雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)33。
當(dāng)在有關(guān)退火的隨后步驟實行時，共存于空位/填隙共存區(qū)32中的空位和填隙原子再次結(jié)合在一起。通過空位和填隙原子的再耦合，可完全除去共存區(qū)32中形成的缺陷。在每個填隙區(qū)31中只形成寬度為“c”的延伸的缺陷區(qū)34。延伸的缺陷區(qū)34的寬度“c”小于依據(jù)通用方法所形成缺陷區(qū)的寬度“a”和“b”。
與此同時，包含在BF2中的硼離子依據(jù)填隙機理進行擴散。因為摻雜區(qū)28具有較深的空位，所以在摻雜區(qū)28中硼離子的擴散速率低于在無定型區(qū)30下面所形成的填隙區(qū)31中的擴散速率。
結(jié)果，雜質(zhì)結(jié)區(qū)33具有較小的結(jié)深，而延伸的缺陷34的寬度則較窄。
因為用于形成缺陷區(qū)28的離子注入能量高于用于形成無定形區(qū)30的離子注入能量，所以在比無定型區(qū)30更深位置處的半導(dǎo)體襯底中形成填隙區(qū)。因此，該填隙區(qū)對硼離子的擴散沒有貢獻。
從以上描述很明顯，本發(fā)明提供了一種用于形成半導(dǎo)體器件雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法，其中在半導(dǎo)體襯底中，形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)的雜質(zhì)離子注入乃接著在半導(dǎo)體襯底中形成缺陷區(qū)和無定型區(qū)的步驟之后進行。依據(jù)本方法，可形成結(jié)深較淺的雜質(zhì)結(jié)區(qū)，而延伸的缺陷的寬度則得以減小。結(jié)果，既無短溝道效應(yīng)，也無穿通現(xiàn)象。同樣也可減少結(jié)漏電流的數(shù)量，從而改善半導(dǎo)體器件的特性。
雖然為了說明揭示了本發(fā)明的較佳實施例，但對本技術(shù)領(lǐng)域熟悉的技術(shù)人員將知道，在并不背離附加的權(quán)利要求所揭示的本發(fā)明的范圍和精神下，不同的改變、增刪都是可能的。
權(quán)利要求
1.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)雜質(zhì)區(qū)的方法，其特征在于包括以下步驟制備半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底中形成限定場區(qū)和有源區(qū)的元件隔離氧化層；在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成第一光致抗蝕劑層圖形；在用所述第一光致抗蝕劑層圖形作為掩模的條件下，向所述第一光致抗蝕劑層圖形的兩側(cè)暴露的所述半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)部分注入第一雜質(zhì)離子，從而形成缺陷區(qū)；除去所述第一光致抗蝕劑層圖形，然后在暴露的半導(dǎo)體表面部分(除了曾覆蓋有第一光致抗蝕劑層的部分)上形成第二光致抗蝕劑層圖形；在用所述第二光致抗蝕劑層圖形作為掩模的條件下，向所述第二光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底的部分注入第二雜質(zhì)離子，從而形成無定型區(qū)；以及除去所述第二光致抗蝕劑層圖形，然后在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分中注入第三雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于用于形成缺陷區(qū)的所述第一雜質(zhì)離子的注入量少于能形成無定形結(jié)構(gòu)的臨界量。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一雜質(zhì)離子與所述第二雜質(zhì)離子相同。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由第四主族的元素構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由砷構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由銦構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述缺陷區(qū)的步驟，通過使用相應(yīng)于形成所述雜質(zhì)結(jié)區(qū)使用的能量約2到10倍的離子注入能量來加以實現(xiàn)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述無定型區(qū)的步驟通過使用相應(yīng)于形成所述雜質(zhì)結(jié)區(qū)使用的能量約1.5到5倍的離子注入能量來加以實現(xiàn)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述第三雜質(zhì)離子由BF2構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征還在于進一步包括以下步驟，即在形成所述元件隔離氧化層后，在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分依次連續(xù)地形成柵氧化層、柵極和絕緣層間隔。
11.一種用于形成半導(dǎo)體器件結(jié)雜質(zhì)區(qū)的方法，其特征在于包括以下步驟制備半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底中形成限定場區(qū)和有源區(qū)的元件隔離氧化層，在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成柵氧化層，在所述柵絕緣層上形成柵極，以及在所述柵極與柵絕緣層相對的諸側(cè)壁上各自形成絕緣層間隔；在所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分形成第一光致抗蝕劑層圖形；在用所述第一光致抗蝕劑層圖形作為掩模的條件下，向所述第一光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底的部分注入第一雜質(zhì)離子，從而形成缺陷區(qū)；除去所述第一光致抗蝕劑層圖形，然后在暴露的半導(dǎo)體表面部分(除了曾覆蓋有第一光致抗蝕劑層的部分)上形成第二光致抗蝕劑層圖形；在用所述第二光致抗蝕劑層圖形作為掩模的條件下，向所述第二光致抗蝕劑層圖形形成后暴露的所述半導(dǎo)體襯底的部分注入第二雜質(zhì)離子，從而形成無定型區(qū)；以及除去所述第二光致抗蝕劑層圖形，然后在用所述元件隔離絕緣層、柵極和絕緣層間隔作為掩模的情況下，向所述半導(dǎo)體襯底上相應(yīng)于所述有源區(qū)的部分注入第三雜質(zhì)離子，從而形成雜質(zhì)結(jié)區(qū)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第一光致抗蝕劑層圖形用于暴露位于每個絕緣層間隔和與所述絕緣層間隔面對的所述元件隔離絕緣層部分之間的半導(dǎo)體襯底部分。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于用于形成缺陷區(qū)的所述第一雜質(zhì)離子的注入量少于能形成無定形結(jié)構(gòu)的臨界量。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第一雜質(zhì)離子與所述第二雜質(zhì)離子相同。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由第四主族的元素構(gòu)成。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由砷構(gòu)成。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第一和第二雜質(zhì)離子由銦構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述缺陷區(qū)的步驟通過使用相應(yīng)于形成所述雜質(zhì)結(jié)區(qū)使用的能量約2到10倍的離子注入能量來加以實現(xiàn)。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述無定型區(qū)的步驟通過使用相應(yīng)于形成所述雜質(zhì)結(jié)區(qū)使用的能量1.5到5倍的離子注入能量來加以實現(xiàn)。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于所述第三雜質(zhì)離子由BF2構(gòu)成。
全文摘要
一種用于形成半導(dǎo)體器件的雜質(zhì)結(jié)區(qū)的方法，其中淺的雜質(zhì)結(jié)區(qū)通過注入大分子量的雜質(zhì)離子在半導(dǎo)體襯底中選擇性地形成缺陷區(qū)和無定型區(qū)加以形成，從而可改善半導(dǎo)體器件的特性。該方法包括二次光刻，三次離子注入以便分別形成缺陷區(qū)、無定型區(qū)和雜質(zhì)結(jié)區(qū)等步驟。
文檔編號H01L29/08GK1140330SQ96106670
公開日1997年1月15日 申請日期1996年5月22日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月22日
發(fā)明者李古鎬 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社