專利名稱:可以機(jī)械調(diào)整的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種可以改變延遲時(shí)間的導(dǎo)線結(jié)構(gòu),更具體地說,涉及一種用于至幾十GHz頻率的、具有可變延遲時(shí)間的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)。
在傳輸數(shù)字信號(hào)時(shí),由于衰減和各個(gè)脈沖部分相位延遲時(shí)間不同將導(dǎo)致各個(gè)信號(hào)脈沖的形變。因此在傳輸后有必要將所接收的這些信號(hào)脈沖在幅度、脈寬和相位方面進(jìn)行還原。其中,在脈寬和相位還原方面通常在接收端采用相位調(diào)節(jié)環(huán)線由接收信號(hào)產(chǎn)生時(shí)鐘脈沖。這里,在頻率高達(dá)每秒鐘數(shù)十千兆位時(shí)有必要對(duì)各個(gè)脈沖在信號(hào)以及數(shù)據(jù)路徑和節(jié)拍路徑中的延遲時(shí)間相互進(jìn)行最佳的補(bǔ)償。為此通常是在信號(hào)路徑或節(jié)拍路徑中插入不同長度、從而不同延遲時(shí)間的導(dǎo)線,例如將這種類型的導(dǎo)線作在陶瓷基片上并且在調(diào)整時(shí)通過焊接將所期望的延遲時(shí)間固定下來。這種方案的缺點(diǎn)在于,延遲時(shí)間只能分為或粗或細(xì)的若干級(jí)加以調(diào)整并且延遲時(shí)間的每次變更均需要再一次的焊接,而焊接只能用適當(dāng)?shù)亩冶容^貴重的設(shè)備完成。采用這類方案不可能進(jìn)行迅速而靈活的調(diào)整。
因此,本發(fā)明的任務(wù)在于,進(jìn)一步開發(fā)一種本文開始所述類型的導(dǎo)線結(jié)構(gòu),可以實(shí)現(xiàn)有效導(dǎo)線結(jié)構(gòu)長度、以及從而即使是差、異信號(hào)的延遲時(shí)間以及信號(hào)相位的盡可能連續(xù)的改變。
根據(jù)本發(fā)明此任務(wù)是通過一種本文開始所述類型的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)加以解決的,如同權(quán)利要求1的總構(gòu)思所述。
本發(fā)明解決方案的優(yōu)點(diǎn)在于勿需附加的設(shè)備即可實(shí)現(xiàn)以簡單的方法進(jìn)行例如因所接元器件老化而引起的必要的再調(diào)整,而且不僅僅是專家才能進(jìn)行?;谖⒉娐烦S眉夹g(shù)的本發(fā)明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)優(yōu)先采用的實(shí)施方案在權(quán)利要求2至6中作了敘述。
下面藉助于在附圖中所示的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步加以闡述。
附
圖1示出具有淀積微帶導(dǎo)線的第一個(gè)基片;并且附圖2示出具有其它微帶導(dǎo)線的第二個(gè)基片。
在圖1中,在一塊由陶瓷構(gòu)成的基片K上淀積兩對(duì)各具有兩條相互平行的微帶導(dǎo)線L1,L3以及L2,L4。兩對(duì)微帶導(dǎo)線分別從基片K相對(duì)的側(cè)邊A、B起始并且延伸至基片表面的中間,從這里它們均向第三側(cè)邊C或D近似呈直角的轉(zhuǎn)彎并且平行延伸一段預(yù)定的長度。這樣,在此范圍就獲得了由四條平行微帶導(dǎo)線組成的第一個(gè)線路結(jié)構(gòu)。
這些微帶導(dǎo)線由金構(gòu)成,金通過一個(gè)掩模直接蒸發(fā)在基片K上或者在淀積一個(gè)附著層后蒸發(fā)在基片K上,也可以首先蒸發(fā)或電鍍淀積上一層平面結(jié)構(gòu),然后在上面通過相應(yīng)的掩模腐蝕出微帶導(dǎo)線圖形。
圖2示出的第二個(gè)基片G,由玻璃構(gòu)成,采用與第一個(gè)基片相同的工藝在此基片上淀積由另外兩條平行微帶導(dǎo)線LG1、LG2構(gòu)成的第二個(gè)線路結(jié)構(gòu)。此微帶導(dǎo)線LG1、LG2形狀如同兩段180°的圓弧帶有平行延伸的線段,其中,兩微帶導(dǎo)線的間距及其寬度與第一個(gè)線路結(jié)構(gòu)的參數(shù)相同。
一套導(dǎo)線結(jié)構(gòu)由基片K構(gòu)成,在它上面放置第二個(gè)基片G,其中,第二個(gè)線路結(jié)構(gòu)180°圓弧的延長線段與第一個(gè)線路結(jié)構(gòu)的微帶導(dǎo)線電接觸并將它們補(bǔ)充為完整的導(dǎo)線。第二個(gè)線路結(jié)構(gòu)的部位在圖1上表示在區(qū)域BE中。通過第二基片G與第一基片K的側(cè)邊A,B的平行移動(dòng)如同長度可調(diào)節(jié)的“U”形波導(dǎo)節(jié)那樣可以改變此導(dǎo)線的有效長度,其中兩微帶導(dǎo)線的長度同時(shí)改變。其中,對(duì)調(diào)整而言,一個(gè)普通的機(jī)械壓緊裝置已足夠了,此壓緊裝置固定住第二個(gè)基片G以防止其滑動(dòng)。在調(diào)整后,就是說在成功地調(diào)節(jié)至最佳部位之后將兩基片相互固定連接,這是以簡單的方法用低溫焊料完成的。
其中,第二基片G采用玻璃材料的優(yōu)點(diǎn)在于既可以看到第一個(gè)也可以看到第二個(gè)基片上的導(dǎo)線結(jié)構(gòu),從而可以容易地實(shí)現(xiàn)最佳的定位。此外,由于玻璃的介電常數(shù)比微波陶瓷的介電常數(shù)小很多,因此在第一基片上微帶導(dǎo)線的場分布受到第二基片上微帶導(dǎo)線場分布的干擾很小。在約10GHz頻率時(shí)采用本發(fā)明導(dǎo)線結(jié)構(gòu)作為移相器,其相位調(diào)節(jié)范圍約為300°,通路衰減約為2dB。
除了玻璃之外,也可以采用其它的透明材料,例如石英或蘭寶石。
權(quán)利要求
1.用于至幾十GHz頻率的,具有可變延遲時(shí)間的導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,在第一基片(K)上淀積兩對(duì)各具有兩條相互平行的微帶導(dǎo)線(L1…L4),這兩對(duì)微帶導(dǎo)線分別由基片(K)相對(duì)兩側(cè)邊(A、B)向基片表面中間延伸,并且在此向第三側(cè)邊(C)呈近似直角的轉(zhuǎn)彎,從而在此區(qū)域獲得由四條在預(yù)定長度上相互平行的微帶導(dǎo)線構(gòu)成的第一個(gè)線路結(jié)構(gòu),在第二透明基片(G)上配置由兩條另外的平行微帶導(dǎo)線(LG1,LG2)構(gòu)成的第二線路結(jié)構(gòu),其形狀為180°圓弧和兩端延長的平行線段,其中,這些延長線段的間距和寬度與第一線路結(jié)構(gòu)上的相應(yīng)參數(shù)相同,并且第二基片(G)放置在第一基片(K)上,使得180°圓弧兩端的延長線段與第一線路結(jié)構(gòu)的微帶導(dǎo)線電接觸并將它們補(bǔ)充為連續(xù)的導(dǎo)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,第一基片(K)為陶瓷基片,優(yōu)先選用二氧化鋁材料構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,第二基片由玻璃材料構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,這些微帶導(dǎo)線主要由金構(gòu)成,將金直接或經(jīng)一附著層淀積在基片上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,為了調(diào)整導(dǎo)線結(jié)構(gòu),第一和第二基片(K、G)相互至少可以相對(duì)于第一基片(K)的第一或第二側(cè)邊平行移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述導(dǎo)線結(jié)構(gòu),其特征在于,在調(diào)整之后將第一和第二基片(K、G)相互固定連接,特別是焊接。
全文摘要
在用于位傳輸速率為每秒幾十千兆位信號(hào)的接收機(jī)中有必要在節(jié)拍路徑和數(shù)據(jù)路徑之間調(diào)節(jié)延遲時(shí)間以獲得最小的位誤碼率。就目前技術(shù)水平而言,延遲時(shí)間的調(diào)節(jié)是通過在陶瓷基片上淀積的微帶導(dǎo)線的熱壓焊進(jìn)行的,而在本發(fā)明中是通過在第一陶瓷基片上制造具有中斷線段的第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)和在第二基片上制造由180°圓弧及其兩端延長線段構(gòu)成的第二導(dǎo)線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的。其中,第二基片由玻璃材料構(gòu)成,這樣,在兩基片相互移動(dòng)時(shí)導(dǎo)線結(jié)構(gòu)清晰可見,從而可以獲得最佳的定位。
文檔編號(hào)H01P1/18GK1142694SQ96107408
公開日1997年2月12日 申請(qǐng)日期1996年5月16日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月16日
發(fā)明者W·齊爾瓦斯, D·貝托爾德 申請(qǐng)人:西門子公司