專利名稱:多層立體集成電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明屬電子技術(shù)領(lǐng)域,目前的集成電路路很難再提高密度,本發(fā)明目的在于,提供一種成倍提高密度的方法本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的。把集成電路做成多層立體的結(jié)構(gòu)先制好一片集成電路,再在集成片上涂制一層絕緣層,再用光刻腐蝕的方法在第一,二層集成片之間需要連接的部位把絕緣層腐蝕出窗口,再將集成片曝置在受主雜質(zhì)的熱氣體中,使絕緣層上再形成一層 型層,一層新的P型襯底,可再在這層新的P型襯底上再制造一層新的集成電路通過絕緣層上的窗口,可使一,二層集成電路之間需要相通的部位相通。再在第二層集成電路上面再涂一層絕緣層后,用以上方法再制造第三層集成電路和地四層,第五層如附圖
所示圖中1,第一層集成電路,2絕緣層,3絕緣層的窗口,4,第二層集成電路,5,第二層絕緣層,5,第三層集成電路。6,第四層,7,每一層集成電路自己內(nèi)部的內(nèi)連引線
權(quán)利要求
一種多層立體集成電路,其特征在于多層立體結(jié)構(gòu)先制好一片集成電路,再在集成片上涂制一層絕緣層,再用光刻腐蝕的方法在第一,二層集成片之間需要連接的部位把絕緣層腐蝕出窗口,再將集成片曝置在受主雜質(zhì)的熱氣體中,使絕緣層上再形成一層P型層,一層新的P型襯底,可再在這層新的P型襯底上再制造一層新的集成電路通過絕緣層上的窗口,可使一,二層集成電路之間需要相通的部位相通。再在第二層集成電路上面再涂一層絕緣層后,用以上方法再制造第三層集成電路和地四層,第五層保護(hù)以上特征。
全文摘要
本發(fā)明屬電子技術(shù)領(lǐng)域,目前的集成電路很難再提高密度,本發(fā)明目的在于,提供一種成倍提高密度的方法。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的,把集成電路做成多層立體的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1174411SQ9610918
公開日1998年2月25日 申請(qǐng)日期1996年8月16日 優(yōu)先權(quán)日1996年8月16日
發(fā)明者葛曉峰 申請(qǐng)人:葛曉峰