專(zhuān)利名稱：存貯器集成電路及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存貯器集成電路及制造該存貯器集成電路的方法，更詳細(xì)地說(shuō)，是涉及一種由低功率所驅(qū)動(dòng)并且具有存貯單元面積可減小的結(jié)構(gòu)的存貯器集成電路及其制造方法。
近年來(lái)，值得注意的是諸如計(jì)算機(jī)之類(lèi)的信息裝置對(duì)半導(dǎo)體存貯器件需求的增長(zhǎng)的趨勢(shì)。特別是對(duì)具有大存貯容量和可快速工作的半導(dǎo)體存貯器件有更大的需求，這種需求導(dǎo)致了改進(jìn)半導(dǎo)體存貯器件的集成密度、響應(yīng)特性和可靠性的技術(shù)發(fā)展。
半導(dǎo)體存貯器件中的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器)是一種眾所周知的能夠隨機(jī)輸入和輸出存貯信息的存貯器。一個(gè)DRAM通常包括有用作在其中存貯大量存貯信息的存貯區(qū)域的一存貯單元陣列部分和用來(lái)輸入/輸出外部信號(hào)的外圍電路部分。
該存貯單元部分包括有包含一晶體管和一電容器的存貯單元，和一用來(lái)傳送在該存貯單元的電容中存儲(chǔ)的電荷的位線。
該外圍電路部分包括一Vcc電源部分和一列譯碼器。
為了寫(xiě)入具有這種結(jié)構(gòu)的常規(guī)DRAM，在該外圍電路等之中的一列譯碼器首先指定一存貯單元。然后信號(hào)電荷通過(guò)位線被傳送到該所指定的存貯單元。通過(guò)向柵極提供予置的電荷，該被傳送的信號(hào)電荷通過(guò)位線被傳送到電容器的存貯節(jié)點(diǎn)。被傳送到存貯節(jié)點(diǎn)8的信號(hào)電荷被存貯在電容器中。在一讀取操作中，通過(guò)向柵極提供一予置電壓而將信號(hào)電荷傳送到位線。該被傳送到位線的信號(hào)電荷通過(guò)列譯碼器而被外部地讀出。
最近，在一半導(dǎo)體存貯器件中，根據(jù)位線的容量的增加，需將半導(dǎo)體存貯器件中的每一部分的面積做得較小。這是利用減小半導(dǎo)體存貯器件中的每一部分的占有面積來(lái)精密地形成該半導(dǎo)體存貯器件的構(gòu)型，并提供有效的連線。
圖1是根據(jù)第一常規(guī)方法的一包括有一接觸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的第一例子的平面視圖，圖2是沿圖1中的II-II′的剖視圖。如圖1所示，在一半導(dǎo)體基片(未示出)的一確定距離上以行的形式被分隔形成字線2。位線8垂直于字線2而構(gòu)成并且位線8平行于其余的位線而構(gòu)成。場(chǎng)氧化膜1位于位線2之中。
現(xiàn)在參見(jiàn)圖2，在下面介紹一種構(gòu)成半導(dǎo)體器件的常規(guī)的方法。首先，一半導(dǎo)體基片100的預(yù)定部分被場(chǎng)氧化以形成場(chǎng)氧化膜1，在半導(dǎo)體基片100上沒(méi)有形成場(chǎng)氧化膜的部分用作為有源(active)區(qū)域200。然后，通過(guò)典型的熱氧化技術(shù)復(fù)蓋該半導(dǎo)體基片100的暴露區(qū)域而在該半導(dǎo)體基片100的整個(gè)表面上形成柵極氧化膜10A。然后一多晶硅層共形地沉積在該所合成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上。于是在該半導(dǎo)體基片100上所形成的多晶硅層被制圖和腐蝕以便在該柵極氧化物膜10A上形成字線2。之后，通過(guò)化學(xué)汽相沉積(CVD)技術(shù)在其合成結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面形成一氧化物膜并利用例如反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù)進(jìn)行腐蝕從而形成間隔10B。之后在字線2兩側(cè)所形成的柵極氧化膜10A和間隔10B被稱之為字線2。
為了形成每個(gè)晶體管的自對(duì)準(zhǔn)的源極區(qū)域3和漏極區(qū)域4，字線2被用作用來(lái)將諸如磷之類(lèi)的雜質(zhì)注入到該半導(dǎo)體基片100中的掩模。在這個(gè)步驟中，如圖所示，位示兩字線2之間的雜質(zhì)區(qū)被用作為漏極區(qū)域4，并且兩個(gè)晶體管共享一漏極區(qū)域4。然后，在其上形成晶體管的半導(dǎo)體基片100上沉積一預(yù)定厚度的第一絕緣膜5。該第一絕緣膜5被腐蝕掉以便暴露源極區(qū)域3。然后，在該暴露的源極區(qū)域3上，形成一用于存貯該存貯器件的信息電荷的電容7。此時(shí)，該源極區(qū)域3和電容7相接觸的區(qū)域稱之為存貯節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)域3A。之后，在其上形成電容7的該半導(dǎo)體基片100的整個(gè)表面上形成沉積到預(yù)定厚度的一第二絕緣膜6。該第二絕緣膜6的一部分被腐蝕掉以便暴露該漏極區(qū)域4。形成位線8以便與所暴露的該漏極區(qū)域4相接觸而形成一位線接觸區(qū)域4A。
圖3是沿圖2中的III-III′的一剖面視圖，該圖示出了該集成電路存貯器的有源區(qū)域的形狀。
如圖3所示，在一半導(dǎo)體基片(未示出)上形成一有源區(qū)域200，為使之被旋轉(zhuǎn)90°-I形狀(a 90 degree rtated-Ishape)。為了減小一晶體管的單位單元面積而在一有源區(qū)域200中形成二個(gè)晶體管。也就是，通過(guò)一有源區(qū)域200形成二條字線2，分別在該字線2的兩側(cè)在該有源區(qū)域200中形成一源極(未示出)和一漏極(未示出)。進(jìn)而，一用來(lái)存貯一電荷的電容(未示出)與該源極相接觸，從而形成該存貯節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)域3A。該漏極與一位線(未示出)相接觸，從而形成該位線接觸區(qū)域4A。
如上所述，含有旋轉(zhuǎn)90°-I形狀的有源區(qū)域的，該常規(guī)存儲(chǔ)器集成電路具有一對(duì)晶體管，該晶體管對(duì)在一有源區(qū)域中共用一個(gè)漏極。為此原因，為了驅(qū)動(dòng)在一有源區(qū)域中所形成的二個(gè)晶體管，需要至少一個(gè)1/2Vcc的電壓。因此，為了滿足要求低功率的當(dāng)前趨勢(shì)是困難的。
另外，從制造該存貯器集成電路的方法來(lái)看，因?yàn)樵谛纬稍撐痪€之前就形成了該電容，所以由于電容增加而導(dǎo)致步進(jìn)復(fù)蓋。為此，當(dāng)形成位線時(shí)，位線和漏極的接觸不易形成，因而導(dǎo)致不良的互連。此外，它還難以擴(kuò)大該電容器的面積。
為了克服這種問(wèn)題，另一常規(guī)實(shí)施例提出了一種在形成位線之后再形成一電容的方法。
如圖4所示，通過(guò)已知的場(chǎng)氧化方法在一半導(dǎo)體基片(圖未示出)上形成一有源區(qū)域200。在有源區(qū)域200和場(chǎng)氧化膜1上相互平行并相距一預(yù)定距離地形成有若干字線2。在有源區(qū)域200和場(chǎng)氧化膜1上相互平行的形成有相距一予置距離并與各個(gè)字線2相垂直的位線8。
圖5是沿圖4的V-V′線所形成的截面視圖。
如圖5所示，利用一常規(guī)場(chǎng)氧化技術(shù)在一半導(dǎo)體基片100上確定一有源區(qū)域200。利用已知技術(shù)在該半導(dǎo)體基片100的預(yù)定部分形成一字線2。向由場(chǎng)氧化膜1和字線2，暴露的該有源區(qū)域200注入一雜質(zhì)離子，從而形成一源極區(qū)域3和一漏極區(qū)域4。在形成晶體管的該半導(dǎo)體基片100上沉積一第一絕緣膜5。該第一絕緣膜5被腐蝕以暴露該晶體管的漏極區(qū)域4。形成一位線8以便與所暴露的漏極區(qū)域4相接觸。同時(shí)，漏極區(qū)域4的位線8相互接觸的區(qū)域稱之為位線接觸區(qū)域4A。然后，在該半導(dǎo)體基片100上形成的位線8上的整個(gè)表面上沉積一第二絕緣膜6。第二絕緣膜6和第一中間層膜5的予置部分被依次腐蝕以暴露源極區(qū)域3。在該源極區(qū)域3上形成用來(lái)存貯信號(hào)的一電容7。同時(shí)，源極區(qū)域3和電容7相互接觸的部分被稱之為存貯節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)域3A。
圖6是沿圖5的VI-VI′線的截面視圖，示出了該存貯集成電路的有源區(qū)域的形狀。
用常規(guī)旋轉(zhuǎn)90°-I形狀，在該電容形成之前難以形成該位線。因此，形成一反轉(zhuǎn)-T形狀的有源區(qū)域200。形成該字線2以便2×2地通過(guò)各自有源區(qū)域200。在反轉(zhuǎn)T形狀的有源區(qū)域200中，在X軸方向的字線2的二側(cè)形成有二個(gè)源極(未示出)，在Y軸方向在該字線2上形成一漏極(未示出)。該源極與一電容(未示出)相接觸，這部分稱之為存貯節(jié)點(diǎn)接觸區(qū)域3A。該漏極與一位線(未示出)相接觸，這部分稱之為位線接觸區(qū)域4A。
鑒于用來(lái)制造存貯器集成電路的方法，利用改變制造步驟，具有反轉(zhuǎn)T形狀的有源區(qū)域的該存貯器集成電路形成位線和電容，因而減小了該步進(jìn)復(fù)蓋。但是，在該結(jié)構(gòu)上，在一有源區(qū)域照例形成二個(gè)晶體管。因此，難于利用低壓來(lái)驅(qū)動(dòng)該晶體管。另外，利用該反轉(zhuǎn)T形狀的支柱部分增加了有源區(qū)域的面積，因而該存貯單元的面積增加了約33％。
本發(fā)明的一目的是要提供一種在一有源區(qū)域中形成上述二個(gè)晶體管以實(shí)現(xiàn)低壓驅(qū)動(dòng)的存貯器集成電路。
本發(fā)明的另一目的是要提供一種減小有源區(qū)域的尺寸從而實(shí)現(xiàn)高集成的存貯器集成電路。
本發(fā)明的再一目的是要提供一種用來(lái)制造存貯器集成電路的方法，在這種方法中盡量減小其表面步進(jìn)復(fù)蓋，因而提高了該器件的可靠性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，所提供的存貯器集成電路包括有在一半導(dǎo)體基片上形成的每個(gè)具有H形狀的多個(gè)有源區(qū)域；一通過(guò)每個(gè)有源區(qū)域的字線；連接各自字線的全程字線；用來(lái)連接未被連接到全程字線的該字線的帶條字線；在該字線的兩側(cè)在有源區(qū)域中形成的源極和漏極；與該有源區(qū)域的漏極相接觸的位線；和與源極相接觸并存貯該存貯器集成電路的一電荷的電容，其中對(duì)于每個(gè)有源區(qū)域該字線4×4地通過(guò)并且四條字線獨(dú)自地被驅(qū)動(dòng)。
另外，為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的目的，在用來(lái)制造本發(fā)明的一存貯器集成電路的方法中，在第一電導(dǎo)型的半導(dǎo)體基片上形成場(chǎng)氧化膜，從而形成旋轉(zhuǎn)90°-H形狀的有源區(qū)域。在未被場(chǎng)氧化的半導(dǎo)體基片的有源區(qū)域上形成字線。在兩字線之間所暴露的有源區(qū)域上形成第二電導(dǎo)型的源極和漏極。在其上形成有晶體管的半導(dǎo)體基片上形成有一第一絕緣膜除去該第一絕緣膜以暴露出未連接到電源和漏極的該字線的予置部分。在該半導(dǎo)體基片上形成連接到所暴露的漏極的位線，同時(shí)，在該半導(dǎo)體基片上形成連接到未與該電源相連的字線的帶條字線。
圖1是一具有旋轉(zhuǎn)90°-I形狀的一有源區(qū)域的存貯器集成電路的平面視圖；圖2是沿圖1的II-II′線的具有旋轉(zhuǎn)90°的I形狀的有源區(qū)域的存貯器集成電路的截面視圖；圖3是沿圖2的III-III′線的具有常規(guī)存貯器集成電路的有源區(qū)域的截面視圖；圖4是具有常規(guī)反轉(zhuǎn)T形狀的一有源區(qū)域的存貯器集成電路的平面視圖；圖5是沿圖4的V-V′線的存貯器集成電路的截面視圖；圖6是沿圖5的VI-VI′線的存貯器集成電路的有源區(qū)域的截面視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明所實(shí)現(xiàn)的包含有一旋轉(zhuǎn)90°的H形狀的有源區(qū)域的存貯器集成電路的布圖的頂視圖；圖8是沿圖7的VIII-VIII′線的用來(lái)說(shuō)明用于制造該存貯器集成電路的方法的截面視圖；和圖9是沿圖7的IX-IX′線的用來(lái)說(shuō)明用于制造存貯器集成電路的方法的截面圖。
下面，結(jié)合


本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
在該實(shí)施例中，相同的標(biāo)號(hào)用來(lái)表明如常規(guī)元件一樣的相同部分。
如圖7所示，一半導(dǎo)體基片(未示出)的一予置部分被場(chǎng)氧化以規(guī)定一有源區(qū)域200。為了在一有源區(qū)域200中形成四個(gè)晶體管210a、210b、210c和210d，該有源區(qū)域200形成旋轉(zhuǎn)90°的H形狀。四個(gè)晶體管210a、210b、210c和210d共用一公共漏極4A。
字線2被形成以便分別通過(guò)有源區(qū)域200的四個(gè)支線區(qū)域。通過(guò)該有源區(qū)域200的四條支線區(qū)域的上面部分的二條字線2a和2b被分別連接到二條全程字線20A和20B。通過(guò)該有源區(qū)域200的四條支線區(qū)域的下面部分的二條字線2c和2d被分別連接到全程字線20A和20D。也就是，字線2c與在圖7的X軸方向延伸的帶條字線20相接觸，因而形成一字線接觸區(qū)域30，并且該帶條字線20電連接到該全程字線20D。被連接到帶條字線20的全程字線20D在圖7的Y軸方向上延伸。在這個(gè)例子中，重要的是形成全程字線20A、20B、20C、20D，以使在具有旋轉(zhuǎn)90°H形狀的有源區(qū)域內(nèi)所形成的四個(gè)晶體管的每個(gè)晶體管不同時(shí)地工作。
更可取的是，在X軸方向上，在上部和下部形成有多個(gè)全程字線，即，在該單元的上部形成二條全程字線和在該單元的下部形成一條全程字線。在Y軸方向上形成一條全程字線20D。然后，在該有源區(qū)域200中的字線2被連接到全程字線20A、20B、20C和20D，這些字線中的每一條隨該時(shí)間間隔而工作。因此，在相同有源區(qū)域200內(nèi)的所有晶體管隨著每個(gè)時(shí)間間隔而獨(dú)自地工作。同時(shí)，所有X軸和Y軸方向上均形成連接到全程字線20A、20B、20C和20D的字線2。另外，為了將全程字線20A、20B、20C和20D與字線2相連，在X軸方向上在場(chǎng)氧化膜2上形成帶條字線20。
在字線2的兩側(cè)被暴露的有源區(qū)域200中形成源極(未示出)和漏極(未示出)區(qū)域。在該H形狀的有源區(qū)域200的跨接部分上形成該漏極。分別在該H形狀的有源區(qū)域的四個(gè)支線部分形成源極區(qū)域。
因此，在一有源區(qū)域形成四個(gè)晶體管，并且四個(gè)晶體管共用一個(gè)漏極。
另外，為了有效地減小單元尺寸，在如圖7所示的在旋轉(zhuǎn)90°的H形狀中形成有源區(qū)域200。圍繞場(chǎng)氧化膜1有多個(gè)有源區(qū)域200，并且相互相距一預(yù)定距離被安置。該有源區(qū)域200的第一條線L1和第三條線L3相互具有相同的形狀。該有源區(qū)域200的第二條線L2和第四條線L4相互也具有相同的形狀。另外，在第一條線L1的有源區(qū)域200A和200B之間的該場(chǎng)氧化膜1的下面，設(shè)置有第二條線L2的有源區(qū)域200的漏極。以同樣的方式，在第二條線L2的有源區(qū)域200C和200D之間的場(chǎng)氧化膜1的下面，也設(shè)置有第三條線L3的有源區(qū)域200E的漏極。由于是以這種圖形來(lái)安置的原因，使得通過(guò)在該半導(dǎo)體基片上形成有多個(gè)有源區(qū)域的該存貯器集成電路的集成密度得以提高。
另外，形成以便通過(guò)該有源區(qū)域200的漏極的一位線8，從而形成一位線接觸4A。在四條支線部分(即該有源區(qū)域200的源極)上形成一存貯節(jié)點(diǎn)電容(未示出)，從而形成一存貯節(jié)點(diǎn)接觸3A。
因而，可通過(guò)這種方法形成帶條字線20而無(wú)需另外的處理。換句話說(shuō)，在Y軸方向上所形成的字線2A、2B、2C和2D是如像以常規(guī)方法所形成一樣，另一方面，在接著的處理中，在X軸方向上所形成的位線8是與在X軸方向上的該帶條字線20同時(shí)形成的。
圖8示出了沿圖7的VIII-VIII′線的截面視圖。該半導(dǎo)體基片100的一部分有選擇地被場(chǎng)氧化，因而形成場(chǎng)氧化膜1。同時(shí)，以相同方式該半導(dǎo)體基片的未形成場(chǎng)氧化膜1的一部分變成有源區(qū)域200。然后，通過(guò)CVD方法相繼沉積一多晶硅層的柵極氧化膜10A和柵極電極。在Y軸方向上該多晶硅被構(gòu)圖(見(jiàn)圖7)，因而形成字線2。繼高濃度雜質(zhì)離子的注入之后在所暴露的該有源區(qū)域200注入低濃度的雜質(zhì)離子和利用各向異性腐蝕技術(shù)在該字線2的兩側(cè)構(gòu)成一隔片(未示出)。因此，在該有源區(qū)域200上形成源極區(qū)域3和漏極區(qū)域4。然后，在其上形成晶體管的該半導(dǎo)體基片100上第一絕緣膜5被共形地沉積。該第一絕緣膜5被腐蝕以便暴露在該有源區(qū)域200上形成的漏極4。
然后，用于該位線8的多晶硅在該所形成的結(jié)構(gòu)上被沉積并且在其予置部分被腐蝕掉，從而形成位線8，此時(shí)，用于位線的多晶硅被按位線8來(lái)構(gòu)圖并且同時(shí)為了連接未接到場(chǎng)氧化膜1上的全程字線(未示出)的字線2按該帶條字線20來(lái)構(gòu)圖。之后，在形成位線8的半導(dǎo)體基片100上沉積第二絕緣膜6。此時(shí)，因?yàn)樵谧鳛榛A(chǔ)的所形成的結(jié)構(gòu)上形成了場(chǎng)氧化膜1、字線2和位線8，所以增加了步進(jìn)復(fù)蓋。因此，作為第二絕緣膜6，最好是使用諸如BPSG和SOG之類(lèi)平面特性極為突出的材料。該第二絕緣膜6被腐蝕以暴露該有源區(qū)域的源極3。然后，利用常規(guī)方法分別形成存貯節(jié)點(diǎn)電極7A、介質(zhì)膜7B和平板電極7C。
圖9示出了沿圖7的IX-IX′箭頭方向的截面視圖，在該圖9，在場(chǎng)氧化膜上形成帶條字線20和另外字線2。
如圖9所示，通過(guò)對(duì)該半導(dǎo)體基片100有選擇的氧化而形成場(chǎng)氧化膜1。在該場(chǎng)氧化膜1上形成柵極氧化膜10A和字線2。在形成字線2的半導(dǎo)體基片上共形地沉積該第一絕緣膜5。在圖9中未示出該第一絕緣膜5被腐蝕以暴露該漏極區(qū)域和該字線2的一予置部分。然后，用來(lái)形成帶條字線和位線的多晶硅被局部地沉積和被腐蝕，從而形成帶條字線20和位線(未示出)。因此，字線2與該字線2的帶條字線20相接觸，從而形成一字線接觸30。
在這個(gè)實(shí)施例中，四個(gè)晶體管共用一個(gè)漏極。因此，該存貯器集成電路可由低功率來(lái)驅(qū)動(dòng)并且存貯單元面積減小，從而提高了集成密度。
另外，根據(jù)本發(fā)明，無(wú)需增加處理步驟就可容易地形成具有減小面積的存貯單元矩陣的布圖。
權(quán)利要求
1.一種存貯器集成電路包括在一半導(dǎo)體基片上形成的有源區(qū)域，每個(gè)區(qū)域有一H形狀；通過(guò)每一有源區(qū)域的字線；連接到各自字線的全程字線；用來(lái)連接未接到該全程字線的字線的帶條字線；在該字線的兩側(cè)的有源區(qū)域中所形成的源極和漏極；與該有源區(qū)域的漏極相接觸的位線；和與該源極相接觸并存貯該存貯器集成電路的一電荷的電容；其中對(duì)于每個(gè)有源區(qū)域通過(guò)4×4條字線并且該四條字線獨(dú)自地被驅(qū)動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存貯器集成電路，其中在一有源區(qū)域中形成四個(gè)源極和一個(gè)漏極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存貯器集成電路，其中所述全程字線是位于X軸和Y軸方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存貯器集成電路，其中在該X軸方向上，有源區(qū)域之間的空間上形成該帶條字線。
5.一種制造存貯器集成電路的方法包括有步驟提供第一電導(dǎo)型的一半導(dǎo)體基片；在該半導(dǎo)體基片上形成一場(chǎng)氧化膜，在未場(chǎng)氧化的該半導(dǎo)體基片的部分上形成多個(gè)并旋轉(zhuǎn)90°H形狀的有源區(qū)域；形成通過(guò)該半導(dǎo)體基片的有源區(qū)域的字線；在該字線之間所暴露的有源區(qū)域中形成第二電導(dǎo)型的源極和漏極；在其上形成包含有源極、漏極和字線的晶體管的該半導(dǎo)體基片上形成第一絕緣膜；除去該第一絕緣膜以暴露未連接到全程字線的字線部分和漏極；和同時(shí)地形成連接到該所暴露的漏極的位線和連接到未接到該全程字線的字線的帶條字線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造存貯器集成電路的方法，其中該第一電導(dǎo)型是P型。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所術(shù)賓制造存貯器集成電路的方法，其中該第二電導(dǎo)型是N型。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造存貯器集成電路的方法，其中該第二絕緣膜是一平面絕緣膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造存貯器集成電路的方法，在形成位線和帶條字線之后，進(jìn)一步還包括有步驟在其上所形成位線和帶條字線的該半導(dǎo)體基片上形成一第二層間絕緣膜；腐蝕該第二層間絕緣膜以暴露該源極區(qū)域；和在源極區(qū)域上形成一電容。
全文摘要
一種由低功率來(lái)驅(qū)動(dòng)并減小存貯單元面積的存貯器集成電路和一種用來(lái)制造該存貯器集成電路的方法。在一半導(dǎo)體基片上形成多個(gè)具有旋轉(zhuǎn)90°H形狀的源極區(qū)域。四條字線具有通過(guò)每條字線的一不同源極，因而獨(dú)立地形成四個(gè)晶體管驅(qū)動(dòng)。這四個(gè)晶體管被設(shè)計(jì)成共用一位線，因而將該晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓降低為1/4Vcc。由于低功率驅(qū)動(dòng)，在一小面積上形成四個(gè)晶體管和一電容，因而將存貯單元尺寸減小到33％以上。
文檔編號(hào)H01L27/108GK1147697SQ9611039
公開(kāi)日1997年4月16日 申請(qǐng)日期1996年6月9日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月9日
發(fā)明者李禹奉, 洪興基, 具永謀 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社