專利名稱：從離子注入器的內(nèi)部區(qū)域中俘獲和清除不純粒子的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及俘獲和清除在離子注入器的內(nèi)部區(qū)域中運動的不純粒子的方法和裝置，更具體地說，涉及通過保證具有不純粒子粘附表面的粒子收集器處在與注入器的內(nèi)部區(qū)域的流體交流中來俘獲不純粒子。
離子注入器用于用雜質(zhì)注入或“摻雜”硅晶片，以產(chǎn)生n型或p型非本征材料。n型和p型非本征材料用于生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路。正如其名稱的含義，離子注入器用經(jīng)選擇的離子種類摻雜到硅晶片中，以生產(chǎn)所希望的非本征材料。由源材料如銻、砷或磷產(chǎn)生的注入離子產(chǎn)生n型非本征材料晶片。如果希望得到P型非本征材料晶片，則應(yīng)該注入用源材料如硼、鎵、銦生成的離子。
離子注入器包括從可電離的源材料中產(chǎn)生正電荷離子的離子源。生成的離子形成離子束，沿預(yù)定的束路徑加速進(jìn)入到注入站。離子注入器包括在離子源和注入站之間延伸的束生成和成形結(jié)構(gòu)。束生成和成形結(jié)構(gòu)維持離子束并限定一個延伸的內(nèi)部腔體或區(qū)域，束在到達(dá)注入站的途中穿過該區(qū)域。當(dāng)注入器工作時，內(nèi)部區(qū)域必須抽真空，以減小由于與空氣分子碰撞而使離子偏離預(yù)定的束路徑的可能性。
對于高電流離子注入器而言，注入站的晶片安放在旋轉(zhuǎn)支架面上。當(dāng)支架旋轉(zhuǎn)時，晶片穿過離子束。沿束路程行進(jìn)的離子與旋轉(zhuǎn)的晶片相碰撞并注入到旋轉(zhuǎn)的晶片中。自動裝置臂從晶片盒中取出待處理的晶片，并把晶片定位在晶片支持架面上。經(jīng)處理后，自動裝置臂把晶片從晶片支持面上移開，并把處理后的晶片再存放到晶片盒內(nèi)。
離子注入器的工作會引起生成某種不純粒子。一種不純粒子是在離子源中產(chǎn)生的不希望的離子種類。對于指定的某種注入工藝而言，不純粒子起因于存在來自先前的、注入不同離子的注入工藝的殘留離子。例如，在對一定數(shù)量的晶片注入硼離子以后，可能希望改變注入器，注入砷離子。很可能某些殘留的硼原子保留在注入器的內(nèi)部區(qū)域中。
另一種不純粒子源是光敏抗蝕材料。光敏抗蝕材料在注入之前已涂復(fù)在晶片上，并且要求這種光敏抗蝕材料劃定成品的集成電路上的電路系統(tǒng)的界限。當(dāng)離子打到晶片表面上時，光敏抗蝕劑涂層的粒子被從晶片撞出。
在離子處理過程中，不純粒子與晶片相碰撞并粘附在晶片上是制造半導(dǎo)體和其他器件中產(chǎn)量降低的主要原因，該半導(dǎo)體和其他器件要求在待處理的晶片上確定亞微觀圖案。
另外，在制造集成電路中為了再生不合預(yù)定目的要求的已注入或已處理過的晶片，粘附在離子注入器內(nèi)表面的不純粒子降低了離子注入元件的效率。例如，在離子束中和裝置的性能將顯著地受到在裝置的鋁延伸管上積聚的光敏抗蝕劑粒子的影響。
注入器內(nèi)部的真空環(huán)境使浮獲和清除不純粒子成為疑難的問題。在真空條件下，亞微觀粒子的運動極難于控制，粒子的運動很大程度上受電場力的控制。隨著粒子尺寸的減小，重力影響變的不重要。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在抽真空的注入室內(nèi)運動的粒子在落到或粘附在工件表面或注入室的內(nèi)表面前會反跳多次或回彈多次。經(jīng)驗指出，這種運動粒子在落下以前要反射10到25次。
本質(zhì)上，粒子收集器包括粒子粘附表面。與表面碰撞的粒子結(jié)果是被吸附在表面上，并且當(dāng)收集器移開時粒子也被清除。然而，因為粒子收集器應(yīng)用與離子注入器有關(guān)，所以，粒子收集器必須與真空環(huán)境相一致。普通的粒子收集器的表面，如粘附的、多孔材料、涂有油的材料等等，真空環(huán)境下會放出氣體，這就使這些材料不適用于離子注入器。
不純粒子的粒子收集器所需要的是，既要適合于真空環(huán)境條件中使用，又要顯示出高的粒子粘附品質(zhì)。
本發(fā)明提供一種俘獲和清除不純粒子的方法和裝置。該不純粒子通過離子注入室運動并落在離子注入室的內(nèi)表面上。一個或多個粒子收集器有裝配在離子注入器的內(nèi)部區(qū)域的粒子粘附表面。經(jīng)多次反射離開內(nèi)壁的不純粒子具有很高的被粒子收集器的一個或多個粒子粘附表面俘獲的可能性。
具體地說，本發(fā)明俘獲和清除在離子束注入器的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)運動的不純粒子的方法包括以下步驟提供具有不純粒子容易粘附其表面的粒子收集器；把粒子收集器這樣固定到注入器，以致收集器的粒子粘附表面處于和注入器內(nèi)部區(qū)域進(jìn)行流體交流的狀態(tài)下；在預(yù)定的時間周期以后，從注入器移走粒子收集器。
還公開一種與俘獲和清除不純粒子的粒子收集器結(jié)合的離子注入器，該不純粒子在離子束通過的抽真空的注入器的內(nèi)部中運動。粒子收集器包含不純粒子容易粘附其上的表面以及用來把粒子收集器這樣安裝在注入器上的安裝裝置，以致粒子粘附表面是在注入器內(nèi)由趨向于產(chǎn)生不純粒子的各區(qū)域看來的凈區(qū)域內(nèi)。
把一個或多個粒子收集器設(shè)置在不同位置，包括分析室內(nèi)和作業(yè)室內(nèi)是有益的。注入器包含離子束分析室，它限定離子束通過的內(nèi)部區(qū)域的一部分。分析室內(nèi)部區(qū)域被抽真空。粒子收集器可以這樣定位，以致粒子粘附表面處在和由分析室限定的內(nèi)部區(qū)域的一部分進(jìn)行流體交流的狀態(tài)下。
注入器還包含晶片注入作業(yè)室，它限定內(nèi)部區(qū)域的一部分。粒子收集器可以這樣定位，以致粒子粘附表面處在和由作業(yè)室限定的內(nèi)部區(qū)域的部分在一起。
粘子粘附表面可以額外地吸引不純粒子。例如，永久極化的電介質(zhì)纖維能夠用于用靜電吸引方式吸引粒子和把粒子固定在粒子收集器上。換一種方式，粒子粘附表面可以用硫化合成橡膠部分地涂復(fù)，該硫化合成橡膠通過表面張力把粒子固定在粒子收集器上。硅合成橡膠是一種最佳的合成橡膠。
從結(jié)合附圖對本發(fā)明的最佳實施例進(jìn)行的詳細(xì)說明將很容易理解本發(fā)明的這些和另一些目的、優(yōu)點和特征。


圖1是部分剖面的頂視圖、表示一個離子注入器，它包括離子源、束生成和成形結(jié)構(gòu)和注入室；圖2是圖1的離子注入器的電子指示器部分的放大的平面視圖；圖3是離子束注入器部分的結(jié)構(gòu)描述，表示注入器的一部分特別適合于安裝一個或多個粒子收集器以俘獲不純粒子；和圖4是構(gòu)成粒子收集器的離子中和管的透視圖。
現(xiàn)在回到附圖，圖1描述一種總的用10表示的離子注入器，該注子器發(fā)射離子以形成離子束14的離子源12，和注入站16。設(shè)置控制電子電路11，用于監(jiān)視和控制在注入室16處的作業(yè)室17內(nèi)的晶片接收到的離子劑量。離子束14通過在離子源12和注入站16之間的距離。
離子源12包括等離子體室18，限定了源材料注入其中的內(nèi)部區(qū)域。所述源材料可以包括可電離的氣體或蒸發(fā)的源材料。把固體形式的源材料淀積到一對蒸發(fā)器19上。然后，把蒸發(fā)的源材料注入到等離子體室。
把能量加到源材料上以在等離子體室18內(nèi)產(chǎn)生正電荷離子。正電荷離子通過蓋在等離子體室18的開口側(cè)的蓋板20上的橢圓弧形槽孔離開等離子體室內(nèi)部。
1994年9月26日申請的，轉(zhuǎn)讓給本申請的受讓人的、系列號為08/312142的美國專利申請公開了一種利用微波能量電離源材料的離子源。這里把系列號No.08/312142的美國專利申請全部引入作為參考。離子束14穿過從離子源12到注入站17的抽真空的通道，該注入站17也是抽真空的。真空泵21的速通道的抽真空提供條件。
等離子體18內(nèi)的離子通過等離子體室蓋板20上的弧形槽孔出來并且由等離子體蓋板20附近的一組電極24向質(zhì)量分析磁鐵22加速。形成離子束14的離子從離子源12向由質(zhì)量分析磁鐵22建立的磁場運動。該質(zhì)量分析磁鐵是離子束生成和成形結(jié)構(gòu)13的一部分，并安裝在磁鐵外殼32內(nèi)。所述磁場的強度由控制電子電路11控制。通過調(diào)節(jié)流過磁鐵的磁場線圈繞組的電流來控制磁鐵的磁場。質(zhì)量分析磁鐵22使隨離子束14行進(jìn)的離子以曲線軌跡運動。只有具有合適原子量的那些離子能到達(dá)離子注入站16。
沿著從質(zhì)量分析磁鐵22到注入站16的離子束運行通道，由于從質(zhì)量分析磁鐵外殼32的高電壓到接地的注入室的電位差，離子束14進(jìn)一步被成形，測定和加速。
離子束生成和成形結(jié)構(gòu)13還包括四極組件40，可移動的法拉弟罩42和離子中和器44。四極組件40包括圍繞離子束14排列取向的一組磁鐵46，該組磁鐵由控制電子電路(未表示出)選擇性地通電，以調(diào)節(jié)離子束14的高度。四極組件40被固定在外殼50內(nèi)。
連接到四級組件40的一端、面對法拉弟罩42是離子束分析板52。分析板52是由玻璃狀的石墨構(gòu)成，拼表示在圖3中。分析板52包含細(xì)長孔56，離子束中的離子離開四極組件40時通過該孔。分析板52還包含四個具有擴(kuò)孔的孔58。若干螺釘(未示出)把分析板52緊固到四極組件40上。在分析板52位置，正如包絡(luò)D’、D”的寬度所定義的，離子束發(fā)散處于其最小值，這就是說，D’，D”的寬度為最小值，離子束14在該位置通過分析板孔56。
分析板52與質(zhì)量分析磁鐵22結(jié)合起從離子束14中消除不希望有的離子種類的作用。四極組件40由支持托架60和支持板62所支持。支持托架60連接到分析室50的內(nèi)表面，而支持板62通過多個螺釘連接到分析室50的一端(在圖2可看到把支持板62固定到外殼50上的二個螺釘63)。連接到支持板62的是四極組件屏蔽板64(示于圖4中)。四極組件屏蔽板64由玻璃狀的石墨構(gòu)成，并包含矩形孔66和四個具有擴(kuò)孔的孔68。具有擴(kuò)孔的孔68接納把四極組件屏蔽板64固定到支持板62上的螺釘(在圖2中可以看到二個穿過二個具有擴(kuò)孔的孔68而延伸、并進(jìn)入支持板62的螺釘70)。四極組件屏蔽板64保護(hù)四極組件40不受具有原子質(zhì)量“靠近”希望的離子種類的原子質(zhì)量的不希望有的離子的撞擊。當(dāng)注入器10工作時，不希望有的離子撞擊四極組件屏蔽板64構(gòu)造板的面向上游的表面。
如在圖1中能夠看到的，法拉弟罩42位于四極組件40和離子中和裝置44之間。法拉弟罩42可以相對于室50移動，使得它能滑到截獲離子束14的位置、測量離子束的特性，并且當(dāng)測量滿意時，被移出束線，以便不干擾注入室17中的晶片注入。
束生成結(jié)構(gòu)13還包括離子中和裝置44，通常稱作為電子指示器。1992年11月1 7日授于Benveniste的美國專利No.5164599，公開了離子注入器中的電子指示器裝置并且這里全部引入以供參考。從等離子體室18出來的離子是帶正電的。如果離子中的正電荷不在晶片表面上中和，摻雜的晶片將顯示凈正電荷。正如’599專利中的描述，晶片上的這種凈正電荷具有不希望有的特性。
表示在圖2中的離子束中的裝置44包含偏孔70，靶72和延伸管74。每一個偏孔70，靶72和延伸管74是空心的并且當(dāng)裝配時，限定一個端部開口的圓筒形的內(nèi)部區(qū)域，離子束14通過該區(qū)域并由二次電子發(fā)射所中和。中和裝置44用安裝凸緣76相對于室50而定位，該安裝凸緣76用螺栓固定在分析室上。
從安裝凸緣76延伸的是支持部件78和偏孔70。所述靶被固定到支持件78上。延伸管74連接到靶72但與靶72電絕緣。延伸管74借助于與接地端于G相連而接地。給偏孔70加負(fù)電壓V。支持部件78限定一個冷卻流體循環(huán)的內(nèi)部通道(未示出)。
支持部件78還支持電連接到一組燈絲(未示出)的燈絲饋電線80。燈絲伸入靶72，當(dāng)通以電流時，發(fā)射高能量電子，該高能量電子被加速而進(jìn)入靶72的內(nèi)部區(qū)域。高能量電子撞擊靶72的內(nèi)壁。高能量電子與靶內(nèi)壁的撞擊將會引起低能量電子發(fā)射，或者稱為二次電子發(fā)射。
束中和器的最佳延伸管74由不純粒子俘獲材料構(gòu)成，因而形成粒子收集器。更具體地說，管74由鋁泡沫材料機(jī)械加工的圓筒構(gòu)成。把實心的圓筒樣壓坯料從鑄模中取出并進(jìn)行機(jī)械加工，限定一個其直徑適合于通過延伸管74的離子束的尺寸的直通管P。
偏離的不純粒子能夠被裹在離子束14內(nèi)并隨離子束進(jìn)入束中和器44。使用管74會收集在束內(nèi)的任何這種不純粒子，該不純粒子有沿束邊界的行進(jìn)路徑。他們能與管74相碰撞，并且，不僅從束中被清除掉因而不再撞擊注入室內(nèi)的靶，而且它們并不跳出管74的表面而是變成所述管的成分。
管74由鋁泡沫材料構(gòu)成并具有高的表面面積。直通管P界限內(nèi)的內(nèi)表面會減小偏離的不純粒子彈出直通管的壁的可能性。該管的內(nèi)表面具有許多凹凸不平、槽、凹陷處和裂縫。這種鋁材料形成由不規(guī)則編排的孔隙填充的連接起來的段構(gòu)成的格狀結(jié)構(gòu)，偏離的不純粒子能進(jìn)入所述孔隙并被收集。
最佳的鋁泡沫材料由energy Research and Generation，Inc.ofOakland，Calikomia命名為Duocel(注冊商標(biāo))出售。這種材料在先有技術(shù)中已用作結(jié)構(gòu)材料，那里要求高的機(jī)械強度，但又需要輕重量的結(jié)構(gòu)材料。
注入站16包含抽真空的注入室17(圖1和3)。圓盤形晶片支架可旋轉(zhuǎn)地支撐在注入室17內(nèi)(未示出)。待處理的晶片定位在晶片支架的圓周邊附近，該支架由馬達(dá)帶動以1200周/分的速度旋轉(zhuǎn)。當(dāng)晶片沿著圓形的路徑轉(zhuǎn)動時，離子束14撞擊晶片并處理晶片。
注入站16相對于外殼50是能繞樞軸回轉(zhuǎn)運動的，并由柔性的波紋管92連接到外殼50。注入站16回轉(zhuǎn)運動的能力允許調(diào)節(jié)離子束14在晶片注入面上的入射角。
圖3示意地指示離子注入器10的元件，能夠很方便地把由泡沫鋁構(gòu)成的材料安裝到該離子注入器。這些不同的粒子收集器能夠補充或者能夠用來代替圖4所示的管74。具有表面S1-S6的這種附加的收集器不是由現(xiàn)有的束中和裝置支持，而是由一般的平面鋁泡沫板構(gòu)成，該鋁泡沫板的厚度為0.25英寸，其外形尺寸根據(jù)它們在注入器內(nèi)的預(yù)定的位置而變化。
折衷方案包含選擇在粒子收集器中使用的材料密度。更確切地說，已經(jīng)分析鋁泡沫的孔密度以決定最佳材料特性?？梢岳每酌芏葟拇蠹s每英寸10個到每英寸40個孔變化的各種各樣的鋁泡沫材料(注意，用每英寸的孔數(shù)目的單位來描述泡沫孔隙度源于Energy Researchand Generation，Inc.)。在選擇正確的材料時考慮二個主要問題。
第一個問題是粒子收集器效率。鋁泡沫的合適厚度在一定程度上受機(jī)械固定的控制，例如，受支持晶片的旋轉(zhuǎn)圓盤和作業(yè)室壁之間的所需要的間距的控制。一旦指定最佳厚度0.25英寸后，就必須選擇泡沫的孔隙度。
孔隙度必須這樣來選擇，使得粒子從泡沫材料彈出的可能性可以忽略不計。該泡沫材料必須有足夠多的孔，以便能夠使用泡沫材料的大部分內(nèi)表面面積，保證粒子收集效率盡可能高。大多孔的泡沫鋁將不能工作，因為粒子將簡單地穿過它，彈出離子注入器的壁，并再次穿過泡沫。具有太小孔隙度的泡沫鋁將從其前面反射許多粒子。
第二個問題是受控于機(jī)械強度和加工所述泡沫材料的簡易性。比較粗糙的泡沫材料(每英寸10個孔)通常較難加工，特別在用于離子注入器的粒子收集器的幾何形狀的情況下更難加工。
這二個問題使得對于0.25英寸厚度的泡沫鋁，選擇大約每英寸20個孔的的孔密度。這歸結(jié)為泡沫材料的密度為整體鋁重量的6～8％。板和管74二者的另一標(biāo)準(zhǔn)是，必須能夠定期地替換，以至當(dāng)不純粒子積累時，它們能夠從離子注入器中移走。管74用連接器C固定到束中和器44上，該連接器C穿過與靶72構(gòu)成整體的四個等間隔的安裝片。
可以看到，圖3的作業(yè)室17包含用來控制氣壓的二個排氣口V3，V4，并且，這兩口排氣口用來當(dāng)對注入器進(jìn)行維修時降低作業(yè)室17的氣壓。通過裝入閉鎖裝置110把晶片插入注入室17，并安放到旋轉(zhuǎn)的支持架上，該支持架帶著晶片穿過離子束。晶片上的光刻膠會從晶片上射出，并能夠聚集在安裝在作業(yè)室內(nèi)的收集器板的內(nèi)表面S1，S2，S3，S4上。
在作業(yè)室內(nèi)安裝薄板或者在分析室112內(nèi)沿表面S5，S6安裝薄板是用特殊的粘接方法實現(xiàn)的。按照本發(fā)明，把室溫凝固的硫化的硅粘接劑(RTV)涂覆在離子注入器的內(nèi)表面，并且把鋁泡沫薄板貼在該處理后的表面上。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這種工藝適合于固定注入器內(nèi)的薄板，而不會在作業(yè)室17或者分析室112內(nèi)產(chǎn)生進(jìn)一步的污染。
雖然已經(jīng)相當(dāng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但是，顯然，本專業(yè)的普通技術(shù)人員可以在不脫離如所附權(quán)利要求書中所述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對所描述的本發(fā)明的實施例進(jìn)行某些添加、修改或刪除。
權(quán)利要求
1.俘獲和清除在抽真空的離子注入器(10)的內(nèi)部區(qū)域運動的不純粒子的方法，其中，帶電離子經(jīng)過抽真空的內(nèi)部區(qū)域中的離子行進(jìn)路徑14，以便處理工件，其特征在于該方法包括以下步驟a)提供一種具有粒子粘附表面的粒子收集器(74)，不純粒子粘附到該粘附表面上，b)把粒子收集器這樣固定到注入器，使得收集器(74)的粒子粘附表面被置于抽真空的內(nèi)部區(qū)域中離子行進(jìn)路徑(14)附近的位置上，c)按周期性的時間間隔把粒子收集器從離子束注入器(10)中取出，以便從注入器的抽真空的內(nèi)部區(qū)域清除粘附在收集器上的粒子。
2.如權(quán)利要求1中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于粒子收集器安裝到以內(nèi)部區(qū)域為界的注入器的表面(S1-S6)。
3.如權(quán)利要求1中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于收集器的粒子粘附表面以額外的方式吸附不純粒子。
4.如權(quán)利要求3中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于粒子粘附和吸附表面包括永久極化的電介質(zhì)纖維，該電介質(zhì)纖維用靜電吸引的方法將不純粒子吸引和固定在粒子收集器上。
5.如權(quán)利要求1所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于所述固定步驟包括以下步驟用部分硫化的合成橡膠涂復(fù)吸附表面(S5，S6)，該合成橡膠把粒子收集器固定到離子注入器的內(nèi)壁。
6.如權(quán)利要求5中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于涂覆部分硫化的合成橡膠的步驟包括部分地固化硅合成橡膠的步驟。
7.如權(quán)利要求1中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于所述粒子收集器的粒子粘附表面被配置在注入器(10)的容納一個或多個工件的作業(yè)室(17)內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于把粒子收集器固定到面對工件處理面的作業(yè)室(17)的內(nèi)表面。
9.如權(quán)利要求1所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于所述粒子收集器的粒子粘附表面處在所述注入器的分析室(112)視界的凈區(qū)域內(nèi)。
10.如權(quán)利要求9中所述的俘獲和清除不純粒子的方法，其特征在于所述粒子收集器被固定在分析室(112)的內(nèi)表面(S5，S6)上。
11.在離子注入器(10)與用來俘獲和清除在離子向工件運動過程中經(jīng)過的該注入器的抽真空的內(nèi)部區(qū)域中運動的不純粒子的裝置的組合中，其特征在于這種組合包括a)收集器(74)，它具有粒子收集表面，穿過注入器的抽真空的離子內(nèi)部區(qū)域運動的不純粒子容易粘附到該收集器表面，b)用來把收集器(74)可卸拆地安裝在離子注入器(10)的抽真空的內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的支撐架(76，78，S1～S6)，用來把收集器的粒子收集表面放在適當(dāng)?shù)奈恢?，以便截獲通過抽真空的注入器內(nèi)部區(qū)域運動的不純粒子。
12.如權(quán)利要求11中所述的離子注入器裝置，其特征在于還包含工件支持室(17)，以及收集器的暴露的粒子收集表面通常是平面，并且收集器安裝工件支持室(17)的內(nèi)表面S1-S4。
13.如權(quán)利要求11中所述的離子注入器裝置，其特征在于還包含限定注入器的抽真空的內(nèi)部區(qū)域的一部分的小室，以及注入器包括發(fā)射離子的源(12)和用來產(chǎn)生對一個或幾個工件進(jìn)行束處理的離子束生成結(jié)構(gòu)(24，22，40)，收集器(74)具有環(huán)形形狀，并且所述支架包括用來把收集器圓筒形的內(nèi)表面支撐在這樣的位置、使得離子束在向工件運動的路徑中穿過收集器的裝置。
14.如權(quán)利要求13中所述的離子注入器，其特征在于還包含離子注入室，該注入室包括工件支持架，后者用來移動一個或多個工件通過離子束，以及把一個或多個附加的收集器安裝在離子注入室的內(nèi)表面上。
15.如權(quán)利要求11中所述的與粒子收集器相結(jié)合的離子注入器，其特征在于粒子收集器的粒子粘附表面以額外的方式吸附不純粒子。
16.如權(quán)利要求15中所述的離子注入器和收集器，其特征在于粒子吸附和粘附表面還包括通過靜電吸附把不純粒子吸附和固定在粒子收集器表面的永久極化的電介質(zhì)纖維。
17.如權(quán)利要求11中所述的與粒子收集器相結(jié)合的離子注入器，其特征在于粒子收集器的粒子粘附表面包括部分硫化合成橡膠的涂層，該涂層通過表面張力把不純粒子固定在粒子收集器表面。
18.如權(quán)利要求17中所述的與粒子收集器相結(jié)合的離子注入器，其特征在于部分硫化合成橡膠的涂層包括硅合成橡膠。
19.如權(quán)利要求11中所述的離子注入器，其特征在于粒子收集器是具有受控制的厚度的金屬泡沫材料。
20.如權(quán)利要求19中所述的離子注入器，其特征在于所述金屬泡沫材料是由鋁構(gòu)成的。
21.如權(quán)利要求20中所述的離子注入器，其特征在于金屬泡沫具有根據(jù)組成泡沫材料的孔密度控制的密度。
22.如權(quán)利要求19中所述的離子注入器，其特征在于在所述材料的平板的厚度為大約0.25英寸的情況下，把所述泡沫材料的密度控制在實體金屬的6-8％。
全文摘要
俘獲和清除在抽真空的離子注入器內(nèi)部運動的不純粒子的方法包括步驟提供具有不純粒子容易粘附的表面的粒子收集器；把粒子收集器固定到注入器，使粒子粘附表面處在與在內(nèi)部區(qū)域運動的不純粒子的流體交流中；在預(yù)定時間周期以后，把粒子收集器從注入器中取出。在與粒子收集器結(jié)合的離子注入器中，收集器包括不純粒子容易粘附的表面和固定件，后者把粒子收集器可拆卸地固定到注入器，使粒子粘附表面處在與注入器的抽真空的內(nèi)部的流體交流中。
文檔編號H01L21/02GK1158494SQ9611670
公開日1997年9月3日 申請日期1996年12月18日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月18日
發(fā)明者J·G·布萊克, R·貝克, D·奇曼, M·瓊斯, L·曼恩, F·辛克萊, D·K·史東 申請人:易通公司