專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置，特別涉及一種改進半導(dǎo)體裝置，在其外引線的外部有絕緣涂敷區(qū)，以便減小在粘合微小間距的外引線時所產(chǎn)生的不合格產(chǎn)品的數(shù)量。
通常，載帶自動粘合(TAB)涉及有效表面安裝型封裝技術(shù)，該技術(shù)是用金屬凸點直接把大規(guī)模集成電路(LSI)粘合到其上形成了金屬圖形的帶上，即，是有關(guān)直接粘合LSI和引線框架的互連技術(shù)。與常規(guī)引線粘合技術(shù)相比，TAB技術(shù)是一種先進的互連技術(shù)。
近來，工業(yè)上一流的公司正在試圖研制凸點形成技術(shù)，因為該技術(shù)是產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)。
TAB中的凸點起著引線粘合方法中的引線的作用，形成該凸點作為能電連接LSI芯片的焊盤和TAB引線框架的金屬突起物。這里，按其材料將凸點分成Au凸點和Sn/Pb凸點，并將它們分成蘑菇型凸點和直壁型凸點。
凸點粘合技術(shù)是產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵技術(shù)，根據(jù)凸點形成方法可它分成以下三種制造方法。
1)引線定位法-引線凸點形成法和傳遞凸點形成法。(The lead frame accessingmethod-the lead bumping method and a transferred.)2)晶片高度定位法-引線凸點形成法。(The wafer level accessing method-thewire bumping method.)3)芯片高度定位法-引線凸點形成法。(The chip level accessing method-the wirebumping method.)同時，上述方法分別存在以下缺點。
1)引線框定位法該方法用一般的晶片，并適于制造各種產(chǎn)品和少量的該產(chǎn)品，然而凸起的引線帶很貴。
2)晶片凸點形成法它適于制造各種產(chǎn)品和少量的該產(chǎn)品；然而按晶片凸點形成法另需TAB工藝，精確度降低。
3)引線凸點形成法它適于制造小尺寸管腳產(chǎn)品，但，它不適于制造小尺寸的多管腳產(chǎn)品。
把TAB工藝制造的產(chǎn)品傳遞到定位機，并安裝在基片上。


圖1表示常規(guī)半導(dǎo)體裝置的外引線粘合后的一種互連。
如圖1所示，在基片1的上部形成間隔開的焊盤2。此外，TAB帶包括其上形成了與絕緣帶的某部分上的粘結(jié)劑4有粘結(jié)力的金屬圖形的外引線5。通過控制壓力和溫度，由如各向異性的導(dǎo)電粘結(jié)劑或各向異性導(dǎo)電膜等各向異性的粘結(jié)劑粘結(jié)TAB的外引線5和基片1。
同時，將導(dǎo)電球6插入外引線5和焊盤2間。此外，將與導(dǎo)電球6無關(guān)的導(dǎo)電球6a插入外引線5間。但是，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品變成多功能化，及具有高性能和多管腳結(jié)構(gòu)，所以產(chǎn)品的焊盤/引線間距變細。
由于常規(guī)半導(dǎo)體裝置有與導(dǎo)電球6無關(guān)的用于電連接的導(dǎo)電球6a，所以相應(yīng)元件間會發(fā)生電短路。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種半導(dǎo)體裝置，克服上存在于常規(guī)半導(dǎo)體裝置中的問題。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種改進半導(dǎo)體裝置，在外引線的外部有絕緣涂敷區(qū)，以便減小在粘合微小間距的外引線時所產(chǎn)生的不合格產(chǎn)品的數(shù)量。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，包括形成在TAB帶的外引線的外部的絕緣涂敷區(qū)，以便防止在TAB外引線粘合時，由包含在ACA/ACF中導(dǎo)電球所引起的外引線間的電短路。
圖1是表示外引線粘合后的互連的常規(guī)半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖2是表示按本發(fā)明的絕緣涂敷的TAB帶的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖3是表示在按本發(fā)明的外引線粘合后TAB絕緣帶與基片連接的互連的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖2表示按本發(fā)明的絕緣涂敷的TAB帶。
首先，由于一般的TAB工藝與已有技術(shù)相似，所以不再進行詳細說明，下面只說明TAB帶的結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，外引線15與粘結(jié)劑14粘結(jié)固定在絕緣帶13的下部。但，在外引線的外表面形成絕緣涂敷區(qū)7，以防止電短路。絕緣涂敷區(qū)是用環(huán)氧樹脂族材料形成的。此外，絕緣涂敷區(qū)7的厚度最好小于1000埃。
圖3表示外引線粘合后TAB絕緣帶和基片間的互連。
如圖所示，在粘合外線期間，形成在外引線15的外圍的絕緣涂敷區(qū)中，包含于ACA/ACF中的導(dǎo)電球6和與上述導(dǎo)電球6無關(guān)的導(dǎo)電球6a相互接觸，此時，因為外引線15的絕緣涂敷區(qū)7被破壞，所以導(dǎo)電球6和有絕緣涂敷區(qū)的外引線15電連接。
這里，圖3中，通過外引線15給導(dǎo)電球6和焊盤12加電壓，或從焊盤12向?qū)щ娗?和外引線15加電壓。
如上所述，半導(dǎo)體裝置圍繞外引線形成絕緣涂敷區(qū)，以防止隨著工業(yè)上對微小間距產(chǎn)品的研制而使外引線間的間距變近導(dǎo)致的不論導(dǎo)電性如何的導(dǎo)電球所引起的引線間的電短路。
盡管為了說明本發(fā)明的目的，公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解到，在不脫離所附權(quán)利要求書所說明的本發(fā)明的范圍和精神的情況下，可以有各種改型、附加和替換。
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體裝置，包括為了防止由于包含在ACA/ACF中的導(dǎo)電球在TAB外引線粘合期間引起外引線間電短路而形成在TAB帶的外引線的外部的絕緣涂敷區(qū)。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述絕緣涂敷區(qū)是由環(huán)氧樹脂族材料形成的。
3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其特征在于所述絕緣涂敷區(qū)的厚度低于1000埃。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其特征在于通過在一定壓力下對絕緣膜的破壞，使所述絕緣涂敷區(qū)電連接絕緣帶外引線和基片的焊盤。
全文摘要
一種在外引線的外部具有絕緣涂敷區(qū)的改進半導(dǎo)體裝置，可減少在粘合微小間距外引線時不合格產(chǎn)品的數(shù)量，它包括為了防止由于包含于ACA/ACF中的導(dǎo)電球在TAB外引線粘合期間引起外引線間電短路而形成在TAB帶的外引線的外部的絕緣涂敷區(qū)。
文檔編號H01L23/498GK1150334SQ9611994
公開日1997年5月21日 申請日期1996年10月4日 優(yōu)先權(quán)日1995年10月19日
發(fā)明者錢興燮 申請人:Lg半導(dǎo)體株式會社