專利名稱：為光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片單一分割的刻蝕法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及壓電器件，尤其涉及對(duì)光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片進(jìn)行單一分割的刻蝕方法。
壓電元件包括由各種壓電材料制成的各種類型和形狀的器件。典型的壓電元件由大致為矩形或圓形的石英板組成。這些壓電元件通常用于諸如計(jì)算機(jī)、蜂窩電話、尋呼機(jī)、收音機(jī)以及無(wú)線數(shù)據(jù)器件等電子器件中的頻率控制。當(dāng)消費(fèi)者不斷要求壓縮這些裝置的大小和價(jià)格時(shí)，對(duì)壓電器件小型化、低成本和自動(dòng)化安裝的要求也日益增加。
對(duì)于自動(dòng)安裝設(shè)備通常要求在其上的每個(gè)壓電元件具有一致的大小和形狀。此安裝設(shè)備可包括一個(gè)帶有視象系統(tǒng)(vision system)的自動(dòng)操縱機(jī)械(robotic machine)，一個(gè)夾入(pick-and-place)系統(tǒng)之類。當(dāng)待要被安裝的器件縮小時(shí)，自動(dòng)化系統(tǒng)要求與被安裝的元件有更緊密的配合以減少破裂、錯(cuò)位和擠塞。


圖1示出單一分割前現(xiàn)有技術(shù)光刻產(chǎn)生的壓電元件10。借助于穿通母片12刻蝕圖形來(lái)界定這些元件10，但依靠一個(gè)或多個(gè)相對(duì)薄的橋體16仍使各元件10連接于片12。這些橋16被設(shè)計(jì)成使其保持為母片12的完整厚度，是因?yàn)樾枰髟?0留于其位置上以便整體對(duì)片子12進(jìn)行進(jìn)一步處理。采用橋16可避免處置如圖2所示的單個(gè)元件帶來(lái)的問(wèn)題。
熟知的對(duì)壓電片12的光刻加工包括如圖4所示對(duì)壓電片12分別涂覆金屬24和光致抗蝕劑26。隨后顯影光致抗蝕劑26，刻蝕金屬24并刻蝕穿通壓電片12以界定各個(gè)元件10。其余的加工包括光致抗蝕劑的剝離，片子清洗以及元件10的測(cè)試程序，該程序當(dāng)所有的元件10處于在母片12上的已知位置時(shí)很容易完成的。然而，對(duì)片12整個(gè)加工完成后最終需要從母片12進(jìn)行元件10的單一分割以便將元件10安裝于各個(gè)封裝件中。為有助于單一分割，在利用刻蝕穿通圍繞元件10的周邊的遺留邊界22以界定元件10的同時(shí)在靠近分割邊緣14處，穿通母片12刻蝕出一個(gè)相對(duì)大的脫離區(qū)20(圖1)。該刻蝕過(guò)程依靠一個(gè)或多個(gè)使其保持為母片12的完整厚度的橋16使各元件10連接于母片12。采用靠近元件10的分割邊緣14的脫離區(qū)20使單一分割的斷裂應(yīng)力集中于橋16或其附近。
圖2示出一個(gè)現(xiàn)有工藝單一分割后的壓電元件10。借助于在分割邊緣14附近斷裂橋16使元件10從其母片12單一分割可引起不可預(yù)料的損傷。經(jīng)常會(huì)發(fā)生元件10本身而不是橋16的破碎。此類斷裂破壞了元件10的可用性，增加了碎片，降低了成品率并增加了成本。甚至需要橋16破碎時(shí)，壓電元件10的分割邊緣14上經(jīng)常要留下尖刺18故而橋16沒(méi)有完整的斷裂。這些在分割邊緣14上的尖刺18經(jīng)常是那樣的明顯而不可能在邊緣14安裝元件。因此，需要觀察壓電元件邊緣的質(zhì)量以便在它的最好邊緣安裝元件，經(jīng)常是其相對(duì)的邊緣28。此類觀察對(duì)自動(dòng)化是一種妨礙。
圖3示出現(xiàn)有技術(shù)用于刻蝕壓電元件10的脫離區(qū)20的剖面圖?？涛g穿通脫離區(qū)20和邊界22的寬度是如此之大使之基本上在現(xiàn)有技術(shù)中不去考慮壓電材料的各向異性刻蝕以及頂部和底部光刻圖形的對(duì)準(zhǔn)?，F(xiàn)有技術(shù)假定所有從片子12的頂部和底部二面被刻蝕的區(qū)域總會(huì)相交(用標(biāo)號(hào)20表示)而刻蝕穿通片子12。
對(duì)光刻產(chǎn)生的坯片單一分割的另外考慮是壓電元件環(huán)境的異常敏感。任何與壓電元件表面接觸的顆粒都能改變其頻率。通常，一個(gè)元件在嚴(yán)格控制的條件下被氣密封裝。然而這些封裝工序不尋訪在單一分割過(guò)程中可能發(fā)生的顆粒沾污。以前，對(duì)于光刻產(chǎn)生的元件的單一分割可引起橋(圖1中示為16)的不可預(yù)料的破裂。這些橋會(huì)破裂成大小各異的碎片。最小的碎屑由于其內(nèi)聚力而附著于壓電元件的表面。在一個(gè)元件表面上微觀顆粒物質(zhì)的存在引起在不同輸入功率水平下元件頻率響應(yīng)的改變。這種現(xiàn)象是本技術(shù)中熟知的“激勵(lì)電平依賴”或“起動(dòng)電阻”。
最常用的消除此微觀顆粒的方法是在工序中加入各種清洗步驟?，F(xiàn)有技術(shù)清洗可包括機(jī)械擦光，濕法處理，超聲清洗，等離子清洗之類。除非這些清洗工序受到很好的控制和監(jiān)測(cè)，清洗溶液很可能會(huì)帶來(lái)引入較原來(lái)存在的更多沾污的問(wèn)題。本發(fā)明利用在潛在問(wèn)題發(fā)生前盡可能減少顆粒物質(zhì)的產(chǎn)生來(lái)解決此問(wèn)題。另外，可避免額外的清洗工序，因而使成本降低。
一個(gè)石英坯片成本的主要部分在于加工過(guò)程，成品率和勞工。要盡可能減小由于成品率損失產(chǎn)生的廢料成本。成品率損失來(lái)自坯片的破裂和沾污。減少觀察步驟和操作者介入能節(jié)約資金并減少誤差的可能性。如果一種固有的具有重復(fù)性的清潔方法用于均勻石英坯片的單一分割，則可獲得自動(dòng)化能力，成品率，成本以及質(zhì)量的改進(jìn)。
需要有一種用于石英坯片單一分割的改進(jìn)的方法，它是(i)低成本；(ii)改進(jìn)成品率；(iii)使損傷壓電元件的潛在危險(xiǎn)減至最??；(iv)減少由于壓電元件的無(wú)益破裂引起的對(duì)壓電元件的顆粒沾污；(v)減少加工；以及(vi)產(chǎn)生基本一致的坯片尺寸，它有助于簡(jiǎn)化安裝并減少觀察的需要。
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)光刻產(chǎn)生的石英片在單一分割前的透視圖。
圖2示出單一分割后現(xiàn)有技術(shù)石英坯片的透視圖。
圖3示出表示石英坯片與母片間刻蝕穿通區(qū)的現(xiàn)有技術(shù)石英片沿圖1中3-3線的剖面圖。
圖4示出按照本發(fā)明分別涂覆了金屬和光致抗蝕劑的石英片的剖面圖。
圖5示出按照本發(fā)明從預(yù)定圖形清除了光致抗蝕劑和金屬的石英片的割面圖。
圖6示出按照本發(fā)明帶有對(duì)準(zhǔn)于石英的晶向刻蝕出的溝道的石英片的剖面圖。
圖7示出按照本發(fā)明光刻產(chǎn)生的石英片在單一分割前具有放大了的刻蝕溝道細(xì)節(jié)的剖面圖。
圖8示出按照本發(fā)明對(duì)光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片進(jìn)行單一分割的方法的方框圖。
本發(fā)明提供了一種對(duì)光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片及類似的壓電元件進(jìn)行單一分割的刻蝕方法。
如圖4所示，所提供的石英片102的二面具有一個(gè)金屬108，繼而覆蓋一個(gè)光致抗蝕劑層110。金屬層108可包括不同數(shù)量或結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電材料、金屬或合金的不同數(shù)量的層。通常采用金、銀、銅或鋁作為金屬層108，因?yàn)檫@些材料較之大部分其它材料有增強(qiáng)的電導(dǎo)率。在石英片102二面的金屬層108最好由第一層鉻和第二層金組成。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到所用導(dǎo)電層的總量、類型和數(shù)目可以改變。在此例中，鉻提供了對(duì)石英片102的良好粘附的優(yōu)點(diǎn)，而金具有良好導(dǎo)電及抗浸蝕的優(yōu)點(diǎn)。石英刻蝕劑最好基本上對(duì)金屬層108不發(fā)生作用，因?yàn)楣庵驴刮g劑110不能完全阻擋石英刻蝕劑。金屬層108可用本技術(shù)中熟知的各種常規(guī)方法(但不限于此)淀積在片子102上，這些方法包括蒸發(fā)淀積、濺射淀積、化學(xué)汽相淀積、電子束淀積以及離子淀積。最好采用電子束蒸發(fā)淀積設(shè)備淀積金屬層108，例如采用來(lái)自CHA工廠(Menlo park,CA)的蒸發(fā)器。
光致抗蝕劑層110可以是負(fù)或正曝光類型。對(duì)于本發(fā)明，大多數(shù)類型的光致抗蝕劑可以獲得同樣好的工作效果。這是因?yàn)樗镁€寬約≥0.5密耳，與細(xì)線條應(yīng)用相比大得多故而更容易工作。光致抗蝕劑可用例如由Solitec(Santa Clara，CA)制造的常規(guī)商用光刻膠旋轉(zhuǎn)裝置來(lái)旋涂。
在一個(gè)最佳實(shí)施例中，金屬和光致抗蝕劑層108，110提供于石英片102的二面。作為變通，光致抗蝕劑層110也可只提供于石英片102的一面。在此情況下，只在石英片102的涂覆光致抗蝕劑層110的一面圖形化。在用光致抗蝕劑110涂覆片子102以后，光致抗蝕劑層110在一個(gè)對(duì)流型空氣排氣爐(例如由Watertown，WI的Blue-M Electric制造)中進(jìn)行固化。
參照?qǐng)D5，示出光致抗蝕劑和金屬層108，110的被選部分已被圖形化、顯影和刻蝕以后的石英片102。首先用紫外光對(duì)光致抗蝕劑以預(yù)定圖形112進(jìn)行曝光。利用光掩模借助于紫外曝光系統(tǒng)將預(yù)定圖形界定在片子102上。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，采用混合技術(shù)集團(tuán)公司80系列掩模對(duì)準(zhǔn)器(由San Jose，CA的HTG公司制造)將預(yù)定圖形112界定于石英片102的一面或二面。然而，可以利用其它各種掩模對(duì)準(zhǔn)器系統(tǒng)，因?yàn)樵诖藢?shí)例中對(duì)線寬容限并不苛求。
經(jīng)曝光后，在光刻膠顯影浴中對(duì)光致抗蝕劑層110進(jìn)行顯影并在去離子水浴中漂洗。然后在金屬刻蝕浴中刻蝕掉金屬層108，接著在去離子水浴中漂洗。此工序使石英片102的一部分表面顯露。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，各顯影、漂洗以及金屬刻蝕浴由Hollister，CA的Semifab公司制造。然而在此例中可以采用其它的設(shè)備。實(shí)際上有很多合適的光刻工藝設(shè)備可用于本發(fā)明。
然后將石英片102轉(zhuǎn)移到一個(gè)石英刻蝕劑浴中刻蝕石英片12的顯露部分(如圖6所示)?？涛g石英后，片子102在去離子水中漂洗。然后在剝離浴中剝離片子102的光致抗蝕劑層，再在去離子水浴中漂洗。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，各個(gè)石英刻蝕、漂洗和剝離浴由Hollister，CA的Semifab公司制造。也可以采用其它合適的光刻工藝設(shè)備。
在一個(gè)簡(jiǎn)單的手工單一分割?yuàn)A具(在圖7的插頁(yè)中標(biāo)以130)中，石英坯片100從石英片102被解理。夾具130在各石英坯片100的靠近斷裂邊緣106處夾住片子，而在各石英坯片100的靠近自由邊緣104處人工施加一個(gè)彎曲力134，使之在石英溝道114中形成裂口132而單一分割坯片100。夾板130的精細(xì)結(jié)構(gòu)對(duì)于本發(fā)明不是關(guān)鍵的。但重要的是施加彎曲力134時(shí)要防止抓傷坯片100的表面。彎曲力134最好直接加于石英坯片100的自由邊緣104或其附近。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，此操作是自動(dòng)進(jìn)行的。
參照?qǐng)D4和圖8，本發(fā)明的標(biāo)以202的首要步驟是提供一個(gè)帶有金屬和光致抗蝕劑層108，110的石英片102。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，在石英片102上蒸發(fā)厚度至少10埃的鉻，繼而蒸發(fā)厚度至少200埃的金。金屬層108的準(zhǔn)確厚度對(duì)于本發(fā)明并不是關(guān)鍵的。但鉻層至少要厚得足以防止隨后淀積金層時(shí)滲透穿越鉻層，而金層至少要厚得足以導(dǎo)電并且對(duì)于石英刻蝕劑不形成多孔結(jié)構(gòu)。要求金屬層108對(duì)于石英刻蝕劑不形成多孔結(jié)構(gòu)是因?yàn)楣庵驴刮g劑層110也許不足以阻止石英刻蝕劑對(duì)石英片102不要刻蝕的區(qū)域的滲透。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，淀積約500埃的鉻以后再淀積約4000埃的金。
可按制造者的推薦旋涂光致抗蝕劑層110。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，采用Shipley MicropositTMS1400-31光致抗蝕劑(購(gòu)自Newton，MA的Shipley)作為光致抗蝕劑層110。隨后，在90℃溫度下于對(duì)流型空氣排氣爐(例如由Watertown，WI的Blue-M Electric制造)中烘焙片子102的每一面約15分鐘。也可使用其它類似的光致抗蝕劑并得到滿意的結(jié)果。最好在片子102的二面提供光致抗蝕劑層110。也可以只在片子102的一面提供光致抗蝕劑層110。
參照?qǐng)D5和圖8，下一個(gè)加工步驟204是從石英片102的部分區(qū)域清除預(yù)定圖形112。通過(guò)玻璃掩模對(duì)石英片102進(jìn)行紫外曝光，光密度約為每平方厘米25毫瓦，曝光時(shí)間約6秒。在一個(gè)最佳實(shí)施例中，對(duì)于一個(gè)厚度128約為3.9密耳的石英片，由預(yù)定圖形112界定的溝道114的寬度約為0.5密耳。然后將石英片102放于Shipley MieropositTM351顯影器(購(gòu)自Newton，MA的Shiley)的25℃的顯影浴中約1.5分鐘，隨后用去離子水漂洗至少約30秒。按照金屬層108的厚度，將石英片放于Techni-stripTMAU(氰化鈉型，購(gòu)自Newark，NJ的LawrencePackaging Supply)的25℃的金刻蝕劑浴中約1-5分鐘。采用最佳的4000埃厚的金層需要約4分鐘的金刻蝕時(shí)間。在此加工步驟后用去離子水漂洗至少30秒。然后將石英片放于諸如TFD型的商用鉻刻蝕劑(約25℃)中約2分鐘，隨后用去離子水漂洗至少30秒。
參照?qǐng)D6和圖8，下一個(gè)加工步驟206是刻蝕石英片102。根據(jù)石英片的起始厚度128，將石英片102放入約80℃的約60％氫氟酸和約40％氟化銨的過(guò)飽和溶液中約45分鐘。用其它的商用石英刻蝕劑將得到同樣好的結(jié)果。石英刻蝕劑擇優(yōu)地基本上沿石英片102的原子平面122刻蝕。刻蝕時(shí)原子平面最終界定溝道114的刻蝕壁124。由于受到狹窄溝道114的限制而引起在溝道114中局部缺乏活性的石英刻蝕劑。這種活性石英刻蝕劑的缺乏使窄的溝道116的底部較圍繞留下的石英坯片100的較寬的周邊118刻蝕得更慢。最好當(dāng)石英刻蝕完成后，溝道116的底部滲透至石英片厚度128的25％，而圍繞石英坯片100的周邊118完全刻蝕穿透片子102。
在一個(gè)最佳實(shí)施例中，最初使石英的Z軸方向136基本上垂直于溝道114。由于原子平面122的特殊排列，這種特定的對(duì)準(zhǔn)為與溝道114晌刻蝕壁124不相交提供了保證。更確切地說(shuō)，不相交的部分刻蝕的溝道114在石英坯片100的斷裂邊緣106附近提供了至少一部分石英片102的機(jī)械強(qiáng)度減弱，當(dāng)彎曲力134加于石英坯片100時(shí)可獲得完整的單一分割。
不相交溝道114的優(yōu)點(diǎn)在于允許更深的刻蝕而不使石英片102的機(jī)械強(qiáng)度減弱到和共線刻蝕溝道114對(duì)片子102的機(jī)械強(qiáng)度減弱同樣大。不相交溝道114還需要少許窄溝道114與較寬的界定石英坯片剩余部分的周邊118之間的刻蝕速率蓋別。這樣容許利用較其它情況所需的更寬的溝道114。此外，較深的刻蝕容許為了較完整的裂口132而建立的一個(gè)基本上均勻的石英溝道底部116。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到本發(fā)明可用于刻蝕相交的共線刻蝕溝道114，但共線刻蝕溝道114在建立基本上均勻的溝道底部116以前可能減弱石英片102的強(qiáng)度。
刻蝕石英后，如圖8中方框208所示，下一個(gè)加工步驟是從石英片102剝離光致抗蝕劑層110的剝離步驟208。在一個(gè)實(shí)施例中，光致抗蝕劑可在一個(gè)Shipley MicropositTM142A清除劑(購(gòu)自Newton，MA的Shipley)中在約70℃經(jīng)約15分鐘被剝離。然而，丙酮、酒精或其它合適的商用剝離劑可同樣使用。
參照?qǐng)D7和圖8，最終的重要加工步驟是借助于用夾板130夾住各個(gè)石英坯片100的斷裂邊緣106附近片子102并且對(duì)石英坯片100施加彎曲力134而從石英片102解理各個(gè)石英坯片100(210)。彎曲力134引起一個(gè)集中于溝道底部116的張應(yīng)力。此應(yīng)力使裂口132基本上沿石英片102的原子平面122延伸，因而從片子102單一分割坯片100。彎曲力134以這樣的方式施加，即要基本上避免擦傷坯片100的表面。彎曲力134最好加于石英坯片100的自由邊緣104。
使溝道116的底部沿原子平面122斷裂(132)的優(yōu)點(diǎn)是盡量減少了石英片102的破裂，這就盡量減少了在石英坯片100表面上的顆粒沾污。而且，這樣的斷裂132提供了完整的以及有效和實(shí)用地單一分割的石英坯片100，使坯片100具備與自由邊緣104同樣好安裝的平滑的斷裂邊緣106。因?yàn)樵趩我环指钸^(guò)程中只有少量石英坯片100破裂，只需少許觀察和質(zhì)量控制處理，故石英坯片100的完整的單一分割有助于增加成品率從而使成本降低。石英坯片100的斷裂邊緣106的均勻尺度使安裝容易地允許采用自動(dòng)化而沒(méi)有因坯片100的不規(guī)則而引起的位置安放問(wèn)題。
雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的各種實(shí)施例，應(yīng)該了解，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可以作出各種修改和替代，或者上述實(shí)施例的重新安排和組合而不超越本發(fā)明新的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種為單一分割而刻蝕光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片的方法，它包括提供分別涂覆至少一個(gè)金屬層和一個(gè)光致抗蝕劑層的石英片；從光致抗蝕劑和金屬層清除預(yù)定圖形以暴露帶有一個(gè)底部并連接于界定石英坯片的剩余石英周邊的一個(gè)石英溝道；基本上沿著平行的石英原子平面刻蝕溝道的底部，從而使溝道底部不刻蝕穿通石英片；從金屬層剝離遺留的光致抗蝕劑層；以及基本上沿溝道底部和基本上與石英晶體原子平面對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行解理，從石英片單一分割石英坯片。
2.權(quán)利要求1的方法，其中刻蝕步驟包括將溝道底部暴露于刻蝕劑中一段足夠長(zhǎng)的時(shí)間以便至少部分地減弱接近溝道處的石英片的機(jī)械強(qiáng)度，但刻蝕時(shí)間要足夠短以便不刻蝕穿通石英片；以及將界定石英坯片的周邊暴露于刻蝕劑中一段足夠長(zhǎng)的時(shí)間以便刻蝕穿通石英片。
3.權(quán)利要求1的方法，其中解理步驟包括借助于對(duì)溝道內(nèi)部施加一個(gè)張應(yīng)力而從石英片單一分割石英坯片，由此盡量減少石英的碎裂。
4.權(quán)利要求1的方法，其中在石英片的二面提供清除和刻蝕步驟使其包括大體上相對(duì)的二個(gè)溝道。
5.權(quán)利要求4的方法，其中在刻蝕步驟以前清除步驟包括提供一個(gè)帶有二個(gè)基本對(duì)準(zhǔn)的面對(duì)的溝道的預(yù)定圖形。
6.權(quán)利要求1的方法，其中解理步驟包括牢固夾住石英片并對(duì)石英坯片施加一個(gè)彎曲力使溝道底部基本沿一個(gè)原子平面切向斷裂而從石英片單一分割石英坯片。
7.一種為單一分割而刻蝕光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片的方法，它包括提供在其二面分別涂覆一個(gè)金屬層和一個(gè)光致抗蝕劑層的石英片；在石英片的二面從光致抗蝕劑和金屬層清除預(yù)定圖形以暴露二個(gè)面對(duì)的各帶有一個(gè)底部并與界定一個(gè)石英坯片的剩余石英周邊相連接的石英溝道；刻蝕界定石英坯片的周邊并沿嚴(yán)格平行的石英原子平面刻蝕二個(gè)溝道的底部，由此形成溝道的刻蝕壁且由嚴(yán)格平行的原子平面界定，溝道的底部不刻蝕穿通石英片；從金屬層剝離光致抗蝕劑；以及基本上沿一個(gè)溝道的底部并基本上對(duì)準(zhǔn)于一個(gè)石英晶體原子平面進(jìn)行解理以從石英片單一分割石英坯片，由此可盡量減少石英的碎裂。
8.權(quán)利要求7的方法，其中刻蝕步驟包括將溝道底部暴露于刻蝕劑中一段足夠長(zhǎng)的時(shí)間以便至少部分地減弱接近溝道處的石英片的機(jī)械強(qiáng)度，但刻蝕時(shí)間要足夠短以便不刻蝕穿通石英片；以及暴露石英片面對(duì)二面上的周邊并界定石英坯片足夠長(zhǎng)的時(shí)間以便刻蝕穿通石英片。
9.權(quán)利要求7的方法，其中在刻蝕步驟以前清除步驟包括嚴(yán)格對(duì)準(zhǔn)在石英片的相對(duì)二側(cè)帶有二個(gè)溝道的預(yù)定圖形，并且二個(gè)溝道不共享一個(gè)相交的原子平面。
10.權(quán)利要求7的方法，其中在石英片相對(duì)二側(cè)的預(yù)定圖形的選擇是用于界定至少一個(gè)溝道，其寬度明顯窄于界定石英坯片的周邊的寬度，由此由于在窄溝道中活性刻蝕劑耗盡速率的增加，使窄溝道底部的刻蝕慢于界定石英坯片的寬的周邊的刻蝕。
全文摘要
一種用于單一分割的刻蝕(200)光刻產(chǎn)生的石英晶體坯片的方法。第一步,在石英片的二側(cè)涂覆金屬以及隨后在二側(cè)涂覆光致抗蝕劑(202)。第二步,對(duì)光致抗蝕劑圖形化和顯影并刻蝕金屬層以界定帶有窄石英溝道(暴露于待要單一分割的坯片與石英母片204之間)的一個(gè)石英坯片的周邊。第三步,沿著平行的原子平面被擇優(yōu)刻蝕的石英溝道局部進(jìn)入片子以便在石英片與待要單一分割的坯片之間提供一個(gè)機(jī)械上弱的結(jié)合,與此同時(shí)圍繞石英坯片剩余處的周邊被刻蝕完全穿通石英母片(206)。第四步,光致抗蝕劑層被從石英片(208)剝離。最后,石英坯片嚴(yán)格沿石英溝道的底部被解理并從片子(210)單一分割成晶體坯片。
文檔編號(hào)H01L41/09GK1185870SQ96194282
公開(kāi)日1998年6月24日 申請(qǐng)日期1996年4月11日 優(yōu)先權(quán)日1995年5月30日
發(fā)明者凱文L·哈斯, 羅伯特S·威特, 查爾斯L·齊姆尼奇, 艾亞德·阿爾?？?申請(qǐng)人:摩托羅拉公司