專利名稱：內(nèi)引線帶槽的半導(dǎo)體器件的封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的封裝，特別涉及內(nèi)引線的槽在內(nèi)引線和腐蝕過的端部的上表面的一半處形成的半導(dǎo)體器件的封裝。
目前，半導(dǎo)體芯片封裝的發(fā)展趨勢為增加襯底(例如印刷電路板)上的半導(dǎo)體芯片的安裝密度。
然而，對具有管芯焊盤的常規(guī)半導(dǎo)體器件來說，由于管芯焊盤放置在封裝體內(nèi)的中央?yún)^(qū)域，并且與多個內(nèi)引線相距指定的距離，所以封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的密度很低。
COL(芯片裝在引線上)型封裝的結(jié)構(gòu)中管芯焊盤已被除去，并且半導(dǎo)體芯片的下表面直接安裝在內(nèi)引線的上表面。因此，封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的密度高于上文介紹的常規(guī)封裝內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的密度。
常規(guī)COL半導(dǎo)體芯片的封裝顯示在

圖1至圖3中。圖1顯示的是部分被切開的常規(guī)COL半導(dǎo)體芯片封裝的透視圖，圖2為沿圖1中線2-2所取的剖示圖，圖3為沿圖1中線3-3所取的剖示圖。
參考圖1-3，半導(dǎo)體芯片10的下表面通過粘結(jié)裝置20，例如聚酰亞胺帶，直接安裝在引線框的多個內(nèi)引線30的上表面，該引線框在半導(dǎo)體芯片10的下表面已校準(zhǔn)。半導(dǎo)體芯片10通過電連接裝置，例如鍵合線50，與放置在半導(dǎo)體芯片10外側(cè)的內(nèi)引線30進(jìn)行電連接。
此外，半導(dǎo)體芯片10、內(nèi)引線30以及包括鍵合線50的電連接裝置通過密封劑例如環(huán)氧樹脂模塑混合物(EMC)得到單個的封裝體60。與每個對應(yīng)的內(nèi)引線30一體的外引線40從密封的封裝體60中伸出，彎成適于安裝在襯底上的J形。
圖4顯示的是在封裝的密封步驟中EMC沿圖3方向流動的示意圖。
參考圖4，內(nèi)引線30和半導(dǎo)體芯片10位于上模具310和下模具410之間形成的凹腔312和412內(nèi)，凹腔用密封劑密封，密封劑是從下模具410的口414注人的。
在圖中，箭頭指示的是密封劑的流動方向，密封劑分布在分別對應(yīng)的內(nèi)引線30的左側(cè)，而該內(nèi)引線30直接安裝在半導(dǎo)體芯片10的下表面。
也就是說，密封劑碰撞內(nèi)引線30的右側(cè)，密封劑流動的流速降低。之后，密封劑沿內(nèi)引線30的后表面流動，并在內(nèi)引線30的左側(cè)形成渦流。密封劑的渦流由流速差異過大造成的。
特別是，對于內(nèi)引線或大量的內(nèi)引線之間間距較精細(xì)的情況，密封劑的渦流現(xiàn)象更嚴(yán)重。這種渦流會產(chǎn)生內(nèi)部的孔隙和不完整的密封。
有水蒸汽滲透其中，內(nèi)部的孔隙就會膨脹，而水蒸汽是在惡劣的條件下，例如高溫、高壓和潮濕，進(jìn)行可靠性試驗期間引入的。
此外，封裝體60的不完整密封會惡化封裝的機械強度。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種通過減小封裝內(nèi)部密封劑的流速差異來防止不完整的密封例如內(nèi)部的孔隙的半導(dǎo)體芯片的封裝。
要獲得以上目的半導(dǎo)體器件的封裝包括一個半導(dǎo)體芯片；多個具有槽的內(nèi)引線；將半導(dǎo)體芯片的下表面安裝到內(nèi)引線的上表面的粘結(jié)裝置；將半導(dǎo)體芯片電連接到分別對應(yīng)的內(nèi)引線的電連接裝置；密封半導(dǎo)體芯片、內(nèi)引線、粘結(jié)裝置和電連接裝置的密封劑；與分別對應(yīng)的內(nèi)引線為一體并從密封劑中伸出的多個外引線。
參考以下詳細(xì)介紹并結(jié)合附圖可更好的理解本發(fā)明的這些和其它特性和優(yōu)點，其中類似的結(jié)構(gòu)部件指定了類似的參考數(shù)字，其中圖1為部分被切開的常規(guī)COL半導(dǎo)體芯片封裝的透視圖。
圖2為沿圖1中線2-2所取的剖示圖。
圖3為沿圖1中線3-3所取的剖示圖。
圖4顯示的是在封裝的密封步驟中EMC沿圖3方向流動的示意圖。
圖5為部分被切開的依照本發(fā)明的COL半導(dǎo)體芯片封裝的透視圖。
圖6為沿圖5中線6-6所取的剖示圖。
圖7為沿圖5中線7-7所取的剖示圖。
圖8顯示的是在封裝的密封步驟中EMC沿圖7方向流動的示意圖。
下面將結(jié)合附圖介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
參考圖5-7，半導(dǎo)體芯片110的下表面通過粘結(jié)裝置120直接安裝在引線框的內(nèi)引線130的上表面，該引線框在半導(dǎo)體芯片110的下表面已校準(zhǔn)。半導(dǎo)體芯片110通過電連接裝置，例如鍵合線150，與放置在半導(dǎo)體芯片110外側(cè)的內(nèi)引線130進(jìn)行電連接。
槽132在內(nèi)引線130的部分上表面的寬度方向形成，而內(nèi)引線的上表面安裝在半導(dǎo)體芯片的下表面上。內(nèi)引線130端部134的下表面通過沖壓或腐蝕的方法部分腐蝕，端部134比內(nèi)引線130的其它部分薄。
此外，槽132在內(nèi)引線130上表面的一半處形成，并且厚度約為該內(nèi)引線130的1/2，長度約為內(nèi)引線130的1/3。內(nèi)引線130的端部134部分腐蝕是為了減小內(nèi)引線安裝在半導(dǎo)體芯片的下表面上時施加在內(nèi)引線130端部134的壓力。腐蝕端部134的長度為槽132長度的1/2。
半導(dǎo)體芯片110、內(nèi)引線130以及包括鍵合線150的電連接裝置通過密封劑，例如環(huán)氧樹脂模塑混合物(EMC)得到單個的封裝體160。此外，內(nèi)引線130的槽132被密封劑填充。
與每個對應(yīng)的內(nèi)引線130一體的外引線140從密封的封裝體160中伸出，彎成適于安裝在襯底上的J形。
圖8顯示的是在封裝的密封步驟中EMC沿圖7方向流動的示意圖。
參考圖8，內(nèi)引線130和半導(dǎo)體芯片110位于上模具320和下模具420之間形成的凹腔332和422內(nèi)，凹腔用密封劑密封，而密封劑是從下模具420的口424注入的。在圖4中常規(guī)封裝產(chǎn)生的渦流在本發(fā)明內(nèi)由于密封劑流過槽132從而受到抑制。槽132促進(jìn)了密封劑沿箭頭的方向流動。因此，槽132可防止產(chǎn)生渦流，而且能避免不完整的密封例如內(nèi)部的孔隙帶來的問題。
雖然依照本發(fā)明的優(yōu)選實施例的槽是在內(nèi)引線上表面的一半處的寬度方向內(nèi)形成，厚度和長度分別為內(nèi)引線的1/2和1/3，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員對這里介紹的槽的位置、數(shù)目、長度、厚度和寬度所作的變形和/或修改都落入本發(fā)明所附的權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件封裝，包括一個半導(dǎo)體芯片；多個具有槽的內(nèi)引線；將半導(dǎo)體芯片的下表面安裝到內(nèi)引線的上表面的粘結(jié)裝置；將半導(dǎo)體芯片電連接到分別對應(yīng)的內(nèi)引線的電連接裝置；密封半導(dǎo)體芯片、內(nèi)引線、粘結(jié)裝置和電連接裝置的密封劑；與分別對應(yīng)的內(nèi)引線為一體并從密封劑中伸出的多個外引線。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述槽被密封劑填充。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述槽在安裝到半導(dǎo)體芯片的下表面的內(nèi)引線的上表面上形成。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述槽在內(nèi)引線上表面的一半處的寬度方向內(nèi)形成。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述槽的厚度為所述內(nèi)引線厚度的1/2。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述槽的長度為所述內(nèi)引線長度的1/3。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中內(nèi)引線端部的下表面被部分腐蝕。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述內(nèi)引線端部的長度為槽長度的1/2。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件封裝，其中所述密封劑為環(huán)氧樹脂模塑混合物(EMC)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件封裝包括一個半導(dǎo)體芯片,多個具有槽的內(nèi)引線,將半導(dǎo)體芯片的下表面安裝到內(nèi)引線的上表面的粘結(jié)裝置,將半導(dǎo)體芯片電連接到相應(yīng)的內(nèi)引線的電連接裝置,密封半導(dǎo)體芯片、內(nèi)引線、粘結(jié)裝置和電連接裝置的密封劑,以及與分別對應(yīng)的內(nèi)引線為一體并從密封劑中伸出的多個外引線。
文檔編號H01L23/495GK1179010SQ9711185
公開日1998年4月15日 申請日期1997年6月19日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月4日
發(fā)明者金泰亨, 樸泰成, 趙仁植, 崔憘國 申請人:三星電子株式會社